NTE133

N沟道JFET硅晶体管

通用AF放大器

绝对最大额定值：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

漏源电压，V

DS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

漏极 - 栅极电压，V

DG

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

栅源电压，V

GS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25V

栅极电流，我

G

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安

器件总功耗（T

A

= + 25°C ） ，磷

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为2mW / ℃，

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

（从案例10秒焊接过程中， 1/16“ ） ，T焊接温度

L

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

栅源击穿电压

门反向电流

符号

测试条件

民

–25

–

–

–

–0.4

0.5

1000

典型值

–

–

–

–

–

–

–

最大

–

–1

–1

–6.5

–6.0

15

7500

单位

V

nA

A

V

V

mA

μmho

V

（ BR ） GSS

I

G

= 1μA ，V

DS

= 0

I

GSS

V

GS （ OFF ）

V

GS

I

DSS

|y

fs

|

V

GS

= 20V, V

DS

= 0

V

GS

= 20V, V

DS

= 0, T

A

= +150°C

门源截止电压

栅源电压

零栅极电压漏电流

正向转移导纳

I

D

= 1μA ，V

DS

= 15V

I

D

= 50μA ，V

DS

= 15V

V

DS

= 15V, V

GS

= 0

V

DS

= 15V, V

GS

= 0中，f = 1kHz的