NLAS7222B , NLAS7222C
高速USB 2.0
( 480 Mbps)的双刀双掷开关
安森美半导体的NLAS7222B和NLAS7222C的一部分
系列模拟开关电路的正在使用中产生的公司
先进的亚微米CMOS技术,实现了业界领先
性能。
无论是NLAS7222B和NLAS7222C是2 1端口模拟
开关。它们的宽带宽和低比特到比特歪斜允许它们
通过以良好的信号完整性的高速差分信号。每
开关是双向的,并且提供的很少或没有衰减
高速信号的输出。行业领先的优势
包括小于250 ps的传播延迟,从它的低所得
沟道电阻和低I / O电容。其高
通道至通道串扰抑制导致噪音极小
干扰。它们的带宽足够宽,能够通过高速
USB 2.0的差信号( 480 Mb / s的) 。
特点
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记号
图
UQFN-10
CASE 488AT
1
XX
=
XX M
G
G
R
ON
通常是8.0
W
在V
CC
= 3.3 V
低比特对位偏斜:通常50 PS
低串扰: -30分贝@ 250兆赫
低电流消耗: 1.0
mA
近零传播延迟: 250 ps的
通道导通电容: 8.0 pF的(典型)
V
CC
经营范围: 1.65 V至4.5 V
> 700 MHz带宽(或数据频)
这些无铅器件
器件代码
XX = 2A或Y
M
=日期代码
G
=无铅器件
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
典型应用
差分信号数据路由
USB 2.0信号路由
重要信息
连续额定电流流经各开关
±50
mA
8千伏I / O至GND ESD保护
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年8月 - 第1版
出版订单号:
NLAS7222B/D
NLAS7222B , NLAS7222C
HSD1-
7
HSD2-
6
HSD1+
7
HSD1-
6
OE
V
CC
8
5
D-
GND
OE
V
CC
8
5
HSD2+
HSD2-
9
控制
4
9
4
控制
S
10
3
D+
S
10
3
GND
1
2
1
2
HSD1+
HSD2+
D+
D-
图1.引脚连接和逻辑图
( NLAS7222B ,顶视图)
表1.引脚说明
针
S
OE
HSD1 + , HSD1- , HSD2 + ,
HSD2- , D +,D-
功能
选择输入
OUTPUT ENABLE
数据端口
图2.引脚连接和逻辑图
( NLAS7222C ,顶视图)
表2.真值表
OE
1
0
0
S
X
0
1
HSD1+,
HSD1-
关闭
ON
关闭
HSD2+,
HSD2-
关闭
关闭
ON
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
引脚
V
CC
HSD1 + , HSD1-
HSD2 + , HSD2-
D+, D-
V
IN
I
CC
T
S
I
IS_CON
HSD1 + , HSD1-
HSD2 + , HSD2- ,
D+, D-
HSD1 + , HSD1-
HSD2 + , HSD2- ,
D+, D-
OE
OE
V
CC
控制输入电压
正DC电源电流
储存温度
模拟信号连续电流闭开关
参数
正直流电源电压
模拟信号电压
价值
-0.5到+5.5
-0.5到V
CC
+ 0.3
-0.5到+5.5
-0.5到+5.5
50
-65到+150
$300
V
mA
°C
mA
单位
V
V
I
IS_PK
模拟信号连续电流占空比为10%
$500
mA
I
IN
控制输入电流
$20
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
HSD1 + , HSD1-
HSD2 + , HSD2-
D+, D-
V
IN
T
A
OE
数字选择输入电压
工作温度范围
引脚
参数
正直流电源电压
模拟信号电压
民
1.65
GND
GND
GND
-
40
最大
4.5
V
CC
4.5
V
CC
+85
V
°C
单位
V
V
最大值和最小值,通过跨推荐工作条件,在试验或设计保证
适用的。典型值列于仅引导和基于列出的部分中,在适用情况下的具体条件。
这些条件下是有效的,在特性表中,除非在试验条件另有规定发现的所有值。
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