NSTB1002DXV5T1G,
NSTB1002DXV5T5G
首选设备
双共
基座集电极偏置
电阻晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在NSTB1002DXV5T1G
系列中，两个互补的设备被容纳在SOT -553
封装，非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7英寸的磁带和卷轴
这些无铅器件
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
（PNP）中省略）
价值
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
Q1
40
40
200
Q2
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
1
U9 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
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3
R1
2
R2
1
Q2
Q1
R1
4
5
5
1
SOT553
CASE 463B
标记图
5
U9 MG
G
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
qJA
最大
357 （注1 ）
2.9 （注1 ）
350 （注1 ）
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
订购信息
设备
包
航运
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
500 （注1 ）
4.0 （注1 ）
250 （注1 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
NSTB1002DXV5T1G SOT- 553
4毫米间距
（无铅）， 4000 /磁带&卷轴
NSTB1002DXV5T5G SOT- 553
2毫米间距
（无铅）， 8000 /磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR-4 @最低垫
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 修订版0
出版订单号：
NSTB1002DXV5/D
NSTB1002DXV5T1G ， NSTB1002DXV5T5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
Q1三极管： PNP
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
集电极基极击穿电压
发射-Base击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小-Signal电流增益
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= -5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
Q2三极管： NPN
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0, I
C
= 5.0 mA）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士;
占空比
≤
2.0%.
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
100
500
0.1
NADC
NADC
MADC
(V
CC
= -3.0伏，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= -10 MADC ，我
B1
= -1.0 MADC ）
(V
CC
= -3.0伏，我
C
= -10 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
nF
250
2.0
0.1
100
3.0
4.5
10.0
12
10
400
60
4.0
兆赫
pF
pF
kW
X 10
4
毫姆欧
dB
h
FE
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.65
0.85
0.95
0.25
0.4
VDC
300
VDC
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
40
5.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
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2
NSTB1002DXV5T1G ， NSTB1002DXV5T5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士;
占空比
≤
2.0%.
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
R1/R2
50
50
80
4.9
33
0.8
140
47
1.0
0.25
0.2
61
1.2
VDC
VDC
VDC
kW
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
R
qJA
= 833 ° C / W
50
0
50
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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3
NSTB1002DXV5T1G ， NSTB1002DXV5T5G
典型电气特性 - PNP晶体管
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
2.0
T
J
= +125°C
+25°C
55
°C
V
CE
= 1.0 V
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
20
30
50
70
100
200
图2.直流电流增益
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4
NSTB1002DXV5T1G ， NSTB1002DXV5T5G
典型电气特性 - NPN晶体管
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
10
I
C
/I
B
= 10
的hFE ， DC电流增益
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
1
25°C
75°C
T
A
= 25°C
0.1
100
0.01
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
图4.直流电流增益
1
0.8
OB ，电容（pF ）
F = 1 MHz的
I
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
25°C
T
A
= 25°C
0.6
0.4
1
0.1
0.2
0
0.01
V
O
= 5 V
0
2
4
6
V
in
，输入电压（伏）
8
10
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图5.输出电容
图6.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
10
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图7.输入电压与输出电流
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5
QQ：2881677436 复制
