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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第105页 > NSBC123JPDXV6T1G
NSBC114EPDXV6T1G,
NSVBC114EPDXV6T1G系列
双偏置电阻
晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统(偏置电阻晶体管)包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在NSBC114EPDXV6T1
系列中,两个互补的BRT装置被收容在SOT -563
封装,非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
SOT563
CASE 463A
塑料
(3)
R
1
Q
1
R
2
(4)
(2)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米, 7英寸的磁带和卷轴
AEC - Q101标准,并有能力PPAP
NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求
这些无铅器件*
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
(PNP)中省略)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
标记图
XX MG
G
XX =具体设备守则
(见表2页)
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
NSBC114EPDXV6T1G
SOT563
NSBC114EPDXV6T5G
SOT563
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
2012年1月
启示录7
1
出版订单号:
NSBC114EPDXV6/D
NSBC114EPDXV6T1G , NSVBC114EPDXV6T1G系列
热特性
特点(一路口加热)
器件总功耗
T
A
= 25 ° C(注1 )
减免上述25° C(注1 )
热阻(注1 )
结到环境
特性(两个路口加热)
器件总功耗
T
A
= 25 ° C(注1 )
减免上述25° C(注1 )
热阻(注1 )
结到环境
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
符号
P
D
最大
357
2.9
350
最大
500
4.0
250
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
器件标识和电阻值
设备
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G
NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G
NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G (注2)
NSBC143TPDXV6T1G (注2)
NSVB143TPDXV6T1G (注2)
NSBC113EPDXV6T1G (注2)
NSBC123EPDXV6T1G (注2)
NSBC143EPDXV6T1G (注2)
NSBC143ZPDXV6T1G (注2)
NSVB143ZPDXV6T1G (注2)
NSBC124XPDXV6T1G (注2)
NSVB124XPDXV6T1G (注2)
NSBC123JPDXV6T1G (注2)
NSVB123JPDXV6T1G (注2)
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
记号
11
12
13
13
14
14
15
16
16
30
31
32
33
33
34
34
35
35
R 1 ( kW)的
10
22
47
47
10
10
10
4.7
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
R 2 (千瓦)
10
22
47
47
47
47
1.0
2.2
4.7
47
47
47
47
47
47
http://onsemi.com
2
NSBC114EPDXV6T1G , NSVBC114EPDXV6T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
(PNP)中省略)
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G , NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G , NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G , NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G , NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G , NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G , NSVB123JPDXV6T1G
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注3 )
(I
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
基本特征
(注3)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G , NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G , NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G , NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G , NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G , NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G , NSVB123JPDXV6T1G
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G , NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G , NSVBC114YDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G , NSVB143TPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G , NSVB123JPDXV6T1G
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G , NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G , NSVB124XPDXV6T1G
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
V
CE ( SAT )
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
50
50
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
VDC
VDC
100
500
NADC
NADC
MADC
符号
典型值
最大
单位
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
女士,
占空比< 2.0 %
http://onsemi.com
3
NSBC114EPDXV6T1G , NSVBC114EPDXV6T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
(PNP)中省略)
特征
基本特征
(注3)
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G , NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G , NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G , NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G , NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G , NSVB123JPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
NSBC144EPDXV6T1G , NSVB144EPDXV6T1G
输出电压(关)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G , NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G , NSVBC114YDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G , NSVB143TPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G , NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G , NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G , NSVB123JPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ,R
L
= 1.0千瓦)
NSBC113EPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ,R
L
= 1.0千瓦)
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
输入电阻
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G , NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G , NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G , NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G , NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G , NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G , NSVB123JPDXV6T1G
电阻率
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G , NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G , NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G , NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G , NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G , NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G , NSVB123JPDXV6T1G
V
OL
V
OH
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.8
0.8
0.17
0.8
0.8
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
1.0
1.0
0.21
1.0
1.0
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
1.2
1.2
0.25
1.2
1.2
1.2
0.185
0.56
0.056
k
W
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
VDC
符号
典型值
最大
单位
R1/R2
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
女士,
占空比< 2.0 %
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4
NSBC114EPDXV6T1G , NSVBC114EPDXV6T1G系列
300
P
D
,功耗(毫瓦)
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 490 ° C / W
0
50
100
T
A
,环境温度( ° C)
150
图1.降额曲线
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5
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NSBC123JPDXV6T1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004205445 复制

电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
NSBC123JPDXV6T1G
onsemi
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
NSBC123JPDXV6T1G
ON
2425+
11280
SOT-563
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NSBC123JPDXV6T1G
onsemi
24+
10000
SOT-563
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NSBC123JPDXV6T1G
ON/安森美
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NSBC123JPDXV6T1G
onsemi
24+
14502
SOT-563
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
NSBC123JPDXV6T1G
ON
22+
1443000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316406779 复制
电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
NSBC123JPDXV6T1G
ON/安森美
22+
18260
NA
原装代理现货,价格最优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97671959 复制

电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
NSBC123JPDXV6T1G
ON
24+
6675
SOT-563
4¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:4元
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:358410056 复制
电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
NSBC123JPDXV6T1G
ONS
13+
4000
标准封装
全新原装热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NSBC123JPDXV6T1G
ON/安森美
24+
22000
NA
原装正品假一赔百!
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