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NTHD2102P

功率MOSFET

-8.0 V， -4.6的双P沟道ChipFETt

特点

提供了Ultra低R

DS （ ON）

在ChipFET包装解决方案

微型ChipFET包装小40 ％，体积比TSOP - 6

使其成为一个理想的设备的应用程序的电路板空间是一个

额外费用

薄型（ <1.1毫米）使其能够方便地融入极薄

环境，如便携式电子产品

旨在提供低R

DS （ ON）

在栅极电压低至1.8 V时，

用在许多逻辑IC便携式电子产品的工作电压

简化了电路设计，因为附加升压电路的门

电压不需要

工作在标准逻辑电平栅极驱动，有利于未来

使用相同的基本拓扑结构迁移到较低的水平

无铅包装是否可用

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（ BR ） DSS

DS （ ON）

典型值

50毫瓦@ -4.5 V

8.0 V

68毫瓦@ -2.5 V

100毫瓦@ -1.8 V

4.6 A

最大

应用

优化电池和负载管理的应用

便携式设备，如MP3播放器，手机，数码

相机，个人数字助理和其他便携式应用

充电控制电池充电器

降压和升压转换器

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流 - 连续

- 5秒

总功耗

连续@ T

= 25°C

（5秒） @ T

= 25°C

连续@ 85°C

（ 5秒） @ 85°C

工作结温和存储温度

范围

连续源电流

（二极管传导）

热阻（注1 ）

结到环境， 5秒

结到环境，连续

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

DSS

1.1

2.1

0.6

1.1

, T

英镑

-55

+150

1.1

°C

° C / W

qJA

113

260

°C

价值

8.0

"8.0

3.4

4.6

单位

P沟道MOSFET

ChipFET

CASE 1206A

方式2

针

连接

1 S

2 G

3 S

4 G

记号

图

航运

3000 /磁带&卷轴

D5 =具体设备守则

M =月守则

订购信息

设备

NTHD2102PT1

NTHD2102PT1G

包

ChipFET

（无铅）

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方

[ 1盎司]包括痕迹）。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年12月 - 第4版

出版订单号：

NTHD2102P/D

NTHD2102P

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注2 ）

温度系数（正）

门体漏电流零

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

GSS

DSS

= 0 V，I

= 250

= 0 V, V

"8.0

= 6.4 V, V

= 0 V

= 6.4 V, V

= 0 V,

= 85°C

= V

, I

= 250

= -4.5 V，I

= 3.4 A

= -2.5 V，I

= 2.7 A

= -1.8 V，I

= 1.0 A

= -5.0 V，I

= 3.4 A

= -1.1 A，V

= 0 V

8.0

"100

1.0

5.0

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

静态漏 - 源极导通电阻

GS （ TH）

DS （ ON）

0.45

100

8.0

0.8

1.5

160

1.2

正向跨导

二极管的正向电压

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注3

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

国际空间站

OSS

RSS

= 6.4 V

= 0 V

F = 1.0 MHz的

715

160

120

D（上）

D（关闭）

= 6.4 V

= 4.5 V

= 3.2 A

= 2.0

= 2.5 V

= 3.2 A

= 6.4 V

= -0.9 A， di / dt的= 100

8.0

2.2

4.0

源漏反向恢复时间

2.脉冲测试：脉冲宽度= 250

女士，

占空比= 2 ％。

3.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTHD2102P

典型电气特性

-2.4直通-8 V

-ID ，漏电流（ A）

2 V

1.8 V

-ID ，漏电流（ A）

= 25°C

= 100°C

25°C

1.6 V

1.4 V

55°C

3.0

，漏极至源极电压（ V）

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

0.30

R DS（ON ），导通电阻（

)

0.25

= 1.8 V

0.20

0.15

0.10

0.05

= 4.5 V

，漏电流（ A）

0.8

= 2.5 V

R DS（ON ），导通电阻（

)

（归一化）

1.2

图2.传输特性

= 4.5 V

1.1

1.0

0.9

100

，结温（ ° C）

125

150

图3.导通电阻与漏电流和

栅极电压

10000

= 0 V

-IDSS ，漏电（ NA）

C，电容（pF ）

1000

125°C

1500

1200

900

600

300

，漏极至源极电压（ V）

1800

图4.导通电阻变化对比

温度

= 25°C

国际空间站

100

= 100°C

RSS

国际空间站

OSS

RSS

，漏极至源极电压（ V）

图5.漏 - 源极漏电流

与电压

图6.电容变化

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NTHD2102P

典型电气特性

-V栅 - 源极电压（ V）

GS ，

-VDS ，漏极至源极电压（V ）

1000

= 10 V

= 1 A

= 4.5 V

100

T， TIME （ NS ）

D（关闭）

D（上）

= 25°C

= 3.4 A

总栅极电荷（ NC）

，栅极电阻（欧姆）

100

图7.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

= 0 V

= 25°C

-I S，源电流（ A）

功率（W）的

图8.电阻开关时间变化

与栅极电阻

0.40

0.50

0.60

0.70

0.80

0.90

，源极到漏极电压（V ）

1.00

104

103

102

10 1

时间（秒）

100

600

图9.二极管的正向电压与电流

图10.单脉冲电源

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NTHD2102P

典型电气特性

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

注意事项：

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

103

102

10 1

方波脉冲持续时间（秒）

PDM

1.占空比D = T

2.每单位基础= R

qJA

= 90C / W

3. T

JM -

= P

qJA

(t)

4.表层嵌

100

600

0.01

104

图11.归瞬态热阻抗，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.01

104

103

102

10 1

方波脉冲持续时间（秒）

图12.归瞬态热阻抗，结到脚

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