NTE2989

MOSFET

N沟道，增强模式

高速开关

产品特点：

D

高速开关

D

低导通电阻

D

无二次击穿

D

低驱动功率

D

高压

D

额定重复性雪崩

应用范围：

D

开关稳压器

D

UPS

D

DC-DC转换器

D

通用功率放大器

绝对最大额定值：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

漏源电压，V

DS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

漏电流，我

D

连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A

脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36A

栅源电压，V

GS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±30V

雪崩电流，重复或不重复（T

ch

≤

+ 150 ° C） ，我

AR

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

雪崩能量E

AS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64.7mJ

最大功耗，P

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

工作结温，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62.5 ° C / W

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5 ° C / W

电气特性：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

符号

测试条件

民

600

3.5

T

ch

= +25°C

T

ch

= +125°C

–

–

典型值

–

4.0

10

0.2

最大

–

4.5

500

1.0

单位

V

V

A

mA

V

（ BR ） DSS

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

= 1mA时， V

DS

= V

GS

V

DS

= 600V,

V

GS

= 0V

电气特性（续） ：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

门源漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通时间，t

on

(t

on

= t

D（上）

+ t

r

)

关断时间，t

o

ff

(t

关闭

= t

D（关闭）

+ t

f

)

雪崩能力

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

GSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

I

AV

V

SD

t

rr

Q

rr

L = 100μH ，T

ch

= +25°C

I

F

= 2×我

DR

, V

GS

= 0V ，T

ch

= +25°C

I

F

= I

DR

, V

GS

= 0V,

-dI

F

/ DT = 100A / μs的，T

ch

= +25°C

°

V

CC

= 300V ，我

D

= 10A ，V

GS

= 10V,

R

GS

= 10

测试条件

V

GS

=

±30V,

V

DS

= 0V

I

D

= 4.5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

DS

= 25V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

民

–

–

3

–

–

–

–

–

–

–

10

–

–

–

典型值

10

0.85

6

1100

170

74

25

70

75

40

–

1.0

500

6.5

最大

100

1.0

–

1700

260

120

40

110

120

60

–

1.5

–

–

单位

nA

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

A

V

ns

C

.114 (2.9)

0.181 （ 4.6 ） 0.126 （ 3.2 ）最大直径

最大

.405 (10.3)

最大

.252

(6.4)

ISOL

.622

(15.0)

最大

G

D

S

.118

(3.0)

最大

.531

(13.5)

民

.098 (2.5)

.100 (2.54)