NTGS3443T1
功率MOSFET
2安培， 20伏
P沟道的TSOP - 6
特点
超低的RDS（on ）
更高的效率延长电池寿命
微型TSOP6表面贴装封装
应用
http://onsemi.com
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
蜂窝和无绳电话，和PCMCIA卡
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
- 漏电流脉冲（TP
t
10
S)
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
- 漏电流脉冲（TP
t
10
S)
热阻
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
- 漏电流脉冲（TP
t
10
S)
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
VDSS
VGS
R
θJA
Pd
ID
IDM
R
θJA
Pd
ID
IDM
R
θJA
Pd
ID
IDM
TJ ， TSTG
TL
价值
–20
"12
244
0.5
–2.2
–10
128
1.0
–3.1
–14
62.5
2.0
–4.4
–20
-55
150
260
单位
伏
伏
° C / W
瓦
安培
安培
° C / W
瓦
安培
安培
° C / W
瓦
安培
安培
°C
°C
4
5
6
3
2安培
20伏
RDS （ ON）= 65毫瓦
P- CHANNEL
1 2 5 6
3
4
记号
图
2
1
TSOP–6
CASE 318G
风格1
443
W
W
=工作周
1.最小的FR- 4或G - 10PCB ，经营稳定状态。
2.安装到一个2“正方形的FR-4基板（1”平方2盎司立方0.06 “厚的单
双面） ，运行到稳定状态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4电路板（ 1 ”平方2盎司立方米0.06 “厚单
双面） ，T
t
5.0秒。
引脚分配
漏漏源
6
5
4
1
2
3
排水排水门
订购信息
设备
NTGS3443T1
包
TSOP–6
航运
3000磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第1版
出版订单号：
NTGS3443T1/D
NTGS3443T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） *
特征
开关特性
漏源击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = -10
A)
零栅极电压漏极电流
（ VGS = 0伏， VDS = -20伏直流， TJ = 25 ° C）
（ VGS = 0伏， VDS = -20伏直流， TJ = 70 ° C）
门体漏电流
（ VGS = -12伏直流， VDS = 0伏）
门体漏电流
（ VGS = + 12VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = -250
μAdc ）
静态漏源导通电阻
（ VGS = -4.5伏， ID = -4.4 ADC ）
（ VGS = -2.7伏， ID = -3.7 ADC ）
（ VGS = -2.5伏， ID = -3.5 ADC ）
正向跨导
（ VDS = -10伏直流， ID = -4.4 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
反向恢复时间
（ IS = -1.7 ADC ， VGS = 0伏）
VSD
TRR
–
–
–0.83
30
–1.2
–
VDC
ns
（ VDS = -10伏直流， VGS = -4.5伏，
10 Vd的
4 5 Vd的
ID = -4.4 ADC ）
（ VDD = -20伏直流， ID = -1.0 ADC ，
20
1.0
VGS = -4.5伏， RG = 6.0
W)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qtot
QGS
QGD
–
–
–
–
–
–
–
10
18
30
31
7.5
1.4
2.9
25
45
50
50
15
–
–
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
（ VDS = -5.0伏， VGS = 0伏，
5 0 Vd的
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
565
320
120
–
–
–
pF
pF
pF
VGS （ TH）
–0.60
RDS （ ON）
–
–
–
政府飞行服务队
–
8.8
–
0.058
0.082
0.092
0.065
0.090
0.100
姆欧
–0.95
–1.50
W
VDC
V（ BR ） DSS
–20
IDSS
–
–
IGSS
–
IGSS
–
–
100
–
–100
NADC
–
–
–1.0
–5.0
NADC
–
–
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
（ IS = -1.7 ADC ， DIS / DT = 100 A / μs）内
*表示脉冲测试： P.W. = 300
微秒
最大值，占空比= 2 ％ 。
*处理措施以防止静电放电是强制性的。
http://onsemi.com
2
NTGS3443T1
功率MOSFET
2安培， 20伏
P沟道的TSOP - 6
特点
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
微型TSOP6表面贴装封装
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
http://onsemi.com
2安培
20伏
R
DS （ ON）
= 65毫瓦
P- CHANNEL
1 2 5 6
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
蜂窝和无绳电话，和PCMCIA卡
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
t
10
女士）
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
t
10
女士）
热阻
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
t
10
女士）
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
d
I
D
I
DM
R
qJA
P
d
I
D
I
DM
R
qJA
P
d
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
T
L
价值
20
"12
244
0.5
2.2
10
128
1.0
3.1
14
62.5
2.0
4.4
20
-55
150
260
单位
伏
伏
° C / W
瓦
安培
安培
° C / W
瓦
安培
安培
° C / W
瓦
安培
安培
°C
°C
TSOP6
CASE 318G
风格1
3
4
记号
图
443
W
443
W
=器件代码
=工作周
引脚分配
漏漏源
6
5
4
1.最小的FR- 4或G - 10PCB ，经营稳定状态。
2.安装到一个2平方的FR-4基板（1“平方2盎司立方0.06 ”厚的单
双面） ，运行到稳定状态。
3.安装到一个2平方的FR-4基板（1“平方2盎司立方0.06 ”厚的单
双面） ，T
t
5.0秒。
1
2
3
排水排水门
订购信息
设备
NTGS3443T1
NTGS3443T1G
包
TSOP6
TSOP6
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
NTGS3443T1/D
NTGS3443T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （注4 & 5 ）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 10
毫安）
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
= -20伏直流，T
J
= 25°C)
(V
GS
= 0伏，V
DS
= -20伏直流，T
J
= 70°C)
门体漏电流
(V
GS
= -12伏直流，V
DS
= 0伏）
门体漏电流
(V
GS
= + 12VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
静态漏源导通电阻
(V
GS
= -4.5伏，我
D
= -4.4 ADC）
(V
GS
= -2.7伏，我
D
= -3.7 ADC）
(V
GS
= -2.5伏，我
D
= -3.5 ADC）
正向跨导
(V
DS
= -10伏直流，我
D
= -4.4 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
反向恢复时间
(I
S
= -1.7 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= -1.7 ADC ，二
S
/ DT = 100 A / MS）
V
SD
t
rr
0.83
30
1.2
VDC
ns
(V
DS
= -10伏直流，V
GS
= -4.5伏，
I
D
= -4.4 ADC）
(V
DD
= -20伏直流，我
D
= -1.0 ADC ，
V
GS
= -4.5伏，R
g
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
gs
Q
gd
10
18
30
31
7.5
1.4
2.9
25
45
50
50
15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
(V
DS
= -5.0伏，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
565
320
120
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
0.60
R
DS （ ON）
g
FS
8.8
0.058
0.082
0.092
0.065
0.090
0.100
姆欧
0.95
1.50
W
VDC
V
（ BR ） DSS
20
I
DSS
I
GSS
I
GSS
100
100
NADC
1.0
5.0
NADC
MADC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
4.指示脉冲测试： P.W. = 300
毫秒
最大值，占空比= 2 ％ 。
5.处理措施以防止静电放电是强制性的。
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
