NTD15N06
功率MOSFET
15安培， 60伏
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
典型应用
http://onsemi.com
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
15安培
60伏特
RDS （ ON） = 90毫欧
N沟道
D
价值
60
60
"20
"30
15
10
45
48
0.32
2.1
1.5
-55
+175
61
ADC
4
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
1 2
3
DPAK
CASE 369A
方式2
单位
VDC
VDC
VDC
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
G
S
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
v10
女士）
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v10
s)
总功率耗散@ TJ = 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10伏直流， L = 1.0 mH的，
IL （ PK ） = 11 A， VDS = 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
TJ ， TSTG
EAS
标记图
＆放大器;引脚分配
° C / W
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
3.13
71.4
100
260
°C
1门
2漏
3源
YWW
新台币
15N06
4漏
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜区1.127平方英寸） 。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸， （铜区0.412平方英寸） 。
NTD15N06
Y
WW
=器件代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTD15N06
NTD15N06–1
NTD15N06T4
包
DPAK
DPAK
DPAK
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年9月 - 修订版0
出版订单号：
NTD15N06/D
NTD15N06
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±20
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 7.5 ADC ）
静态漏 - 源极导通电压（注3 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 15 ADC）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 7.5 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（注3 ） （ VDS = 7.0伏， ID = 6.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 15的ADC ，
Vd
Ad
VGS = 10伏） （注3）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
（ IS = 15 ADC ， VGS = 0伏，
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
（IS = 15 ADC ，V GS = 0伏） （注3）
（ IS = 15 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
0.96
0.83
35
27
7.4
0.050
1.15
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDD = 48伏直流电， ID = 15的ADC ，
VGS = 10 VDC ， RG = 9.1
)
（注3）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
–
–
–
–
–
–
–
10
25
14
13
12
4.1
4.5
15
70
50
50
20
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
325
108
34
450
150
70
pF
VGS （ TH）
2.0
–
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
–
1.2
1.08
6.7
1.62
–
–
姆欧
76
90
VDC
2.9
6.3
4.0
–
VDC
毫伏/°C的
m
V（ BR ） DSS
60
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
68
54.4
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTD15N06
功率MOSFET开关
电容（西塞）从电容曲线上读出在
交换行为是最容易建模和预测
对应于关断状态的条件时的电压
由认识到功率MOSFET是充电
计算TD（上），并读出对应于所述的电压
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
导通状态时，计算TD（关闭）。
由如何快速FET输入电容可确定
在高开关速度，寄生电路元件
从发电机通过电流进行充电。
复杂的分析。 MOSFET的电感
已发布的电容数据是难以用于
源引，内包装，在电路布线
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
变化很大随施加电压。因此，门
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
平均输入电流（IG （AV） ）可以由一个作
是漏极电流的函数，在数学溶液
驱动电路，使得基本的分析
复杂的。 MOSFET的输出电容也
T = Q / IG （ AV ）
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
在上升和下降时间间隔切换时，
所述驱动源的电阻，但内阻
阻性负载，V GS保持几乎恒定的水平
难以测量，因此，没有被指定。
被誉为高原电压， VSGP 。因此，上升和下降
电阻开关时间变化与门
时间可近似由下：
电阻（图9）显示了如何典型开关
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
性能由寄生电路元件的影响。如果
TF = Q2 X RG / VGSP
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
哪里
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
在漏极和栅极电路环路共同电感和
RG =栅极驱动电阻
被认为是很容易达到的板装
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
近似的最佳冷落感性负载。动力
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
然而，不压井作业减少了开关损耗。
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
900
800
C，电容（pF ）
700
600
500
400
300
200
100
0
10
5
VGS
0
VDS
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
CRSS
西塞
VDS = 0 V VGS = 0 V
西塞
TJ = 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
NTD15N06
VGS ，栅极至源极电压（伏）
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
QG ，总栅极电荷（ NC）
12
ID = 15 A
TJ = 25°C
1
1
10
RG ，栅极电阻（ Ω ）
100
Q1
Q2
QT
VGS
T， TIME （ NS ）
tr
10
TD （关闭）
TD （上）
tf
100
VDS = 30 V
ID = 15 A
VGS = 10 V
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
16
IS ，源电流（安培）
VGS = 0 V
TJ = 25°C
12
8
4
0
0.6
0.68
0.76
0.84
0.92
1
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
正向偏置安全工作区曲线定义
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
的最大同时漏极 - 源极电压和
超过额定界限和调节操作条件
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
从这些规定不同。虽然行业惯例是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
结温度为25 ℃的情况下，温度（T ） 。
一个常数。能量等级降低非线性地与
重复峰值脉冲功率限制使用确定
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
在与程序一起使用时的热响应数据
温度。
在AN569讨论， “瞬态热阻 -
虽然许多E-场效应管能承受的压力
一般数据和它的使用。 “
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
关断状态，导通状态可能会之间的切换
电流（ IDM ） ，能量等级在额定指定
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
连续电流（ID ） ，按照行业惯例。
（ IDM ），也不额定电压（ VDSS ）超标和
能量等级必须降低温度，如图
过渡时间（ TR ， TF ）不超过10
s.
此外，该总
在所附的图中（图12） 。在最大能量
功率平均一个完整的开关周期不得
低于额定连续电流ID可以安全地假定
超过（ TJ（MAX） - TC） / （r
θJC
).
等于指定的值。
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
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5
NTD15N06
功率MOSFET
15安培， 60伏
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
典型应用
http://onsemi.com
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
15安培
60伏特
R
DS （ ON）
= 76毫瓦
（典型值）
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
J
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10 VDC ， L = 1.0 mH的，
I
L（ PK）
= 11 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
15
10
45
48
0.32
2.1
1.5
-55
+175
61
1
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
3.13
71.4
100
260
°C
3
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
15N06
器件代码
Y
=年
WW
=工作周
2
单位
VDC
VDC
VDC
4
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
YWW
15N06
1 2 3
门漏源
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
出版订单号：
NTD15N06/D
1 2
3
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
4
YWW
15N06
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
包
DPAK
DPAK
直引线
DPAK
S
G
标记DIAGRAMS
4
漏
T
J
, T
英镑
E
AS
1.当表面安装用0.5平方的FR4板。英寸焊盘尺寸。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
订购信息
设备
NTD15N06
NTD15N061
NTD15N06T4
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年9月 - 第1版
NTD15N06
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
900
800
C，电容（pF ）
700
600
500
400
300
200
100
0
10
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTD15N06
功率MOSFET
15安培， 60伏
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
典型应用
http://onsemi.com
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
15安培
60伏特
R
DS （ ON）
= 76毫瓦
（典型值）
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
J
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10 VDC ， L = 1.0 mH的，
I
L（ PK）
= 11 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
15
10
45
48
0.32
2.1
1.5
-55
+175
61
1
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
3.13
71.4
100
260
°C
3
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
15N06
器件代码
Y
=年
WW
=工作周
2
单位
VDC
VDC
VDC
4
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
YWW
15N06
1 2 3
门漏源
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
出版订单号：
NTD15N06/D
1 2
3
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
4
YWW
15N06
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
包
DPAK
DPAK
直引线
DPAK
S
G
标记DIAGRAMS
4
漏
T
J
, T
英镑
E
AS
1.当表面安装用0.5平方的FR4板。英寸焊盘尺寸。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
订购信息
设备
NTD15N06
NTD15N061
NTD15N06T4
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年9月 - 第1版
NTD15N06
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
900
800
C，电容（pF ）
700
600
500
400
300
200
100
0
10
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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