N2DS25616BT / N2DS25616BF / N2DS25616BS / N2DS25616BG
N2DS25680BT / N2DS25680BF / N2DS25680BS / N2DS25680BG
N2DS25640BT / N2DS25640BF
256MB DDR SDRAM
输入/输出功能描述
符号
CK ， CK
TYPE
输入
功能
时钟：
CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号进行采样
在CK和CK的下降沿的正沿的通道。输出（读出）的数据是参考
转制为CK和CK的交叉（交叉的两个方向） 。
时钟使能：
CKE高激活，并且CKE低停用，内部时钟信号和设备
输入缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电电源关闭和自
刷新操作（所有银行闲置） ，或者主动关机（行活动在任何一家银行） 。 CKE是同步
异步的对断电的入口和出口，以及用于自刷新进入。 CKE是异步的自我
刷新退出。 CKE必须保持在整个读取和写入访问高。输入缓冲器，
不包括CK ， CK和CKE是在断电禁用。输入缓冲器，除CKE ，是
在自刷新无效。该标准引脚包括一个CKE引脚。可选引脚可能
包括在不同的针CKE1 ，除了CKE0 ，便于独立功率降低控制
堆叠设备。
片选：
当CS为高注册的所有命令被屏蔽。 CS提供了外部
在与多家银行系统，银行的选择。 CS被认为是命令代码的一部分。该
标准引脚包括一个CS引脚。可选的管脚可能包括CS1上的不同销，在
除了CS0，以允许在堆叠装置上或下层的选择。
输入命令：
RAS ， CAS和WE （连同CS ）被定义输入的命令。
输入数据掩码：
DM为输入掩码信号为写入数据。当DM是输入数据被屏蔽
在写访问的高采样暗合了输入数据。 DM进行采样两边
的DQS 。虽然DM引脚的输入而已， DM负载相匹配的DQ和DQS装载。能很好地协同
荷兰国际集团一读， DM可驱动高，低或浮动。
银行地址输入：
BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或预充电
命令被应用。 BA0和BA1还确定了模式寄存器和扩展模式
注册是在一个MRS或EMRS周期进行访问。
地址输入：
提供行地址为有效命令，并且列地址和
自动预充电位为读/写命令，以便在选择一个位置从存储器阵列的
各银行。一个预充电命令中的A10进行采样，以确定是否预
收费适用于一家银行（ A10低）或所有银行（ A10高点） 。如果只有一个存储体是被预充电，
该行被选中BA0 ， BA1 。地址输入时也一个模式提供了操作码
寄存器设置命令。
数据输入/输出：
数据总线。
数据选通：
输出读取数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，中心
在写入数据。用于捕获写数据。对于x16的， LDQS对应于DQ0-数据
DQ7 ; UDQS对应于DQ8 - DQ15数据
无连接：
无内部电气连接是否存在。
电连接是否存在。不应在组装第二级连接。
供应
供应
供应
供应
供应
DQ电源：
2.6V
±
0.1V.
DQ地面
电源：
2.6V
±
0.1V.
地
SSTL_2参考电压：
(V
DDQ
/ 2)
±
1%.
CKE ， CKE0 ， CKE1
输入
CS ， CS0 ， CS1
RAS ， CAS ， WE
DM
输入
输入
输入
BA0 ， BA1
输入
A0 - A12
输入
DQ
DQS ， LDQS ， UDQS
NC
NU
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
V
SS
V
REF
输入/输出
输入/输出
1.4版
10/2003
5
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