NCP5230
精确的低电压
同步降压
控制器与电源
节能模式
该NCP5230是差一个简单的单相溶液
相电流检测，电力节省操作，和栅极驱动器来
提供准确的稳压电源。
自适应非重叠栅极驱动和节能运行
电路提供一个低的开关损耗和高效率的解决方案
服务器，笔记本和台式机系统。高性能
运算误差放大器被提供以简化的补偿
系统。该NCP5230功能还包括软启动序列，
准确的过压和过电流保护， UVLO的VCC和
VCCP和热关断。
特点
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记号
图表
QFN16
CASE 485G
5230
ALYWG
G
1
5230
A
L
Y
W
G
高性能运算误差放大器
内部软启动/停止
±0.5%
内部电压精度， 0.8 V基准电压源
OCP的准确性，四再入时报锁存前
“无损”差分电感电流检测
内置高精度电流检测放大器
100 kHz振荡器频率范围
1000千赫
内部栅极驱动器为20 ns FET自适应非重叠时间
5.0 V至12 V工作
支持1.5 V至19 V V
in
V
OUT
从0.8 V至3.3 V （ 5 V与12 V
CC
)
芯片使能，通过OSC引脚
锁存过电压保护（ OVP ）
内部固定OCP阈值
保证启动至预充电负载
热补偿电流监测
热关断保护
集成MOSFET驱动器
集成升压二极管与内部研发
BST
= 2.2
W
自动省电模式，以最大限度地提高效率在轻
负荷运行
同步功能
远端地电位检测
这是一个Pb - Free设备*
应用
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（ *注：微球可在任一位置）
引脚连接
ROSC / EN
14
GND
VCC
16
15
13
12
11
10
9
VCCP
LG
LX
BOOT
CSP
1
2
3
4
5
6
7
8
CSN / VO
FBG
VSEN
FB
PGOOD
UG
SYNC
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
NCP5230MNTWG
包
航运
台式机和服务器系统
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
QFN16 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
一月， 2013
第1版
1
出版订单号：
NCP5230/D
COMP
NCP5230
VCC
PGOOD
6
15
2.2
W
4
CSP 13
+
CSN / VO 12
电流检测
扩音器
3
UVP
OSC
LX
CDIFF
过电流
探测器
5
BOOT
UG
COMP 8
FBG 11
0.8V
FB 9
VREF*125%
VREF*75%
+
误差放大器器
+
+
控制逻辑
保护，
坡道
发生器和
PWM逻辑
UVLO
控制
1
VCCP
OVP
2
VSEN 10
ROSC / EN 14
SYNC 7
1.24V
可编程
OSC
VREF*50%
+
OVP ，
虚掩
LG
16 GND
图1： NCP5230框图
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
VCCP
LG
LX
BOOT
UG
PGOOD
SYNC
COMP
FB
VSEN
FBG
CSN / VO
CSP
ROSC / EN
VCC
GND
散热垫
描述
电源为底栅MOSFET驱动器
底栅MOSFET驱动器引脚
开关节点
电源轨的上方浮动栅极驱动器
顶栅MOSFET驱动器引脚
电源良好。这是一个漏极开路输出，自由设置后SS （以3倍的时钟延迟） ，只要输出
电压通过VSEN监控是否符合要求。
同步引脚。控制器同步于一个方波提供到下降沿
该引脚。总之，如果不使用到GND。
误差放大器的输出
反相输入到误差放大器
输出电压检测
远程地检测
差分电感感反相输入端
电感器的差动读出的非反相输入
方案的开关频率; EN ：上拉至低电平禁用设备
电源轨为控制器内部电路
接地参考
与用于与所述印刷电路板具有良好的热接触在硅衬底连接。连接到GND平面。
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2
NCP5230
PGOOD
VCC
VCCP
VIN
SYNC
15
RSEN1
RS1
CSEN1
RS2
RNTC1
6
7
13
12
11
RFB2
CFB2
9
8
RF1
RFB3
RVFB1
CF1
CH1
1
4
CBOOT1
5
3
2
ROSC1
LOUT1
Q3
1
2
3
VCCP
BOOT
PGOOD
SYNC
CSP
NCP5230
CSN / VO
FBG
FB
ROSC / EN
COMP
VSEN
GND
UG
LX
LG
VCC
VOUT
3
Q4
1
+ COUT1
2
10
16
启用
2
R2
R1
14
JP3
1
蚀刻
图2.典型应用电路
绝对最大额定值
等级
控制器电源电压GND
升压电源电压输入
符号
VCC ， VCCP
BOOT
V
最大
15
35V WRT / GND
40 V <100 NS
WRT / GND
15 WRT / LX
35
40 V
≤
50纳秒
WRT / GND
15 WRT / LX
35
40 < 100纳秒
15
6
PGOOD
SYNC
CSP ， CSN / VO用
V
CC
= 12 V
7
7
10
V
民
0.3
0.3
单位
V
V
高边驱动器输出
（门顶）
UG
0.3
WRT / LX
5
V < 200纳秒
V
开关节点
（自举电源回路）
低边驱动器输出
（底栅）
所有其他引脚
PGOOD
SYNC
电流检测放大器
LX
LG
5
10
V < 200纳秒
0.3
5
V < 200纳秒
0.3, 1
V < 1
ms
0.3, 1
V < 1
ms
0.3, 1
V < 1
ms
0.3, 1
V < 1
ms
V
V
V
V
V
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
*所有信号参考GND除非另有说明。
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3
NCP5230
热信息
等级
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作结温范围
工作环境温度范围
最大存储温度范围
湿度敏感度等级
QFN封装
符号
R
qJA
R
QJC
T
J
T
A
T
英镑
MSL
典型值
60
18
0-125
0到85
55
+150
1
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
电气特性
除非另有说明：0°C <牛逼
A
< 85°C ; 4.5 V < < VCC 13.2 V ;
VCC
= 0.1
mF
参数
电源供电条件
VCC电压范围
VCCP电压范围
在VCC （注1 ）的dV / dt
在VCCP （注1 ）的dV / dt
VCC和引导输入电源电流
VCC工作电流
VCC电源电流
VCCP输入电源电流
VCCP工作电流
UG和LG开放
VCCP电源电流
VCC电源电压
VCC UVLO阈值开始
VCC UVLO迟滞
VCCP电源电压
VCCP UVLO阈值开始
VCCP UVLO迟滞
误差放大器COMP
开环DC增益（注1 ）
开环单位增益带宽（注1 ）
压摆率（注1 ）
VREF
内部参考电压
输出电压精度
电流检测放大器器
共模输入电压范围
（注1 ， GNG ，输出为10mV以内）
共模输入电压范围
（注1 ， GNG ，在10 mV的输出）
V
CC
≤
7.5 V
V
CC
> 7.5 V
0.3
0.3
3.5
5.5
V
V
V
OUT
以FBG排除外部电阻分压器
公差
0.5
0.800
0.5
V
%
COMP引脚与GND与100 pF负载
15
120
18
8.0
dB
兆赫
V / ms的
200
4.2
V
mV
V
CC
升起
V
CC
上升或下降
300
4.50
V
mV
V
CCP
= 5 V ， EN =高
V
CCP
= 12V， EN =高
V
CCP
= 5 V ， EN =低
V
CCP
= 12V， EN =低
3.5
5.0
200
mA
mA
V
CC
= 5 V ， EN =高
V
CC
= 12V， EN =高
V
CC
= 5 V ， EN =低
V
CC
= 12V， EN =低
5.0
400
mA
uA
4.5
4.5
10
10
13.2
13.2
10
10
V
V
V / ms的
V / ms的
测试条件
民
典型值
最大
单位
1.设计保证。
2.对于传播延迟， “ tPDH时间”指的是指定的信号变为高电平“保持tPDL ”指的是它要低。参考门时序图。
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4
NCP5230
电气特性
除非另有说明：0°C <牛逼
A
< 85°C ; 4.5 V < < VCC 13.2 V ;
VCC
= 0.1
mF
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
振荡器（无ROSC电阻默认为200千赫）
开关频率精度
OSC增益（注1 ）
关断阈值
调制器（ PWM比较器）
最小脉冲宽度
最小关断时间（ LG上）
PWM斜坡的幅度
最大占空比
最低跳跃模式频率
软启动
软启动时间@ 200千赫
软关闭
软关断电阻出血
过电流保护
首先过电流阈值
第二过电流阈值
SYNC引脚
同步输入
同步输入
保护和PGOOD
输出电压
OVP阈值
UVP阈值
虚掩的过电压阈值
电源良好的高延迟（注1 ）
电源良好低延迟（注1 ）
零电流检测（ LX引脚）
零电流之前的消隐时间
检测（注1 ）
拍摄时间为LX电压（注1 ）
负LX检测电压
正LX检测电压
时间V
th
调整和建立时间
（注1 ）
最初的负电流检测
阈值电压设定点（注1 ）
V
th
可调范围（注1 ）
LG之后的消隐时间为< 1.0 V
及时捕捉LX电压一旦LG是< 1.0 V
（必须在死区时间限制）
V
BDLS
V
BDHS
300千赫
LX- GND ，包括
±
2 mV的偏移范围
16
150
0.2
3.0
1.0
0
15
300
0.5
40
20
450
1.0
3.7
ns
ns
mV
V
ms
mV
mV
逻辑低，下沉4毫安
VSEN上述上升1.25 * V
REF
VSEN跌破0.75 * V
REF
V
th_disoff
相对于0.5 V
REF
117
70
40
125
75
50
0.4
130
80
60
50
1
V
%
%
%
ms
ms
VIL ，方波
VIH，方波
2.5
1.0
V
V
CSP -CSN ， 4xMasking
CSP -CSN ，立即行动
17
20
30
23
mV
mV
R
DIS
120
W
1024个时钟周期， OSC / EN开放
5.12
ms
F
sw
= 200 kHz时， OSC开
F
sw
= 200 kHz时， OSC开
V
IN
= 5 V或12 V
OSC / EN = OPEN
在轻负载时，最大时间为LG开启
HG关闭后
80
30
250
90
350
1.50
95
450
ns
ns
V
%
千赫
R
OSC
/ EN引脚，V
dis_th
R
OSC
开放
10
10
0.75
10
%
千赫/
mA
V
1.设计保证。
2.对于传播延迟， “ tPDH时间”指的是指定的信号变为高电平“保持tPDL ”指的是它要低。参考门时序图。
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