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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第81页 > NCV2002SN2T1
NCS2002 , NCV2002
子一伏轨至轨
与运算放大器
启用功能
该NCS2002是业界第一子一伏运算放大器
,具有轨到轨共模输入电压范围,以及
具有轨至轨输出驱动能力。此放大器有保证
要充分发挥作用下降到0.9 V,提供了一个理想的解决方案
从单个细胞镍镉( NiCd)电池或供电的应用
镍金属氢化物(镍氢)电池。其他功能还包括无
输出相位反转与输入过载,镶着输入失调
0.5毫伏, 40 pA的极低的输入偏置电流和电压
1.1兆赫在5.0 V单位增益带宽
该NCS2002还具有高电平有效使能引脚允许外部
关闭该装置的。在待机模式时,电源电流是
通常1.9
mA
在由于其体积小的1.0 V.并启用功能,
该放大器代表的小型便携式的理想解决方案
电子应用。该NCS2002是在节省空间可用
SOT23-6 ( TSOP - 6 )封装了两个行业标准引脚排列。
特点
http://onsemi.com
记号
65
4
12
x
3
TSOP
SN后缀
CASE 318G
6
AAxYW
1
= P为NCS2002SN1T1
Q为NCS2002SN2T1
AA =大会地点
Y
=年
W =工作周
引脚连接
V
OUT
V
CC
非反相
输入
1
2
3
+
4
6
5
V
EE
启用
反相
输入
0.9 V操作保证
待机模式:我
D
= 1.9
mA
在1.0 V,典型
轨至轨共模输入电压范围
轨至轨输出驱动能力
无输出相位反转过驱动输入信号
0.5毫伏修剪输入失调
10 pA的输入偏置电流
1.1 MHz的单位增益带宽为
$2.5
V, 1.0 MHz的时
$0.5
V
微小的SOT23-6 ( TSOP - 6 )包装
单节镍镉/镍氢电池供电应用
移动电话
寻呼机
个人数字助理
电子游戏
数码相机
摄像机
手持仪器
轨至轨输入
轨至轨输出
风格1引脚( SN1T1 )
V
OUT
V
EE
非反相
输入
1
2
3
+
4
6
5
V
CC
启用
反相
输入
典型应用
风格2引脚( SN2T1 )
订购信息
设备
NCS2002SN1T1
NCS2002SN2T1
NCV2002SN1T1*
NCV2002SN2T1*
TSOP
TSOP
TSOP
TSOP
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
0.8 V
to
7.0 V
+
* NCV2002 :T已
= -40 ° C,T
= +125°C.
通过设计保证。 NCV前缀是用于汽车
和其他应用程序需要的网站和变化
控制权。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
该器件包含81有源晶体管。
图1.典型应用
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年1月 - 第2版
出版订单号:
NCS2002/D
NCS2002 , NCV2002
最大额定值
等级
电源电压(V
CC
到V
EE
)
输入差分电压范围(注1 )
输入共模电压范围(注1 )
输出短路持续时间(注2 )
结温
功耗和热特性
SOT23-6封装
热阻,结点到空气
功率耗散@ T
A
= 70°C
工作环境温度范围
NCS2002
NCV2002 (注3)
存储温度范围
ESD保护,在任何引脚人体模型(注4 )
符号
V
S
V
IDR
V
ICR
t
Sc
T
J
价值
7.0
V
EE
- 300 mV到7.0 V
V
EE
- 300 mV到7.0 V
不定
150
单位
V
V
V
美国证券交易委员会
°C
R
qJA
P
D
T
A
235
340
-40至105
-40至125
° C / W
mW
°C
T
英镑
V
ESD
-65到150
2000
°C
V
1.任一个或两个输入端不应该超过V的范围
EE
- 300 mV至V
EE
+ 7.0 V.
2.最大功率极限,必须遵守,以确保最高结温度不超标。
T
J
T
A
+ (P
D
R
qJA
)
3. NCV前缀是对于需要现场和变更控制汽车和其他应用程序。
4. ESD数据可根据要求提供。
DC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
输入失调电压
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
= T
给T
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
= T
给T
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
= T
给T
输入失调电压温度系数(R
S
= 50)
T
A
= T
给T
输入偏置电流(V
CC
= 1.0 V至5.0 V )
输入共模电压范围
大信号电压增益
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
R
L
= 10 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
R
L
= 10 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
R
L
= 10 k
输出电压摆幅,高输出状态(V
ID
= + 0.5 V)
T
A
= T
给T
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
符号
V
IO
6.0
8.5
9.5
6.0
7.0
7.5
6.0
7.5
7.5
DV
IO
/
DT
I
IB
V
ICR
A
VOL
10
V
OH
0.40
0.35
1.45
1.40
2.45
2.40
0.442
0.409
1.494
1.473
2.493
2.469
40
40
40
V
0.5
0.5
0.5
8.0
10
V
EE
到V
CC
6.0
8.5
9.5
6.0
7.0
7.5
6.0
7.5
7.5
毫伏/°C的
pA
V
千伏/ V
典型值
最大
单位
mV
http://onsemi.com
2
NCS2002 , NCV2002
DC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
输出电压摆幅,低状态输出(V
ID
= 0.5 V)
T
A
= T
给T
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
共模抑制比(V
in
= 0 5.0 V)的
T
A
= T
给T
电源抑制比(V
CC
= 0.5 V至2.5 V ,V
EE
= 2.5 V)
T
A
= T
给T
输出短路电流
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V, V
ID
=
$0.4
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V, V
ID
=
$0.5
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V, V
ID
=
$0.5
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
电源电流(每放大器,V
O
= 0 V)
T
A
= T
给T
V
CC
= 0.5 V到V
EE
= 0.5 V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
V
CC
= 1.5 V到V
EE
= 1.5 V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
V
CC
= 2.5 V到V
EE
= 2.5 V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
使能输入阈值电压(V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V)
操作
使能输入电流(V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0)
启用= 5.0 V
启用= GND
符号
V
OL
CMRR
PSRR
I
SC
0.5
25
65
I
D
V
日( EN )
1.7 V + V
EE
I
启用
1.1
1.1
2.0
2.0
2.7 V + V
EE
1.9
2.8 V + V
EE
mA
480
1.5
720
2.2
820
2.5
600
3.0
900
5.0
1000
5.0
V
1.0
3.0
32
58
86
128
2.0
45
100
mA
60
60
0.446
0.432
1.497
1.484
2.496
2.481
82
85
0.40
0.35
1.45
1.40
2.45
2.40
dB
dB
mA
典型值
最大
单位
V
http://onsemi.com
3
NCS2002 , NCV2002
AC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
差分输入电阻(V
CM
= 0 V)
差分输入电容(V
CM
= 0 V)
等效输入噪声电压( F = 1.0千赫)
增益带宽积( F = 100千赫)
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
增益裕度(R
L
= 10 K,C
L
= 5.0 PF )
相位裕度(R
L
= 10 K,C
L
= 5.0 PF )
功率带宽(V
O
= 4.0 Vpp的,R
L
= 2.0 K, THD = 1.0 % ,A
V
= 1.0)
总谐波失真(V
O
= 4.0 Vpp的,R
L
= 2.0 K,A
V
= 1.0)
F = 1.0千赫
F = 10千赫
压摆率(V
S
=
$2.5
V, V
O
= -2.0 V至2.0 V ,R
L
= 2.0 K,A
V
= 1.0)
正斜率
负斜率
时间延迟器件的导通(R
L
= 10 k)
延迟时间的设备来关闭(R
L
= 10 k)
符号
R
in
C
in
e
n
GBW
0.6
Am
fm
BW
P
THD
SR
0.85
0.85
t
on
t
关闭
1.2
1.3
5.5
2.5
7.5
3.0
ms
ms
0.008
0.08
V / ms的
0.8
0.8
0.9
6.5
60
80
dB
千赫
%
典型值
>1.0
3.0
100
最大
单位
TERA
W
pf
纳伏/赫兹
兆赫
http://onsemi.com
4
NCS2002 , NCV2002
0
V
SAT
,输出饱和电压(MV )
200
400
600
600
400
200
0
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
R
L
,负载电阻( W)
低态输出
吸收电流
V
EE
高输出状态
目前采购
V
S
=
±2.5
V
R
L
到GND
T
A
= 25°C
V
SAT
,输出饱和电压( V)
V
CC
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
4.0
8.0
12
16
20
I
L
,负载电流(mA )
低态输出
吸收电流
V
EE
V
S
=
$2.5
V
R
L
到GND
T
A
= 25°C
V
CC
高输出状态
目前采购
图2.输出饱和电压与
负载电阻
图3.输出饱和电压与
负载电流
10,000
100
80
A
V
,增益(dB )
60
40
20
0
125
1.0
10
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
收益
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 100 k
T
A
= 25°C
安培= 0.8毫伏
0
20
60
100
140
180
10 M
F,
多余的相位( ° )
1000
I
IB
,输入电流(PA )
100
10
V
S
=
±2.5
V
R
L
=
C
L
= 0
A
V
= 1.0
0
25
50
75
100
1.0
0
T
A
,环境温度( ° C)
男,频率(Hz )
图4.输入偏置电流随
温度
图5.增益和相位与频率
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 10 k
C
L
= 10 pF的
A
V
= 1.0
T
A
= 25°C
500 mV /格
50 mV /格
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 10 k
C
L
= 10 pF的
A
V
= 1.0
T
A
= 25°C
T,时间( 500 ns /格)
T,时间( 1.0
ms /格)
图6.瞬态响应
http://onsemi.com
5
图7.摆率
NCS2002 , NCV2002
子一伏轨至轨
与运算放大器
启用功能
该NCS2002是业界第一子一伏运算放大器
,具有轨到轨共模输入电压范围,以及
具有轨至轨输出驱动能力。此放大器有保证
要充分发挥作用下降到0.9 V,提供了一个理想的解决方案
从单个细胞镍镉( NiCd)电池或供电的应用
镍金属氢化物(镍氢)电池。其他功能还包括无
输出相位反转与输入过载,镶着输入失调
0.5毫伏, 40 pA的极低的输入偏置电流和电压
1.1兆赫在5.0 V单位增益带宽
该NCS2002还具有高电平有效使能引脚允许外部
关闭该装置的。在待机模式时,电源电流是
通常1.9
mA
在由于其体积小的1.0 V.并启用功能,
该放大器代表的小型便携式的理想解决方案
电子应用。该NCS2002是在节省空间可用
SOT23-6 ( TSOP - 6 )封装了两个行业标准引脚排列。
特点
http://onsemi.com
记号
65
4
12
x
3
TSOP
SN后缀
CASE 318G
6
AAxYW
1
= P为NCS2002SN1T1
Q为NCS2002SN2T1
AA =大会地点
Y
=年
W =工作周
引脚连接
V
OUT
V
CC
非反相
输入
1
2
3
+
4
6
5
V
EE
启用
反相
输入
0.9 V操作保证
待机模式:我
D
= 1.9
mA
在1.0 V,典型
轨至轨共模输入电压范围
轨至轨输出驱动能力
无输出相位反转过驱动输入信号
0.5毫伏修剪输入失调
10 pA的输入偏置电流
1.1 MHz的单位增益带宽为
$2.5
V, 1.0 MHz的时
$0.5
V
微小的SOT23-6 ( TSOP - 6 )包装
单节镍镉/镍氢电池供电应用
移动电话
寻呼机
个人数字助理
电子游戏
数码相机
摄像机
手持仪器
轨至轨输入
轨至轨输出
风格1引脚( SN1T1 )
V
OUT
V
EE
非反相
输入
1
2
3
+
4
6
5
V
CC
启用
反相
输入
典型应用
风格2引脚( SN2T1 )
订购信息
设备
NCS2002SN1T1
NCS2002SN2T1
NCV2002SN1T1*
NCV2002SN2T1*
TSOP
TSOP
TSOP
TSOP
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
0.8 V
to
7.0 V
+
* NCV2002 :T已
= -40 ° C,T
= +125°C.
通过设计保证。 NCV前缀是用于汽车
和其他应用程序需要的网站和变化
控制权。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
该器件包含81有源晶体管。
图1.典型应用
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年1月 - 第2版
出版订单号:
NCS2002/D
NCS2002 , NCV2002
最大额定值
等级
电源电压(V
CC
到V
EE
)
输入差分电压范围(注1 )
输入共模电压范围(注1 )
输出短路持续时间(注2 )
结温
功耗和热特性
SOT23-6封装
热阻,结点到空气
功率耗散@ T
A
= 70°C
工作环境温度范围
NCS2002
NCV2002 (注3)
存储温度范围
ESD保护,在任何引脚人体模型(注4 )
符号
V
S
V
IDR
V
ICR
t
Sc
T
J
价值
7.0
V
EE
- 300 mV到7.0 V
V
EE
- 300 mV到7.0 V
不定
150
单位
V
V
V
美国证券交易委员会
°C
R
qJA
P
D
T
A
235
340
-40至105
-40至125
° C / W
mW
°C
T
英镑
V
ESD
-65到150
2000
°C
V
1.任一个或两个输入端不应该超过V的范围
EE
- 300 mV至V
EE
+ 7.0 V.
2.最大功率极限,必须遵守,以确保最高结温度不超标。
T
J
T
A
+ (P
D
R
qJA
)
3. NCV前缀是对于需要现场和变更控制汽车和其他应用程序。
4. ESD数据可根据要求提供。
DC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
输入失调电压
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
= T
给T
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
= T
给T
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
= T
给T
输入失调电压温度系数(R
S
= 50)
T
A
= T
给T
输入偏置电流(V
CC
= 1.0 V至5.0 V )
输入共模电压范围
大信号电压增益
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
R
L
= 10 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
R
L
= 10 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
R
L
= 10 k
输出电压摆幅,高输出状态(V
ID
= + 0.5 V)
T
A
= T
给T
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
符号
V
IO
6.0
8.5
9.5
6.0
7.0
7.5
6.0
7.5
7.5
DV
IO
/
DT
I
IB
V
ICR
A
VOL
10
V
OH
0.40
0.35
1.45
1.40
2.45
2.40
0.442
0.409
1.494
1.473
2.493
2.469
40
40
40
V
0.5
0.5
0.5
8.0
10
V
EE
到V
CC
6.0
8.5
9.5
6.0
7.0
7.5
6.0
7.5
7.5
毫伏/°C的
pA
V
千伏/ V
典型值
最大
单位
mV
http://onsemi.com
2
NCS2002 , NCV2002
DC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
输出电压摆幅,低状态输出(V
ID
= 0.5 V)
T
A
= T
给T
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
共模抑制比(V
in
= 0 5.0 V)的
T
A
= T
给T
电源抑制比(V
CC
= 0.5 V至2.5 V ,V
EE
= 2.5 V)
T
A
= T
给T
输出短路电流
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V, V
ID
=
$0.4
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V, V
ID
=
$0.5
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V, V
ID
=
$0.5
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
电源电流(每放大器,V
O
= 0 V)
T
A
= T
给T
V
CC
= 0.5 V到V
EE
= 0.5 V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
V
CC
= 1.5 V到V
EE
= 1.5 V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
V
CC
= 2.5 V到V
EE
= 2.5 V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
使能输入阈值电压(V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V)
操作
使能输入电流(V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0)
启用= 5.0 V
启用= GND
符号
V
OL
CMRR
PSRR
I
SC
0.5
25
65
I
D
V
日( EN )
1.7 V + V
EE
I
启用
1.1
1.1
2.0
2.0
2.7 V + V
EE
1.9
2.8 V + V
EE
mA
480
1.5
720
2.2
820
2.5
600
3.0
900
5.0
1000
5.0
V
1.0
3.0
32
58
86
128
2.0
45
100
mA
60
60
0.446
0.432
1.497
1.484
2.496
2.481
82
85
0.40
0.35
1.45
1.40
2.45
2.40
dB
dB
mA
典型值
最大
单位
V
http://onsemi.com
3
NCS2002 , NCV2002
AC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
差分输入电阻(V
CM
= 0 V)
差分输入电容(V
CM
= 0 V)
等效输入噪声电压( F = 1.0千赫)
增益带宽积( F = 100千赫)
V
CC
= 0.45 V, V
EE
= 0.45 V
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
增益裕度(R
L
= 10 K,C
L
= 5.0 PF )
相位裕度(R
L
= 10 K,C
L
= 5.0 PF )
功率带宽(V
O
= 4.0 Vpp的,R
L
= 2.0 K, THD = 1.0 % ,A
V
= 1.0)
总谐波失真(V
O
= 4.0 Vpp的,R
L
= 2.0 K,A
V
= 1.0)
F = 1.0千赫
F = 10千赫
压摆率(V
S
=
$2.5
V, V
O
= -2.0 V至2.0 V ,R
L
= 2.0 K,A
V
= 1.0)
正斜率
负斜率
时间延迟器件的导通(R
L
= 10 k)
延迟时间的设备来关闭(R
L
= 10 k)
符号
R
in
C
in
e
n
GBW
0.6
Am
fm
BW
P
THD
SR
0.85
0.85
t
on
t
关闭
1.2
1.3
5.5
2.5
7.5
3.0
ms
ms
0.008
0.08
V / ms的
0.8
0.8
0.9
6.5
60
80
dB
千赫
%
典型值
>1.0
3.0
100
最大
单位
TERA
W
pf
纳伏/赫兹
兆赫
http://onsemi.com
4
NCS2002 , NCV2002
0
V
SAT
,输出饱和电压(MV )
200
400
600
600
400
200
0
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
R
L
,负载电阻( W)
低态输出
吸收电流
V
EE
高输出状态
目前采购
V
S
=
±2.5
V
R
L
到GND
T
A
= 25°C
V
SAT
,输出饱和电压( V)
V
CC
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
4.0
8.0
12
16
20
I
L
,负载电流(mA )
低态输出
吸收电流
V
EE
V
S
=
$2.5
V
R
L
到GND
T
A
= 25°C
V
CC
高输出状态
目前采购
图2.输出饱和电压与
负载电阻
图3.输出饱和电压与
负载电流
10,000
100
80
A
V
,增益(dB )
60
40
20
0
125
1.0
10
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
收益
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 100 k
T
A
= 25°C
安培= 0.8毫伏
0
20
60
100
140
180
10 M
F,
多余的相位( ° )
1000
I
IB
,输入电流(PA )
100
10
V
S
=
±2.5
V
R
L
=
C
L
= 0
A
V
= 1.0
0
25
50
75
100
1.0
0
T
A
,环境温度( ° C)
男,频率(Hz )
图4.输入偏置电流随
温度
图5.增益和相位与频率
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 10 k
C
L
= 10 pF的
A
V
= 1.0
T
A
= 25°C
500 mV /格
50 mV /格
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 10 k
C
L
= 10 pF的
A
V
= 1.0
T
A
= 25°C
T,时间( 500 ns /格)
T,时间( 1.0
ms /格)
图6.瞬态响应
http://onsemi.com
5
图7.摆率
NCS2002 , NCV2002
子一伏轨至轨
与运算放大器
启用功能
该NCS2002是业界第一子一伏运算放大器
,具有轨到轨共模输入电压范围,以及
具有轨至轨输出驱动能力。此放大器有保证
要充分发挥作用下降到0.9 V,提供了一个理想的解决方案
从单个细胞镍镉( NiCd)电池或供电的应用
镍金属氢化物(镍氢)电池。其他功能还包括无
输出相位反转与输入过载,镶着输入失调
0.5毫伏, 40 pA的极低的输入偏置电流和电压
1.1兆赫在5.0 V单位增益带宽
该NCS2002还具有高电平有效使能引脚允许外部
关闭该装置的。在待机模式时,电源电流是
通常1.9
mA
在由于其体积小的1.0 V.并启用功能,
该放大器代表的小型便携式的理想解决方案
电子应用。该NCS2002是在节省空间可用
SOT23-6 ( TSOP - 6 )封装了两个行业标准引脚排列。
特点
http://onsemi.com
1
TSSOP6
SN后缀
CASE 318G
标记图
0.9 V操作保证
待机模式:我
D
= 1.9
mA
在1.0 V,典型
轨至轨共模输入电压范围
轨至轨输出驱动能力
无输出相位反转过驱动输入信号
0.5毫伏修剪输入失调
10 pA的输入偏置电流
1.1 MHz的单位增益带宽为
$2.5
V, 1.0 MHz的时
$0.5
V
微小的SOT23-6 ( TSOP - 6 )包装
无铅包可用
单节镍镉/镍氢电池供电应用
移动电话
寻呼机
个人数字助理
电子游戏
数码相机
摄像机
手持仪器
轨至轨输入
轨至轨输出
AAxAYW
G
G
1
AA
x=
A
Y
W
G
=器件代码
在标记定义的第15页
订购信息
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
典型应用
引脚连接
V
OUT
V
CC
非反相
输入
1
2
3
+
6
5
4
V
EE
启用
反相
输入
风格1引脚( SN1T1 )
V
OUT
V
EE
非反相
输入
1
2
3
+
6
5
4
V
CC
启用
反相
输入
0.8 V
to
7.0 V
+
风格2引脚( SN2T1 )
该器件包含81有源晶体管。
订购和标识信息
查看详细的订购,标记,并在发货信息
包装尺寸本数据手册第15页上的一节。
图1.典型应用
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
2007年1月,
启示录6
1
出版订单号:
NCS2002/D
NCS2002 , NCV2002
最大额定值
等级
电源电压(V
CC
到V
EE
)
输入差分电压范围(注1 )
输入共模电压范围(注1 )
输出短路持续时间(注2 )
结温
功耗和热特性
SOT23-6封装
热阻,结到空气
功率耗散@ T
A
= 70°C
工作环境温度范围
NCS2002
NCV2002 (注3)
存储温度范围
ESD保护,在任何引脚人体模型(注4 )
符号
V
S
V
IDR
V
ICR
t
Sc
T
J
价值
7.0
V
EE
- 300 mV到7.0 V
V
EE
- 300 mV到7.0 V
不定
150
单位
V
V
V
美国证券交易委员会
°C
R
qJA
P
D
T
A
235
340
40
到105
40
到125
65
150
2000
° C / W
mW
°C
T
英镑
V
ESD
°C
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.任一个或两个输入端不应该超过V的范围
EE
- 300 mV至V
EE
+ 7.0 V.
2.最大功率极限,必须遵守,以确保最高结温度不超标。
T
J
T
A
+ (P
D
R
qJA
)
3. NCV前缀是对于需要现场和变更控制汽车和其他应用程序。
4. ESD数据可根据要求提供。
DC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
输入失调电压
V
CC
= 0.45 V, V
EE
=
0.45
V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
=
40
至+ 125°C
V
CC
= 1.5 V, V
EE
=
1.5
V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
=
40
至+ 125°C
V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V
T
A
= 25°C
T
A
= 0℃至70 ℃的
T
A
=
40
至+ 125°C
输入失调电压温度系数(R
S
= 50)
T
A
=
40
至+ 125°C
输入偏置电流(V
CC
= 1.0 V至5.0 V )
输入共模电压范围
大信号电压增益
V
CC
= 0.45 V, V
EE
=
0.45
V
R
L
= 10 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
=
1.5
V
R
L
= 10 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V
R
L
= 10 k
输出电压摆幅,高输出状态(V
ID
= + 0.5 V)
T
A
= T
给T
V
CC
= 0.45 V, V
EE
=
0.45
V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
=
1.5
V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
符号
V
IO
6.0
8.5
9.5
6.0
7.0
7.5
6.0
7.5
7.5
DV
IO
/
DT
I
IB
V
ICR
A
VOL
10
V
OH
0.40
0.35
1.45
1.40
2.45
2.40
0.442
0.409
1.494
1.473
2.493
2.469
40
40
40
V
0.5
0.5
0.5
8.0
10
V
EE
到V
CC
6.0
8.5
9.5
6.0
7.0
7.5
6.0
7.5
7.5
毫伏/°C的
pA
V
千伏/ V
典型值
最大
单位
mV
http://onsemi.com
2
NCS2002 , NCV2002
DC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
输出电压摆幅,低状态输出(V
ID
=
0.5 V)
T
A
=
40
至+ 125°C
V
CC
= 0.45 V, V
EE
=
0.45
V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 1.5 V, V
EE
=
1.5
V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V
R
L
= 10 k
R
L
= 2.0 k
共模抑制比(V
in
= 0 5.0 V)的
电源抑制比(V
CC
= 0.5 V至2.5 V ,V
EE
=
2.5
V)
输出短路电流
V
CC
= 0.45 V, V
EE
=
0.45
V, V
ID
=
$0.4
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
V
CC
= 1.5 V, V
EE
=
1.5
V, V
ID
=
$0.5
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V, V
ID
=
$0.5
V
源电流高输出状态
灌电流低输出状态
电源电流(每放大器,V
O
= 0 V)
T
A
=
40
至+ 125°C
V
CC
= 0.5 V到V
EE
=
0.5
V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
V
CC
= 1.5 V到V
EE
=
1.5
V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
V
CC
= 2.5 V到V
EE
=
2.5
V
维纳布尔= V
CC
维纳布尔= V
EE
使能输入阈值电压(V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V)
操作
使能输入电流(V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0)
启用= 5.0 V
启用= GND
符号
V
OL
CMRR
PSRR
I
SC
0.5
25
65
I
D
V
日( EN )
1.7 V + V
EE
480
1.5
720
2.2
820
2.5
2.7 V + V
EE
1.9
1.1
1.1
600
3.0
900
5.0
1000
5.0
2.8 V + V
EE
2.0
2.0
V
1.0
3.0
32
58
86
128
2.0
45
100
mA
60
60
0.446
0.432
1.497
1.484
2.496
2.481
82
85
0.40
0.35
1.45
1.40
2.45
2.40
dB
dB
mA
典型值
最大
单位
V
I
启用
mA
http://onsemi.com
3
NCS2002 , NCV2002
AC电气特性
(V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V, V
CM
= V
O
= 0 V ,R
L
到GND ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
等级
差分输入电阻(V
CM
= 0 V)
差分输入电容(V
CM
= 0 V)
等效输入噪声电压( F = 1.0千赫)
增益带宽积( F = 100千赫)
V
CC
= 0.45 V, V
EE
=
0.45
V
V
CC
= 1.5 V, V
EE
=
1.5
V
V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.5
V
增益裕度(R
L
= 10 K,C
L
= 5.0 PF )
相位裕度(R
L
= 10 K,C
L
= 5.0 PF )
功率带宽(V
O
= 4.0 V
PP
, R
L
= 2.0 K, THD = 1.0 % ,A
V
= 1.0)
总谐波失真(V
O
= 4.0 V
PP
, R
L
= 2.0 K,A
V
= 1.0)
F = 1.0千赫
F = 10千赫
压摆率(V
S
=
$2.5
V, V
O
=
2.0
V至2.0 V,R 1
L
= 2.0 K,A
V
= 1.0)
正斜率
负斜率
时间延迟器件的导通(R
L
= 10 k)
延迟时间的设备来关闭(R
L
= 10 k)
符号
R
in
C
in
e
n
GBW
0.6
0.85
0.85
典型值
>1.0
3.0
100
0.8
0.8
0.9
6.5
60
80
0.008
0.08
1.2
1.3
5.5
2.5
最大
7.5
3.0
单位
TERA
W
pf
纳伏/赫兹
兆赫
Am
fm
BW
P
THD
dB
千赫
%
SR
V / ms的
t
on
t
关闭
ms
ms
http://onsemi.com
4
NCS2002 , NCV2002
0
V
SAT
,输出饱和电压(MV )
200
400
600
600
400
200
0
100
低态输出
吸收电流
V
EE
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
高输出状态
目前采购
V
S
=
±2.5
V
R
L
到GND
T
A
= 25°C
0
V
SAT
,输出饱和电压( V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
4.0
8.0
12
16
低态输出
吸收电流
V
EE
20
V
S
=
$2.5
V
R
L
到GND
T
A
= 25°C
V
CC
高输出状态
目前采购
V
CC
R
L
,负载电阻( W)
I
L
,负载电流(mA )
图2.输出饱和电压与
负载电阻
图3.输出饱和电压与
负载电流
10,000
1000
I
IB
,输入电流(PA )
100
10
1.0
0
0
25
50
75
100
125
T
A
,环境温度( ° C)
V
S
=
±2.5
V
R
L
=
C
L
= 0
A
V
= 1.0
100
80
A
V
,增益(dB )
60
40
20
0
1.0
10
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
收益
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 100 k
T
A
= 25°C
安培= 0.8毫伏
0
20
60
100
140
180
10 M
F,
多余的相位( ° )
男,频率(Hz )
图4.输入偏置电流随
温度
图5.增益和相位与频率
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 10 k
C
L
= 10 pF的
A
V
= 1.0
T
A
= 25°C
500 mV /格
T,时间( 500 ns /格)
50 mV /格
V
S
=
$2.5
V
R
L
= 10 k
C
L
= 10 pF的
A
V
= 1.0
T
A
= 25°C
T,时间( 1.0
ms /格)
图6.瞬态响应
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5
图7.摆率
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