NTTS2P02R2
功率MOSFET
-2.4安培,伏特-20
单P沟道Micro8t
特点
http://onsemi.com
超低低R
DS ( ON)
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
小型微动-8表面贴装封装
二极管具有高转速,软恢复
Micro8安装信息提供
无铅包装是否可用
2.4
安培
20
伏
R
DS ( ON)
= 90毫瓦
单P沟道
D
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理,
如:蜂窝电话和无绳电话,和PCMCIA卡
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境(注1 )
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲(注3 )
热阻
结到环境(注2 )
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲(注3 )
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
20
VDC ,V
GS
=
4.5
VDC ,
峰值I
L
=
5.0
APK , L = 28毫亨,
R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
EAS
价值
20
±8.0
160
0.78
2.4
1.92
20
88
1.42
3.25
2.6
30
55
to
+150
350
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
标记图&
引脚分配
D D D D
8
WW
ADG
G
1
S S S摹
AD
WW
G
=具体设备守则
=工作周
= Pb-Free包装
8
1
Micro8
CASE 846A
风格1
(注:微球可在任一位置)
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTTS2P02R2
NTTS2P02R2G
包
Micro8
Micro8
(无铅)
航运
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ,稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板
( 1平方, 2盎司铜0.06 “厚单面) ,稳态。
3.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
女士,
占空比
≤
2%.
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月,
启5
1
出版订单号:
NTTS2P02R2/D