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1996年5月

NDS8435

单P沟道增强型场效应晶体管

概述

SO- 8 P沟道增强型功率场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这种非常高

密度工艺特别适合于减小导通状态

性，并提供出色的开关性能。

这些装置特别适用于低电压

应用，例如笔记本电脑的电源

管理和其它电池供电的电路，其中

快速开关，低线的功率损耗，以及电阻

需要瞬变。

特点

-7A ， -30V 。

DS （ ON）

= 0.028

@ V

= -10V

DS （ ON）

= 0.045

@ V

= -4.5V.

高密度电池设计极低R

DS （ ON）。

高功率和电流处理能力的一种广泛使用的

表面贴装封装。

___________________________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

= 25 ° C除非另有说明

NDS8435

-30

-20

（注1A ）

单位

-7

-25

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

2.5

1.2

-55到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

1997仙童半导体公司

NDS8435牧师B2

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= -250 A

= -24 V, V

= 0 V

= 55°C

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

= V

, I

= -250 A

= 125°C

= -10 V，I

= -7.0 A

= 125°C

= -4.5 V，I

= -5.8 A

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

通态漏电流

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -15 V,

= -7.0 A，V

= -10 V

= -10 V，I

= -1 A,

根

= -10 V ，R

根

= 6

= -10 V, V

= -5 V

= -4.5, V

= -5 V

= -10 V，I

= -7.0 A

= -15 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

1500

950

370

5.5

120

-25

-10

-1

-0.7

-1.5

-1.1

0.023

0.038

0.037

-30

-1

-10

100

-100

-3

-2.2

0.028

0.06

0.045

基本特征

（注2 ）

开关特性

（注2 ）

NDS8435牧师B2

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

参数

条件

民

典型值

最大

-2.1

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= -2.1 A

（注2 ）

-0.8

-1.2

(

) =

J A

)

(

J·C

)

(

) ×

(

)

典型

使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 50

装在一个1在C / W的时

垫2盎司覆铜。

b. 105

安装在一个0.04 C / W的时

垫2盎司覆铜。

c. 125

安装在一个0.006 C / W的时

垫2盎司覆铜。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

NDS8435牧师B2

典型电气特性

-30

= -10V

，漏源电流（A ）

-25

-6.0 -5.0-4.5

漏源导通电阻

-4.0

= -3.0V

2.5

-20

-3.5

DS （ ON）

归一化

-3.5

-15

-4.0

1.5

-4.5

-5.0

-6.0

-10

-3.0

-5

-2.5

-0.5

-1

-1.5

-2

，漏源电压（V ）

-2.5

-3

0.5

-5

-10

-15

-20

，漏电流（ A）

-25

-30

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化

与漏极电流和栅极电压。

1.6

漏源导通电阻

DS （ ON）

归一化

1.4

= -10V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

=-7.0A

= -10V

1.5

T J = 125°C

1.2

25°C

0.8

-55°C

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.5

-5

-10

-15

-20

，漏电流（ A）

-25

-30

图3.导通电阻变化

与温度。

图4.导通电阻变化

与漏电流和温度。

-20

1.2

125°C

门源阈值电压

= -10V

-16

T = -55°C

1.1

= V

= -250A

，漏电流（ A）

归一化

25°C

-12

0.9

-8

0.8

-4

0.7

-1

-2

-3

-4

-5

，门源电压（ V）

-6

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图5.传输特性。

图6.门阈值变化

与温度。

NDS8435牧师B2

典型电气特性

（续）

1.1

漏源击穿电压

-I

，反向漏电流（ A）

1.08

1.06

1.04

1.02

0.98

0.96

0.94

-50

= -250A

0.5

0.1

= 0V

DSS

归一化

T = 125°C

25°C

-55°C

0.01

-25

100

125

150

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

，结温（ ° C）

-V

，体二极管正向电压（ V）

图7.击穿电压

随温度的变化。

图8.体二极管正向电压的变化

与源电流和

温度。

4000

= -7.0A

-V

，栅源电压（V ）

2000

电容（pF）

= -5.0V

-15V

-10V

国际空间站

OSS

1000

800

500

F = 1 MHz的

300

200

0.1

RSS

= 0V

0.2

0.5

-V

，漏源极电压（ V）

，栅极电荷（ NC）

图9.电容特性。

图10.栅极电荷特性。

-V

关闭

90%

OUT

DUT

D（上）

D（关闭）

90%

OUT

根

10%

90%

10%

50%

PULSE W ID

倒

图11.开关测试电路。

图12.开关波形。

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