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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第493页 > NTTS2P02R2_06
NTTS2P02R2
功率MOSFET
-2.4安培，伏特-20
单P沟道Micro8t
特点
http://onsemi.com
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
小型微动-8表面贴装封装
二极管具有高转速，软恢复
Micro8安装信息提供
无铅包装是否可用
2.4
安培
20
伏
R
DS （ ON）
= 90毫瓦
单P沟道
D
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，
如：蜂窝电话和无绳电话，和PCMCIA卡
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注3 ）
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注3 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
20
VDC ，V
GS
=
4.5
VDC ，
峰值I
L
=
5.0
APK ， L = 28毫亨，
R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
EAS
价值
20
±8.0
160
0.78
2.4
1.92
20
88
1.42
3.25
2.6
30
55
to
+150
350
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
标记图&
引脚分配
D D D D
8
WW
ADG
G
1
S S S摹
AD
WW
G
=具体设备守则
=工作周
= Pb-Free包装
8
1
Micro8
CASE 846A
风格1
（注：微球可在任一位置）
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTTS2P02R2
NTTS2P02R2G
包
Micro8
Micro8
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1平方， 2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启5
1
出版订单号：
NTTS2P02R2/D
NTTS2P02R2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注4 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=
250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
=
16
VDC ，T
J
= 25°C)
(V
GS
= 0伏，V
DS
=
16
VDC ，T
J
= 125°C)
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
=
20
VDC ，T
J
= 25°C)
门体漏电流
(V
GS
=
8
VDC ，V
DS
= 0伏）
门体漏电流
(V
GS
= 8伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
MADC ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
=
4.5
VDC ，我
D
=
2.4
ADC）
(V
GS
=
2.7
VDC ，我
D
=
1.2
ADC）
(V
GS
=
2.5
VDC ，我
D
=
1.2
ADC）
正向跨导（V
DS
=
10
VDC ，我
D
=
1.2
ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
（注5 ）
二极管正向导通电压
反向恢复时间
(I
S
=
2.4
ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
4.处理措施以防止静电放电是强制性的。
5.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
6.开关特性是独立的工作结温。
(I
S
=
2.4
ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
=
2.4
ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.88
0.75
37
16
21
0.025
1.0
mC
VDC
ns
(V
DS
=
16
VDC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，
I
D
=
2.4
ADC）
(V
DD
=
10
VDC ，我
D
=
1.2
ADC ，
V
GS
=
2.7
VDC ，R
G
= 6.0
W)
(V
DD
=
10
VDC ，我
D
=
2.4
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，R
G
= 6.0
W)
(V
DS
=
16
VDC ，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
gs
Q
gd
550
200
100
10
31
33
29
15
40
35
35
10
1.5
5.0
18
nC
ns
ns
pF
V
GS （ TH）
0.5
2.0
0.90
2.5
0.070
0.100
0.110
4.2
1.4
0.090
0.130
VDC
毫伏/°C的
W
V
（ BR ） DSS
20
12.7
1.0
25
5.0
100
100
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
I
DSS
I
DSS
I
GSS
I
GSS
MADC
NADC
NADC
R
DS （ ON）
g
FS
姆欧
开关特性
（注5 & 6 ）
http://onsemi.com
2
NTTS2P02R2
4
I
D,
漏电流（安培）
V
GS
=
2.1
V
V
GS
=
10
V
V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
2.5
V
5
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
4
3
2
1
0
T
J
= 25°C
V
GS
=
1.9
V
V
DS
> = 10 V
3
2
V
GS
=
1.7
V
1
V
GS
=
1.5
V
0
T
J
= 100°C
1
1.5
T
J
= 55°C
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征。
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性。
0.2
T
J
= 25°C
0.12
T
J
= 25°C
0.15
0.1
V
GS
=
2.7
V
0.1
0.08
V
GS
=
4.5
V
0.06
0.05
0
2
4
6
8
0.04
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压。
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压。
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
I
D
=
2.4
A
V
GS
=
4.5
V
1000
100
10
1
0.1
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
I
DSS ，
泄漏（ NA）
25
0
25
75
50
100
125
T
J,
结温（ ° C）
150
0.01
0
4
8
12
16
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
20
图5.导通电阻变化与
温度。
图6.漏 - 源极漏电流
与电压。
http://onsemi.com
3
NTTS2P02R2
1500
V
DS
= 0 V
C，电容（pF ）
1200
900
600
300
0
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
5
QT
4
3
Q1
2
1
0
Q2
20
18
16
14
V
GS
12
10
8
I
D
=
2.4
A
T
J
= 25°C
6
8
10
12
14
6
4
2
0
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
10
5
0
V
GS
V
DS
栅极 - 源极或漏极至源极
电压（伏）
5
10
15
20
V
DS
0
2
4
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
图7.电容变化
1000
100
V
DD
=
10
V
I
D
=
1.2
A
V
GS
=
2.7
V
t
D（关闭）
t
r
t
f
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
D（关闭）
t
D（上）
1.0
10
R
G,
栅极电阻（欧姆）
100
t
f
10
t
d
（上）
V
DD
=
10
V
I
D
=
2.4
A
V
GS
=
4.5
V
1.0
1.0
10
R
G,
栅极电阻（欧姆）
100
10
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
2
I
S,
源电流（安培）
1.6
1.2
0.8
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
的di / dt
I
S
t
rr
t
a
t
b
时间
t
p
0.25 I
S
I
S
0.4
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
V
SD ，
源极到漏极电压（伏）
图12.二极管的反向恢复波形
图11.二极管的正向电压
与当前
http://onsemi.com
4
NTTS2P02R2
1
R
thja （t）的
有效瞬态热响应
D = 0.5
0.2
归至R
θJA
在稳定状态（ 1英寸垫）
0.0125
W
0.0563
W
0.110
W
0.273
W
0.113
W
0.436
W
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.021 F
0.137 F
1.15 F
2.93 F
152 F
261 F
0.01
1E03
1E02
1E01
1E+00
T，时间（S ）
1E+03
1E+02
1E+03
图13. FET热响应。
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NCP18WM224J03RB
NC12S0A0V60NRFA
NLVASB3157DFT2G
NSCSSNN030PAUNV
NM27C128VE120
N21160M1EB1S
NG80960KA-16
NJU7031
NJL5190K-F
NEM096081B28
NM24C16UFLVN
NCP303LSN11T1G
NT5DS16M16CT-5T
N5CBIC
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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