NTD4810N
热阻最大额定值
参数
路口 - 至 - 案例（漏）
路口 - 至 - TAB （漏）
路口 - 至 - 环境 - 稳态（注1 ）
路口 - 至 - 环境 - 稳态（注2 ）
1.表面 - 安装使用1平方焊盘尺寸， 1盎司铜FR4板。
2.表面 - 安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
θJC
R
θJC - TAB
R
θJA
R
θJA
价值
3.0
3.5
75
117
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极 - 到 - 源极击穿电压
漏极 - 到 - 源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门 - 到 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极 - 到 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10
11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
门 - 到 - 源电荷
门 - 到 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
Ω
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
Ω
11.5
20.7
13.8
3.8
7.2
20.7
21.8
2.6
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 12 V
1165
284
154
9.2
1.3
3.3
4.4
21
nC
1350
330
200
11
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
5.2
8.0
7.8
12
11
9.0
S
15.7
10
2.5
V
毫伏/°C的
mΩ
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
27
1.0
10
100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
20
V
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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2
NTD4810N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极
- 源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.92
0.79
18.2
10.6
7.6
8.8
nC
ns
1.2
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
封装寄生效应值
源极电感
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK
门电感
栅极电阻
2.49
0.0164
1.88
3.46
2.4
nH
Ω
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3
NTD4810N
典型性能曲线
VGS ，门 - TO - 源极电压（伏）
2000
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Q
1
Q
2
I
D
= 30 A
0 V＆ LT ; V
GS
< 11.5 V
T
J
= 25°C
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
Q
T
C，电容（pF ）
1500
C
国际空间站
1000
C
RSS
500
C
OSS
0
10
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213 141516 171819 202122
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
GATE - 要 - 源极或漏极 - 要 - 源极电压（伏）
图7.电容变化
1000
30
IS ，源电流（安培）
图8.栅极 - 源极和漏极 - - 来源
- 到 -
- 到 -
电压与总充电
V
DD
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 11.5 V
V
GS
= 0 V
25
20
15
10
5
0
0.5
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
10
t
r
t
D（上）
t
f
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
， SOURCE - 要 - 漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ，单脉冲Drain - 要 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I D ，漏极电流（ AMPS ）
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 14 A
100
10
ms
100
ms
10
1
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1毫秒
10毫秒
dc
0.1
1
10
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（伏）
100
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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