【ADP3212A ， NCP3218A7位，可编程，3相，移动CPU同步降压控制器该APD3212A】,IC型号NCP3218AMNR2G,NCP3218AMNR2G PDF资料,NCP3218AMNR2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

ADP3212A ， NCP3218A

7位，可编程，

3相，移动CPU

同步降压控制器

该APD3212A / NCP3218A是一种高效，多相，

同步降压型开关稳压控制器。凭借其集成

驱动程序，该APD3212A / NCP3218A是用于将优化

笔记本电脑的电池电压转换为高要求的内核供电电压

性能的英特尔处理器。内部7位DAC ，用于读取一个

直接VID码从处理器和设置CPU核心电压

到0.3伏至1.5伏。 APD3212A的范围内的值/

NCP3218A可编程为1-，2-或3-相操作。该

输出信号保证交错2或3相操作。

该APD3212A / NCP3218A采用的是多模架构在运行

可编程开关频率和效率进行了优化

根据输出电流要求。该

单相和多相之间APD3212A / NCP3218A开关

操作以最大限度地提高效率，所有负载条件。该芯片

包括可编程负载线斜率功能来调整输出

电压随着负载电流的函数，以使核心电压

总是最佳地定位成用于负载瞬变。该

APD3212A / NCP3218A还提供了精确和可靠的

短路保护，可调限流，和一个延迟

电源良好输出。该IC支持的On-the -飞（ OTF ）输出

由CPU所要求的电压变化。

该APD3212A / NCP3218A是在扩展

商业级温度范围

40°C

至100℃ 。该ADP3212A是

采用48引脚QFN 7x7毫米0.5mm间距的封装。该

NCP3218A是采用48引脚QFN 6x6毫米0.4mm间距

封装。除了套餐， APD3212A / NCP3218A是

相同的。 APD3212A / NCP3218A是无卤，无铅，

符合RoHS 。

特点

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QFN48

CASE 485AJ

1 48

QFN48

CASE 485AN

1 48

标记图

xxP321xA

AWLYYWWG

xxx

=具体设备守则

（ ADP3212A或NCP3218A ）

=大会地点

WL =晶圆地段

YY =年

WW =工作周

= Pb-Free包装

单芯片解决方案

完全兼容于英特尔

IMVP6.5t

内置电源良好消隐支持电压

特定网络阳离子

可选择1,2或3相操作与最多

每相开关频率为1MHz

阶段1和阶段2集成MOSFET驱动器

3.3 V至22 V的输入电压范围

保证

±8

毫伏最坏情况感知差异

核心电压误差过温

自动省电模式下的效率最大化

轻载在深度睡眠操作

有源电流输出相位之间平衡

独立的电流限制和负载线设置

投入额外的设计灵活性

识别（ VID ）的On-the -飞（ OTF ）瞬态

7位，数字可编程DAC具有0.3 V至

1.5 V输出

短路保护，可编程闭锁

延迟

时钟使能输出延迟CPU时钟直到

CORE

电压稳定

输出功率或电流监控器选项

48引脚QFN 7x7毫米（ ADP3212A ）， 48引脚QFN

采用6x6mm （ NCP3218A ）

这些无铅器件

完全符合RoHS标准

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第33页上。

应用

笔记本电脑电源的下一代英特尔

处理器

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年6月，

第0版

出版订单号：

ADP3212A/D

ADP3212A ， NCP3218A

引脚分配

VID0

VID1

VID2

VID3

VID4

VID5

VID6

PSI

DPRSLP

PH0

PH1

VCC

PWRGD

IMON

CLKEN

FBRTN

COMP

TRDET

VARFREQ

VRTT

TTSNS

GND

ADP3212A

NCP3218A

（ TOP VIEW ）

BST1

DRVH1

SW1

SWFB1

PVCC

DRVL1

保护地

DRVL2

SWFB2

SW2

DRVH2

BST2

GND

VCC EN

UVLO

关闭

和偏置

VEA

CSREF

IREF

转

坡道

LLINE

CSREF

CSSUM

CSCOMP

ILIM

OD3

PWM3

SWFB3

RPM RT RAMP VARFREQ

BST1

振荡器

当前

平衡

电路

OVP

司机

逻辑

DRVH1

SW1

PVCC

DRVL1

保护地

BST2

DRVH2

SW2

PVCC

数

相

OCP

关闭

延迟

当前

极限

电路

软

短暂

延迟

CLKEN

启动

延迟

关闭

热

风门

控制

软启动

REF

DRVL2

保护地

OD3

PWM3

PSI和

DPRSLP

逻辑

当前

MONITOR

PSI

DPRSLP

IMON

CSREF

CSSUM

CSCOMP

ILIM

TTSENSE

VRTT

TRDET

COMP

REF

LLINE

SWFB1

SWFB2

SWFB3

PH0

PH1

DAC + 200毫伏

CSREF

DAC

300毫伏

PWRGD

开放

漏

CLKEN

开放

漏

精确

参考

VID

DAC

PWRGD

启动

延迟

TRDET

发电机

1.55 V

PWRGD

CLKEN

FBRTN

DAC

IREF

VID6

VID5

VID4

VID3

VID2

VID1

VID0

图1.功能框图

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ADP3212A ， NCP3218A

绝对最大额定值

参数

， PV

CC1

， PV

CC2

FBRTN ， PGND1 ， PGND2

BST1 ， BST2 ， DRVH1 ， DRVH2

吨< 200纳秒

BST1光伏

， BST2光伏

吨< 200纳秒

BST1到SW1 ， BST2到SW2

SW1，SW2

吨< 200纳秒

DRVH1到SW1 ， DRVH2到SW2

DRVL1至PGND1 ， DRVL2到PGND2

吨< 200纳秒

RAMP （停机时）

所有其它输入和输出

存储温度范围

工作环境温度范围

工作结温

热阻抗（Q

） 2层板

焊接温度

焊接（ 10秒）

红外（ 15秒）

等级

0.3

为+6.0

0.3

为+0.3

0.3

+28

0.3

到+33

0.3

至+22

0.3

+28

0.3

为+6.0

1.0

至+22

6.0

+28

0.3

为+6.0

0.3

为+6.0

5.0

为+6.0

0.3

至+22

0.3

为+6.0

+150

+100

125

30.5

300

260

单位

°C

° C / W

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。

引脚分配

PIN号

助记符

PWRGD

IMON

CLKEN

FBRTN

COMP

TRDET

描述

使能输入。推动这一引脚为低电平，关断芯片，禁用驱动器输出，拉PWRGD和

VRTT低，拉CLKEN高。

电源就绪输出。漏极开路输出。低逻辑状态的情况意味着在输出电压的外部

VID DAC定义的范围。

电流监视器输出。该引脚源成比例的电流输出负载电流。一个电阻

FBRTN设置当前显示器的增益。

时钟使能输出。漏极开路输出。一个低逻辑状态使CPU内部PLL时钟锁定到

外部时钟。

反馈回输入/输出。该引脚远程检测CPU的核心电压。它也可以用来作为

接地回路中的VID DAC和电压误差放大器块。

电压误差放大器的反馈输入。电压误差放大器的反相输入端。

电压误差放大器输出和频率补偿点。

瞬态检测输出。该引脚被拉低检测负载瞬态释放的时候。在重复

在高频时的负载瞬变，该电路最佳位置的最大和最小输出

电压为所定的负载线窗口。

变频调速使能输入。高逻辑状态使得PWM时钟频率，以改变与VID码。

电压调节器热节流输出。逻辑高状态表明电压调节器

温度在远程感测点超过了设定的报警阈值电平。

VARFREQ

VRTT

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ADP3212A ， NCP3218A

引脚分配

PIN号

助记符

TTSNS

描述

热节流意识和撬棍禁止输入。一个电阻分压器，其中上部电阻连接

到VCC ，低电阻（ NTC热敏电阻）是连接到GND，和中心点连接到该

销，并作为温度传感器的半桥。 TTSNS连接至GND禁用热节流

功能并禁用撬棍，或过压保护（ OVP ），芯片的功能。

模拟和数字信号地。

该引脚设置内部偏置电流。 A 80 kW的电阻从这个引脚连接到地面。

RPM模式时序控制输入。此引脚与地之间的电阻设置RPM模式开启

阈值电压。

多相位频率设定输入。连接在此引脚与GND之间的外部电阻设置

在转换器的多相PWM模式下的阈值操作时，该设备的振荡器频率。

PWM斜坡斜率设置输入。从转换器的输入电压节点的一个外部电阻来此引脚套

用于相位电流平衡内部PWM稳定斜坡的斜率。

输出负载线路编程输入。的CSREF和之间的电阻分压器的中心点

CSCOMP连接到这个引脚设置负载线斜率。

电流检测基准电压输入。这个引脚必须连接到输出电感器的公共点。

该节点通过内部开关短路至GND时，芯片被禁止，以提供软停止

瞬态控制变频器输出电压。

电流检测求和输入。外部电阻从每个交换节点到该管脚总结电感

电流，以提供全面的最新信息。

电流检测补偿点。从这个引脚CSSUM的电阻和电容决定的增益

电流检测放大器和位置环的响应时间。

电流限制设定点。从这个引脚CSCOMP一个外部电阻器设定的电流限制阈值

转换器。

多相输出禁用逻辑输出。该引脚积极拉低时APD3212A / NCP3218A

进入单相模式或关机期间。该引脚连接至三期MOSFET的SD输入

驱动程序。

逻辑电平PWM输出相位3.连接到一个外部MOSFET驱动器的输入，如

ADP3611.

目前余额为输入3相输入，用于测量电流值相3 SWFB3应留

开1或2相配置。

高边自举电源的第2阶段，从这个引脚SW2电容器保持自举电压

而高边MOSFET导通。

高边栅极驱动器输出的第2阶段。

目前回报高边栅极驱动器的第2阶段。

目前余额输入为第二阶段的输入，用于测量电流值在第二阶段SWFB2应留

打开1相配置。

低侧栅极驱动器输出的第2阶段。

低端驱动器电源地

低侧栅极驱动器输出的第1阶段。

电源输入/低侧栅极驱动器输出。

目前余额为输入1相输入，用于测量第一阶段目前的水平。

目前回报高边栅极驱动器的第1阶段。

高边栅极驱动器输出的第1阶段。

高边自举电源的第1阶段，从这个引脚到SW1的电容保持自举电压

而高边MOSFET导通。

电源输入/控制器的输出。

相数配置输入。连接到VCC为3相配置。

相数配置输入。连接到GND 1相配置。连接到VCC的

多相结构。

深度睡眠控制输入。

电源状态指示器输入。将该引脚连接到GND将强制APD3212A / NCP3218A工作在

单相模式。

电压识别DAC输入。当在正常工作模式时，DAC输出的程序在FB

从0.3伏到1.5伏调节电压（见表3）。

GND

IREF

转

坡道

LLINE

CSREF

CSSUM

CSCOMP

ILIM

OD3

PWM3

SWFB3

BST2

DRVH2

SW2

SWFB2

DRVL2

保护地

DRVL1

PVCC

SWFB1

SW1

DRVH1

BST1

VCC

PH1

PH0

DPRSLP

PSI

VID6到VID0

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ADP3212A ， NCP3218A

电气特性

？ PV

= 5.0 V ， FBRTN = PGND = GND = 0 V ， H = 5.0 V，L = 0 V ， EN = VARFREQ = H ， DPRSLP = L ， PSI = 1.05 V，

VID

= V

DAC

= 1.2000 V，T

40°C

至100℃ ，除非另有说明。（注1 ）电流输入引脚（灌电流）有一个积极的迹象。

参数

FB ， LLINE电压范围（注2 ）

FB ， LLINE失调电压（注2 ）

LLINE偏置电流

FB偏置电流

LLINE定位精度

COMP电压范围（注2 ）

COMP电流

符号

, V

LLINE

OSVEA

LLINE

VID

COMP

COMP = 2.0 V， CSREF = VDAC

FB强迫200毫伏以下CSREF

FB强迫200毫伏以上CSREF

COMP

= 10 pF的， CSREF = VDAC ，

开环配置

FB强迫200毫伏以下CSREF

FB强迫200毫伏以上CSREF

非反相单位增益配置，

= 1千瓦

见VID表

VID

测量FB （包括偏移），

相对于V

VID

= 0.5000 V至1.5000 V，

T =

10°C

至100℃

VID

= 0.5000 V至1.5000 V，

T =

40°C

至100℃

VID

= 0.3000 V至0.4875 V，

T =

10°C

至100℃

VID

= 0.3000 V至0.4875 V，

T =

40°C

至100℃

测量FB相对于V

VID

， LLINE

强迫80毫伏以下CSREF

条件

相对于CSREF = VDAC

民

200

0.5

100

1.0

77.5

0.85

0.75

6.0

典型值

最大

+200

+0.5

+100

+1.0

82.5

4.0

单位

电压控制

电压误差放大器（ VEAMP ）

COMP摆率

COMP

V / ms的

兆赫

增益带宽（注2）

VID DAC电压参考

VDAC电压范围（注2 ）

VDAC精度

GBW

1.5

7.5

9.0

1.0

+7.5

+9.0

+10

+1.0

0.001

1.100

200

1.4

0.0625

0.25

1.0

0.4

1.0

200

360

250

最低位

LSB /

VDAC差分非线性

（注2 ）

VDAC线路调整

VDAC启动电压

软启动延迟（注2 ）

软启动时间

开机延时

VDAC摆率（注2 ）

ΔV

BOOTFB

DSS

BOOT

VCC = 4.75 V至5.25 V

在启动过程中的延迟时间测量

从测量的EN POS边缘

FB = 50 mV的

从测得的FB = 50 mV至FB落户

1.1 V在5％以内

从测得的FB沉降至1.1 V范围内

5％至CLKEN负刃

软启动

非LSB的VID的步骤， DPRSLP = H ，慢

C4进入/退出

非LSB VID一步， DPRSLP = L ，快

C4退出

LSB VID一步， DVID转型

GPU模式，非LSB VID一步，快速

进入/退出

FBRTN

UVCSREF

OVCSREF

相对于标称电压VDAC

相对于标称电压VDAC ，

T =

10°C

至100℃

T =

40°C

至100℃

FBRTN电流

CSREF欠压阈值

CSREF过电压阈值

电压监测和保护

电源良好

240

150

140

300

200

所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。

通过设计或平台特性保证，未经生产测试。

基于平台特性的数据。

定时为基准，以90 ％和10％点，除非另有说明。

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