NEC “
S
7.5 V UHF频段
NE5511279A
RF功率硅LD- MOS FET
特点
高输出功率：
P
OUT
= 40.0 dBm的典型值， F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
OUT
= 40.5 dBm的典型值， F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
高功率附加效率：
η
添加
= 48 ％典型值， F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
5.7 MAX 。
0.6±0.15
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
（底视图）
4.2 MAX 。
1.5±0.2
来源
来源
21001
4.4 MAX 。
高线性增益：
G
L
= 15.0分贝典型值， F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
G
L
= 18.5分贝典型值， F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
表面贴装封装：
5.7× 5.7 ×1.1 mm最大
W
0.4±0.15
5.7 MAX 。
0.8±0.15
1.0最大。
0.8最大。
3.6±0.2
应用
UHF无线电系统
蜂窝中继器
双向无线电
FRS / GMRS
固定无线
描述
NEC的NE5511279A是横向的N沟道硅功率
扩散MOSFET的特别设计作为传输
动力扩增fi er为7.5 V无线电系统。死是制造
使用factured NEC的NEWMOS1技术和设在
表面贴装型封装。该器件可提供40.0 dBm的
输出功率48 ％的功率附加EF网络效率，在900兆赫
采用7.5 V电源电压。
(T
A
= 25°C)
民
38.5
42
1.0
20
典型值
40.0
2.5
48
15.0
40.5
2.75
50
18.5
1.5
5
2.3
24
最大
100
100
2.0
单位
DBM
A
%
dB
DBM
A
%
dB
nA
nA
V
° C / W
S
V
测试条件
F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
in
= 27 dBm时，
I
DSQ
= 400 MA（ RF OFF）
P
in
= 5 dBm的
F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
in
= 25 dBm时，
I
DSQ
= 400 MA（ RF OFF）
P
in
= 5 dBm的
V
GS
= 6.0 V
V
DS
= 8.5 V
V
DS
= 4.8 V，I
DS
= 1.5毫安
渠道情况
V
DS
= 3.5 V，I
DS
= 900毫安
I
DSS
= 15
μA
电气特性
符号
P
OUT
I
D
η
添加
G
L
P
OUT
I
D
η
添加
G
L
I
GSS
I
DSS
V
th
R
th
g
m
BV
DSS
参数
输出功率
漏电流
功率增加外汇基金fi效率
线性增益
输出功率
漏电流
功率增加外汇基金fi效率
线性增益
门源漏电流
漏极至源极漏电流
（零电压门漏电流）
栅极阈值电压
热阻
跨
漏源击穿电压
注意事项：
DC性能100 ％测试。 RF性能上的每片晶圆的几个样品进行测试。
晶圆拒收标准的标准设备是1拒绝了几个样品。
0.9±0.2
美国加州东部实验室
0.2±0.1
单电源：
V
DS
= 2.8 8.0 V
1.2最大。
η
添加
= 50 ％典型值， F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
3
门
漏
门
漏
NE5511279A
推荐焊接条件
本品应进行焊接和安装以下推荐的条件下。对于焊接方法
而且条件比以下的推荐，请联系您最近的销售网络的CE 。
焊接方法
红外再溢流
焊接条件
峰值温度（封装表面温度）
在峰值温度的时间
在220 ℃或更高温度的时间
预热时间，在120 180℃下
重新溢流的最大进程数
最大的氯含量松香通量（ ％质量）
：260 ℃或更低
： 10秒或更少
：60秒或更少
： 120 ± 30秒
： 3次
：0.2％ （重量）或以下
： 215 ℃或更低
： 25至40秒
： 30至60秒
： 3次
：0.2％ （重量）或以下
条件符号
IR260
VPS
峰值温度（封装表面温度）
在200 ℃或更高温度的时间
预热时间，在120 150℃下
重新溢流的最大进程数
最大的氯含量松香通量（ ％质量）
VP215
波峰焊
峰温度（熔融焊料的温度）
：260 ℃或更低
在峰值温度的时间
： 10秒或更少
预热温度（封装表面温度）： 120 ℃或更低
溢流进程的最大数量
最大的氯含量松香通量（ ％质量）
：1次
：0.2％ （重量）或以下
：350 ℃或更低
：3秒或更少
：0.2％ （重量）或以下
WS260
局部加热
峰值温度（引脚温度）
焊接时间（每个器件引脚）
最大的氯含量松香通量（ ％质量）
HS350-P3
注意不要使用不同的焊接方法一起（除局部加热） 。
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
08/26/2003
NEC化合物半导体器件的业务合作伙伴，公司
4590帕特里克·亨利·道
圣克拉拉，加利福尼亚州95054-1817
电话： （ 408 ） 919-2500
传真： （ 408 ） 988-0279
主题：符合欧盟指令
CEL证明，据其所知，下文详述的半导体和激光产品均符合
欧盟（ EU）指令2002/95 / EC限制对使用有害的要求
在电气和电子设备指令（RoHS）物质和欧盟指令的要求
2003/11 / EC号指令的限制五溴和八溴二苯醚。
CEL无铅产品都添加有后缀相同的基本部件编号。后缀表示-A
该器件是无铅的。该-AZ后缀是用来指定含有铅它们是设备
从RoHS指令（ * ）的要求豁免。在所有情况下，设备具有无铅端子。
这些后缀的所有器件符合RoHS指令的要求。
此状态是根据欧盟指令的CEL的理解和材料的知识
进入其产品作为披露该信息之日起。
限用物质
每个符合RoHS
铅（以Pb计）
MERCURY
镉
六价铬
PBB
多溴二苯醚
每个符合RoHS的浓度限制
（值尚未固定的）
< 1000 PPM
< 1000 PPM
< 100 PPM
< 1000 PPM
< 1000 PPM
< 1000 PPM
含有浓度
在CEL设备
-A
未检出
未检出
未检出
未检出
未检出
未检出
-AZ
(*)
如果您有任何其他问题，对我们的设备，并符合环保
标准，请不要犹豫，请联系您当地的销售代表。
在其网站或其他通信concerting物质提供的CEL信息：重要信息和免责声明
其产品的内容代表的知识和信念，它提供的日期。 CEL基于其上的信息，知识和信仰
由第三方提供，不作任何陈述或保证此类信息的准确性。正在努力更好
集成来自第三方的信息。 CEL已经采取并将继续采取合理的措施来提供有代表性的，准确的
对传入的材料和化学品的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析。 CEL和CEL
供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码等有限的信息可能不可用的
释放。
在任何情况下，所产生的这种信息CEL的责任，不得超过争议的CEL部分（ S）由CEL出售总价款
客户在年度基础上。
见CEL条款及细则担保和责任进一步澄清。
QQ：2881677436 复制
