异质结型场效应晶体管
NE3514S02
K波段超低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
超低噪声指数和高增益相关
NF = 0.75 dB典型值。 ,G
a
= 10 dB典型值。 @ F = 20 GHz的
微-X塑料( S02 )包
应用
20 GHz的频带DBS LNB
其他K波段通信系统
订购信息
产品型号
NE3514S02-T1C
NE3514S02-T1D
订单号
NE3514S02-T1C-A
NE3514S02-T1D-A
包
S02 (无铅)
QUANTITY
2千件/卷
10千件/卷
记号
D
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚4 (门)朝向侧穿孔
带的
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3514S02
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
记
评级
4
3
I
DSS
100
165
+125
65
+125
单位
V
V
mA
A
mW
°C
°C
T
ch
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PG10593EJ01V0DS (第1版)
发布日期2006年2月CP (N )
NE3514S02
S-参数
S参数/设置在NEC的复合半导体器件的Web站点中的一种形式的噪声参数
( S2P ),使直接导入到微波电路仿真器无需键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
→
[设备参数]
网址http://www.ncsd.necel.com/
4
数据表PG10593EJ01V0DS
NE3514S02
RF量具版面样式(仅供参考) (单位:mm )
2.80
2.60
2.06
0.64
1.7毫米/ R.P 。
2.06
0.74
0.54
2.6
基准面
(校准平面)
1.7
1.7
13.0
基准面
(校准平面)
φ
0.3 TH
L2- UX版本。 1
6.0
RT / DUROID 5880 / ROGERS
T = 0.254毫米
εr
= 2.20
的tanδ = 0.0009 @ 10 GHz的
数据表PG10593EJ01V0DS
5