NTE2355 （ NPN ） & NTE2356 （ PNP ）

硅晶体管互补

数字

w

/ 2内置10K偏置电阻器

产品特点：

D

内置偏置电阻（R

1

= 10kΩ的，R

2

= 10k)

D

小型封装（ TO92型）

应用范围：

D

开关电路

D

逆变器

D

接口电路

D

司机

绝对最大额定值：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

集电极到发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

发射器基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

集电极电流，I

C

连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

集电极耗散，P

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的

工作结温，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 160°C

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

收藏家Cuto FF电流

符号

I

CBO

I

首席执行官

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益频带宽度产品

NTE2355

NTE2356

输出电容

NTE2355

NTE2356

C

ob

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

–

–

3.7

5.5

–

–

pF

pF

I

EBO

h

FE

f

T

测试条件

V

CB

= 40V ，我

E

= 0

V

CE

= 40V ，我

B

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

V

CE

= 10V ，我

C

= 5毫安

–

–

250

200

–

–

兆赫

兆赫

民

–

–

170

50

典型值

–

–

250

–

最大

0.1

0.5

330

–

单位

A

A

A

电气特性（续） ：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

输入过电压

输入电压

输入阻抗

输入电阻比

符号

V

CE （ SAT ）

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

- 0.5毫安

民

–

50

50

0.8

1.0

7.0

0.9

典型值

0.1

–

–

1.1

2.0

10.0

1.0

最大

0.3

–

–

1.5

4.0

13.0

1.1

单位

V

V

V

V

V

k

V

（ BR ） CBO

I

C

= 10μA ，我

E

= 0

V

（ BR ） CEO

I

C

= 100μA ，R

BE

=

∞

V

我（关闭）

V

我（上）

R

1

R

1

/R

2

V

CE

= 5V ，我

C

= 100A

V

CE

= 200mV的，我

C

= 10毫安

原理图

集热器

（输出）

集热器

（输出）

R

1

BASE

（输入）

R

2

BASE

（输入）

R

1

R

2

辐射源

（GND）的

辐射源

（GND）的

NPN

.165 (4.2)

最大

.126

(3.2)

最大

.071

(1.8)

.500

(12.7)

最大

PNP

权证B

.050 (1.27)

.050 (1.27)

.035 (0.9)

.102

(2.6)

最大