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NLAS9431
低压单电源
双路DPDT模拟开关
该NLAS9431是一种先进的双独立双CMOS
制造与硅极双掷(DPDT)模拟开关
栅CMOS技术。它实现了高速传输延迟
和低导通电阻,同时保持CMOS低功率
耗散。这DPDT控制的模拟和数字电压,这可能
在整个电源范围内变化(从V
CC
到GND) 。
该设备已被设计成使得导通电阻(R
ON
)是多
在输入电压高于R组低,更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
通道选择输入与标准CMOS输出兼容。
通道选择输入结构时提供保护
0 V至5.5 V之间的电压被施加,无论供应
电压。这种投入结构有助于防止设备损坏造成的
由电源电压 - 输入/输出电压失配,电池备份,
热插入等。
该NLAS9431也可以用来作为一个四2选1 multiplexer-
有两个选择引脚,每个控制信号分离器模拟开关
2复用器,解复用器。
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记号
图表
1
WQFN16
CASE 488AP
BA
M
G
=具体设备守则
=日期代码&大会地点
=无铅器件
直接连接电池
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗:我
CC
= 2
mA
(最大)在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
芯片的复杂性: 158场效应管
16引脚WQFN封装,1.8毫米× 2.6毫米
这是一个Pb - Free设备
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年1月 - 修订版0
出版订单号:
NLAS9431/D
16
BA M
G
NLAS9431
功能表
选择AB或CD
L
H
在海峡
NC到COM
NO对COM
0
1
2
一个COM
0/1
COM B
选择CD
2/3
X1
3
0
1
2
COM
0/1
COM
2/3
3
图1.逻辑图
图2. IEC逻辑符号
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2
U
U
U
U
U
U
U
U
选择AB
X1
没有A
0
NC中的
1
没有B
0
NC B
1
没有C
0
NC
1
没有D
0
NC
1
U
U
U
U
NLAS9431
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
MSL
F
R
I
LATCH -UP
q
JA
正直流电源电压
模拟输入电压(V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流,流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
湿气敏感度
可燃性等级
闭锁性能
热阻
氧指数: 30 % - 35 %
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注1 )
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$50
800
*65
to
)150
260
+150
LEVEL 1
UL 94 -V0 (0.125英寸)
$300
80
mA
° C / W
V
mA
mW
°C
°C
°C
单位
V
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压( NC , NO , COM )
工作温度范围
输入信号上升和下降时间,选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
2.0
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
归一化故障率
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 %接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间,岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
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3
NLAS9431
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压,输入选择
条件
V
CC
2.0
2.5
3.0
4.5
5.5
2.0
2.5
3.0
4.5
5.5
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
5.5
0
5.5
*555C
255℃
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$0.2
$10
4.0
t855C
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$2.0
$10
4.0
t1255C
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$2.0
$10
8.0
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压,输入选择
V
I
IN
I
关闭
I
CC
最大输入漏
当前
关闭电源泄漏电流,
选择输入
最大静态电源
当前
mA
mA
mA
DC电气特性 - 模拟部分
保证限额
符号
R
ON
参数
最大“开”电阻
(图17 - 23 )
条件
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
10.0毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
IN
I
v
10.0毫安
V
IS
= 1 V, 2 V, 3.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 1.0 V
COM
4.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
1.0 V或4.5 V与V
NC
漂浮或
V
NO
1.0 V或4.5 V与V
NO
漂浮的
V
COM
= 1.0 V或4.5 V
V
CC
2.5
3.0
4.5
5.5
4.5
*555C
255℃
85
45
30
25
4
t855C
95
50
35
30
4
t1255C
105
55
40
35
5
单位
W
R
平(ON)的
导通电阻平坦度
(图17 - 23 )
W
I
NC (关闭)
I
否(关)
I
COM(上)
NO或NC关闭泄漏
电流(图9)
COM泄漏电流
(图9 )
5.5
5.5
1
1
10
10
100
100
nA
nA
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4
NLAS9431
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒)
保证最高限额
V
CC
(V)
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
V
IS
(V)
2.0
2.0
3.0
3.0
2.0
2.0
3.0
3.0
2.0
2.0
3.0
3.0
*555C
255℃
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
典型*
23
16
11
9
7
5
4
3
12
11
6
5
最大
35
24
16
14
12
10
6
5
t855C
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
38
27
19
17
15
13
9
8
t1255C
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
41
30
22
20
18
16
12
11
单位
ns
符号
t
ON
参数
开启时间
(图12和13)的
测试条件
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图5和6)
t
关闭
关断时间
(图12和13)的
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图5和6)
ns
t
BBM
最小中断前先
时间
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图4)
ns
典型@ 25 ,V
CC
= 5.0 V
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
(上)
最大输入电容,输入选择
模拟量I / O (关闭)
通用I / O (关闭)
馈通(开关)
8
10
10
20
pF
*典型特性是在25 ℃。
额外的应用特性
(电压参考GND除非另有说明)
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB
带宽或最小频率
响应(图11)
最大穿心损耗
条件
V
IS
=
0 dBm的
V
IS
V之间居中
CC
和GND
(图7)
V
IS
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IS
V之间居中
CC
和GND
(图7)
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS
V
IS
V之间居中
CC
和GND
(图7)
V
IS =
V
CC到
GND ,女
IN
= 20千赫
t
r
= t
f
= 3纳秒
R
IS
= 0
W,
C
L
= 1000 pF的
Q = C
L
*
DV
OUT
(图8)
F
IN
= 20赫兹至100千赫兹,R
L
= RGEN = 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS
V
IS
V之间居中
CC
和GND
(图7)
V
CC
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
5.5
典型
255C
145
170
175
3
3
3
93
93
93
1.5
3.0
单位
兆赫
V
ONL
dB
V
ISO
关通道隔离(图10 )
dB
Q
电荷注入选择输入到
通用I / O (图15 )
pC
THD
VCT
总谐波失真THD +
噪声(图14)
通道到通道的串扰
%
5.5
5.5
3.0
0.1
dB
90
90
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NLAS9431MTR2G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
NLAS9431MTR2G
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16800
SCP0000001
绝对全新原装/自己库存现货
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
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