NTP35N15
首选设备
功率MOSFET
37安培， 150伏
N沟道TO- 220
特点
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
较高的雪崩能量
I
DSS
和R
DS （ ON）
指定高温
典型应用
http://onsemi.com
PWM电机控制
电源
转换器
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至源极电压（R
GS
= 1.0 M)
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
25°C
- 连续@ T
A
100°C
- 脉冲（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单漏 - 源雪崩能量 -
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 100伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
（ PK ） = 21.6 A，L = 3.0 mH的，R
G
= 25
)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
150
150
"20
"40
ADC
37
23
111
178
1.43
-55
+150
700
W
W / ℃，
°C
mJ
1
° C / W
R
θJC
R
θJA
T
L
0.7
62.5
260
°C
单位
VDC
VDC
VDC
37安培
150伏
50毫欧@ V
GS
= 10 V
N沟道
D
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
TO220AB
CASE 221A
风格5
NTP35N15
LLYWW
3
来源
2
漏
1
门
2
3
1.脉冲测试：脉冲宽度= 10
s,
占空比= 2 ％ 。
NTP35N15
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP35N15
包
TO220AB
航运
50单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
NTP35N15/D
NTP35N15
70
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
60
50
40
30
20
10
V
GS
= 4 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
10
0
2
V
GS
= 6 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 9 V
V
GS
= 5.5 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
V
GS
= 5 V
T
J
= 25°C
70
V
DS
≥
10 V
60
50
40
30
20
10
T
J
= 100°C
T
J
= 55°C
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
7
T
J
= 25°C
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.1
V
DS
= 10 V
0.08
T
J
= 100°C
0.06
0.055
T
J
= 25°C
0.05
V
GS
= 10 V
0.45
0.04
T
J
= 25°C
0.40
V
GS
= 15 V
0.02
T
J
= 55°C
0
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
60
70
0.35
0.03
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
60
70
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2.5
2.25
2.0
1.75
1.5
1.25
1.0
0.75
0.5
0.25
0
50
I
D
= 18.5 A
V
GS
= 10 V
10,000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
100
T
J
= 100°C
25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
150
10
30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTP35N15
功率MOSFET开关
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
对应于关断状态的条件时的电压
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
由如何快速FET输入电容可确定
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
从发电机通过电流进行充电。
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
已发布的电容数据是难以用于
源引，内包装，在电路布线
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
变化很大随施加电压。因此，门
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
是漏极电流的函数，在数学溶液
驱动电路，使得基本的分析
复杂的。 MOSFET的输出电容也
T = Q / I
G（ AV ）
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
在上升和下降时间间隔切换时，
所述驱动源的电阻，但内阻
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
难以测量，因此，没有被指定。
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
电阻开关时间变化与门
时间可近似由下：
电阻（图9）显示了如何典型开关
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
性能由寄生电路元件的影响。如果
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
哪里
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
在漏极和栅极电路环路共同电感和
R
G
=栅极驱动电阻
被认为是很容易达到的板装
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
近似的最佳冷落感性负载。动力
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
然而，不压井作业减少了开关损耗。
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
6000
5000
C，电容（pF ）
4000
3000
2000
1000
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
0
10
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTP35N15
首选设备
功率MOSFET
37安培， 150伏
N沟道TO- 220
特点
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
较高的雪崩能量
I
DSS
和R
DS （ ON）
指定高温
典型应用
http://onsemi.com
PWM电机控制
电源
转换器
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至源极电压（R
GS
= 1.0 M)
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
25°C
- 连续@ T
A
100°C
- 脉冲（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单漏 - 源雪崩能量 -
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 100伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
（ PK ） = 21.6 A，L = 3.0 mH的，R
G
= 25
)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
150
150
"20
"40
ADC
37
23
111
178
1.43
-55
+150
700
W
W / ℃，
°C
mJ
1
° C / W
R
θJC
R
θJA
T
L
0.7
62.5
260
°C
单位
VDC
VDC
VDC
37安培
150伏
50毫欧@ V
GS
= 10 V
N沟道
D
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
TO220AB
CASE 221A
风格5
NTP35N15
LLYWW
3
来源
2
漏
1
门
2
3
1.脉冲测试：脉冲宽度= 10
s,
占空比= 2 ％ 。
NTP35N15
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP35N15
包
TO220AB
航运
50单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
NTP35N15/D
NTP35N15
70
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
60
50
40
30
20
10
V
GS
= 4 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
10
0
2
V
GS
= 6 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 9 V
V
GS
= 5.5 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
V
GS
= 5 V
T
J
= 25°C
70
V
DS
≥
10 V
60
50
40
30
20
10
T
J
= 100°C
T
J
= 55°C
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
7
T
J
= 25°C
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.1
V
DS
= 10 V
0.08
T
J
= 100°C
0.06
0.055
T
J
= 25°C
0.05
V
GS
= 10 V
0.45
0.04
T
J
= 25°C
0.40
V
GS
= 15 V
0.02
T
J
= 55°C
0
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
60
70
0.35
0.03
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
60
70
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2.5
2.25
2.0
1.75
1.5
1.25
1.0
0.75
0.5
0.25
0
50
I
D
= 18.5 A
V
GS
= 10 V
10,000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
100
T
J
= 100°C
25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
150
10
30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTP35N15
功率MOSFET开关
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
对应于关断状态的条件时的电压
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
由如何快速FET输入电容可确定
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
从发电机通过电流进行充电。
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
已发布的电容数据是难以用于
源引，内包装，在电路布线
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
变化很大随施加电压。因此，门
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
是漏极电流的函数，在数学溶液
驱动电路，使得基本的分析
复杂的。 MOSFET的输出电容也
T = Q / I
G（ AV ）
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
在上升和下降时间间隔切换时，
所述驱动源的电阻，但内阻
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
难以测量，因此，没有被指定。
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
电阻开关时间变化与门
时间可近似由下：
电阻（图9）显示了如何典型开关
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
性能由寄生电路元件的影响。如果
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
哪里
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
在漏极和栅极电路环路共同电感和
R
G
=栅极驱动电阻
被认为是很容易达到的板装
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
近似的最佳冷落感性负载。动力
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
然而，不压井作业减少了开关损耗。
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
6000
5000
C，电容（pF ）
4000
3000
2000
1000
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
0
10
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
QQ：2881677436 复制
