NIS1050
保护接口电路
为PMIC，带有集成
OVP控制
该NIS1050是保护IC针对最新一代的
PMIC的来自领先的移动电话和UMPC芯片组供应商。它
包括一个高度稳定的低电流的LDO和一个低阻抗电源
N沟道MOSFET 。
该LDO提供低电流， 5伏电源的PMIC ，并
该NFET对于乔维奇电路外部旁路元件。这些
阶段结合的内部PMIC保护充电电路
从可能发生从低阻抗过电压条件
任一所述的AC / DC或USB电源。
在NIS1050是在低调的6引脚采用2x2mm WDFN6可用
表面贴装封装。
特点
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记号
图表
1
WDFN6 ， 2×2
CASE 506AN
下午米
PM =具体设备守则
M =日期代码
更低的功耗和更高的效率与齐纳分流
调节器
LDO整个温度高稳定性，操作时无需绕道
电容器
宽3-30 V电源电压输入范围
低扁平（0.75mm ） 6引线采用2x2mm封装WDFN6
典型应用
订购信息
设备
NIS1050MNTBG
包
WDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
从领先的移动新一代的PMIC电源接口
手机和UMPC芯片组供应商
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
PMIC
OVP_SNS
3,7
6,8
2
VBUS
USB
NIS1050
LDO
1
4
VCHG
VCHG
2
电压
探测器
V_REF_2
V_REF_1
V_IN_OKAY
LDO
5
OVP_CLAMP
带隙
参考
OVP_CTL
其他
控制
输入
4
调节器
A）如果没事， FET关闭
B）如果不好啦， FET被打开
10k
4.7uF
V
OUT
，输出电压（ V）
3
过电压
保护
5.30
5.25
5.20
5.15
5.10
5.05
5.00
4.95
4.90
4.85
4.80
40 15
10
35
60
85
110
T
J
，结温（ ° C）
图1.典型应用
图2.输出电压变化与
温度
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年7月
第0版
1
出版订单号：
NIS1050/D
NIS1050
1
2
3
7
8
6
5
4
图3.引脚分配
表1.引脚功能说明
针
1
2
3, 7
4
5
6, 8
功能
来源
门
VIN
地
VOUT
漏
描述
这是功率FET的源极和连接到具有相同名称的PMIC销。
该引脚FET开关的门。
正输入端的电压的设备。
负输入电压的设备。这被用作用于在IC内部参考。
这是内部LDO的输出。它通过将输入电压到输出和夹钳
该电压如果超过规程限制。
正输入端的电压的设备。
最大额定值
等级
输入电压，工作，稳态（ OVP_sense到GND）
栅极 - 源极电压
漏极电流峰值（ 10
ms
脉冲）
漏电流，连续（注1 ，稳态）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
总功率耗散@ T
A
= 25℃ （注1,2）
工作温度范围
非工作温度范围
最大的铅焊接温度的目的
符号
V
in
V
GS
I
DPK
I
D
3.7
2.7
P
最大
T
J
T
J
T
L
750
-40至125
-55到150
260
mW
°C
°C
°C
价值
-0.3 30
±8
20
单位
V
V
A
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.表面采用30毫米的最小推荐焊盘尺寸安装在FR4板
2
， 2盎司铜。
2.双芯片操作（同样加热） 。
热电阻额定值
参数
单芯片的工作原理（自加热）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
双芯片的工作原理（同样加热）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
R
qJA
R
qJA
R
qJA
58
133
40
° C / W
R
qJA
R
qJA
R
qJA
83
177
54
° C / W
符号
最大
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（ 30毫米
2
， 2盎司铜） 。
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2
NIS1050
电气特性
（除非另有说明：工作电压（ OVP_sense ） = 5.0 V ，T
J
= 25°C)
特征
功率场效应管
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 24 V
dc
, V
GS
= 0 V)
T
J
= 85°C
栅极 - 源极漏电流（Ⅴ
DS
= 0 V, V
GS
=
±8
V)
栅极阈值电压（V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
毫安）
负栅极阈值温度系数
漏极 - 源极导通电阻（注5 ）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.0 A
正向跨导（V
DS
= 5 V，I
D
= 2.0 A)
输入电容（V
DS
= 15 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
， F = 1兆赫）
输出电容（V
DS
= 15 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
， F = 1兆赫）
反向传输电容（V
DS
= 15 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
， F = 1兆赫）
LDO
（除非另有说明，T
J
= 25 ℃， VIN = 5.0 V）
稳压输出电压（VCC = 5.5 V IO = 1 mA）的
针对输入瞬态
（ Vin的0到30伏， <1
ms
上升时间， 5.0千瓦的阻性负载，注6 ）
时间信号高于5.5伏
峰值电压
净空（VIN - Vout的电流输出= 1.2 mA时， VIN = 4.6 V）
净空（VIN - Vout的电流输出= 10 mA时， VIN = 4.8 V，T
J
= -40 125 ℃）下
设备总
输入偏置电流
最低工作电压
5.脉冲测试：脉冲宽度300
女士，
占空比的2％。
6.通过设计保证。
I
BIAS
V
IN-分钟
110
850
3.0
mA
V
VOUT
4.6
5.0
5.3
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
0.4
0.7
2.8
47
56
4.5
427
51
32
70
90
S
pF
pF
pF
1.0
10
100
1.0
mA
nA
V
毫伏/°C的
mW
符号
民
典型值
最大
单位
t
脉冲
VPK
V
HEAD
V
HEAD
5.0
9.0
150
1000
ms
V
mV
mV
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3
NIS1050
包装尺寸
WDFN6 ， 2×2
CASE 506AN -01
版本D
D
A
B
暴露铜
模具招商地产
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于PLATED
终端和测量之间
0.15 0.30毫米的终端的一角。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
F
K
L
L1
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.80
0.00
0.05
0.20 REF
0.25
0.35
2.00 BSC
0.57
0.67
2.00 BSC
0.90
1.10
0.65 BSC
0.15 BSC
0.25 REF
0.20
0.30
---
0.10
电镀
0.10 C
0.10 C
0.10 C
0.08 C
注4
D2
L
1
3
细节A
K
e
本文描述的产品（ NIS1050 ） ，可能受一项或多项美国专利。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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为了文学：
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DETAIL B
6
销1
参考
DETAIL B
E
可选
CONSTRUCTIONS
L
L1
A3
A
A1
C
座位
飞机
可选
CONSTRUCTIONS
顶视图
细节A
SIDE VIEW
0.10 C A
D2
F
B
E2
0.10 C A
B
包
概要
4
6X
b
0.10 C A
0.05 C
B
6X
注3
底部视图
http://onsemi.com
5
L
6X
阻焊DEFINED
安装印迹
1.74
0.77
1.10
0.47
2.30
2X
1
0.35
0.65
沥青
外形尺寸：毫米
NIS1050/D
QQ：2881677436 复制
