NTD20N06L ， NTDV20N06L
功率MOSFET
20安培， 60伏
逻辑电平， N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
39 mW@5.0 V
I
D
最大
20 A
（注1 ）
AEC Q101标准
NTDV20N06L
这些器件是无铅和符合RoHS标准
典型应用
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
等级
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
价值
60
60
"15
"20
20
10
60
60
0.40
1.88
1.36
55
to
+175
128
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
1
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.5
80
110
260
° C / W
4
单位
VDC
VDC
VDC
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续
不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 100°C
单脉冲（T
p
v10
女士）
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
20
N6LG
4
漏
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
2
3
1 2 3
门漏源
YWW
20
N6LG
4
1 2
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
I
DM
P
D
3
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，
L = 1.0 mH的，我
L
（PK ）= 16 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的，在1/8的情况下，从10秒
2
1
3
漏
门
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用1焊盘尺寸， （铜面积1.127在FR4板
2
).
2.表面安装使用推荐的焊盘尺寸的FR4板，
在（铜面积0.412
2
).
Y
WW
20N6L
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年10月
第3版
1
出版订单号：
NTD20N06L/D
NTD20N06L ， NTDV20N06L
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
15 VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 10 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 20 ADC）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 10位ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 4.0伏，我
D
= 10 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 20的ADC ，
V
GS
= 5.0伏） （注3）
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 20的ADC ，
V
GS
= 5.0伏，
R
G
= 9.1
W)
（注3）
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
707
224
72
9.6
98
25
62
16.6
5.5
8.5
0.97
0.85
42
30
12
0.066
990
320
105
20
200
50
120
32
1.2
mC
VDC
ns
nC
ns
pF
V
GS （ TH）
1.0
1.6
4.6
39
0.81
0.72
17.5
2.0
48
1.66
VDC
毫伏/°C的
mW
VDC
V
（ BR ） DSS
60
71.3
71.2
1.0
10
±100
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
I
DSS
I
GSS
NADC
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
姆欧
开关特性
（注4 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
订购信息
设备
NTD20N06LG
NTD20N06L1G
NTD20N06LT4G
NTDV20N06LT4G
包
DPAK
（无铅）
DPAK （直引线）
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTD20N06L ， NTDV20N06L
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
2400
2000
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1600
1200
800
400
0
10
5
0
5
10
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
20
25
C
RSS
V
GS
V
DS
15
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
