NTLUS4930N
功率MOSFET
特点
30 V ， 6.1 A单N沟道，
2.0x2.0x0.55毫米
mCoolt
UDFN6套餐
UDFN封装，带有裸漏焊盘为优良的热
传导
低调UDFN 2.0× 2.0 * 0.55毫米的电路板空间节省
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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MOSFET
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
36毫瓦@ 4.5 V
28.5毫瓦@ 10 V
I
D
最大
6.1 A
5.5 A
D
应用
电池开关
电源负载开关
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
连续漏极
电流（注1 ）
功率耗散
化（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏极
电流（注2 ）
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
TP = 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
6.1
4.4
9.3
1.65
3.8
3.8
2.8
0.65
19
-55
150
1.65
260
W
A
°C
A
°C
D
D
G
A
W
销1
单位
V
V
A
S
G
S
N沟道MOSFET
D
标记图
1
UDFN6
AD MG
（ mCOOL ] ）
G
CASE 517BG
AD =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（ *注：微球可在任一位置）
功率耗散（注2 ）
漏电流脉冲
引脚连接
MOSFET工作结存储
温度
源电流（体二极管） （注1 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
1
D
2
3
S
（ TOP VIEW ）
6
5
4
D
D
S
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
为30毫米
2
， 2盎司铜。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
二月， 2013
第1版
1
出版订单号：
NTLUS4930N/D
NTLUS4930N
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装在FR4板上用30毫米的最小推荐焊盘尺寸
2
， 2盎司铜。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
最大
75.7
32.9
191.4
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度。系数
漏极至源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
开关特性， VGS = 4.5 V
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 6.1 A，R
G
= 3
W
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 5.5 A，R
G
= 3
W
8.7
14.4
9.1
3.3
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V;
I
D
= 5.5 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V;
I
D
= 5.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.1 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.5 A
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 6.0 A
收费，电容&栅极电阻
476
V
GS
= 0 V ， F = 1MHz时，
V
DS
= 15 V
197
100
4.8
0.4
1.54
2.15
8.7
nC
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.2
1.8
4.4
19
27
16
28.5
36
S
2.2
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
30
+16
1.0
10
V
毫伏/°C的
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
开关特性， VGS = 10 V
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.65 A
0.80
0.67
1.0
V
4.1
12.2
11.6
2.2
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTLUS4930N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 3.3 A
14.6
6.8
7.8
5.4
nC
ns
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
设备订货信息
设备
NTLUS4930NTAG
NTLUS4930NTBG
包
UDFN6
（无铅）
UDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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3
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