【NCN6010SIM卡供应和电平转换器该NCN6010是一个电平移位器的模拟电路设计的翻译一张SIM】,IC型号NCN6010DTBG,NCN6010DTBG PDF资料,NCN6010DTBG经销商,ic,电子元器件-51电子网

NCN6010

SIM卡供应和

电平转换器

该NCN6010是一个电平移位器的模拟电路设计的翻译

一张SIM卡和一个外部微控制器之间的电压。一

内置的DC-DC变换器使NCN6010可用来驱动任何

类型SIM卡。该设备满足GSM 11.11规范。该

外部MPU必须接入到一个专用的输入停止销，提供

一种方法来关掉施加到SIM卡中的故障的情况下的功率

或者当被删除的卡。

特点

http://onsemi.com

记号

图

TSSOP14

DTB后缀

CASE 948G

A =大会地点

=晶圆地段

Y =年

W =工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

NCN

6010

ALYWG

支持3.0 V或5.0 V工作SIM卡

内置上拉电阻的I / O引脚在两个方向

所有引脚都完全ESD保护的，根据GSM规范

支持10 MHz的时钟

在SIM卡销6.0 kV的ESD防

这些都是Pb- Free设备**

典型应用

移动电话SIM卡接口

识别模块

4.7

停止

MOD_V

PWR_ON

I / O

时钟

RESET

CTB

SIM_IO

GND

SIM_CLK

SIM_RST

GND

CLK

RST

GND V

GND

DET

CTA

220 nF的

SIM_V

引脚连接

STOP 2

MOD_VCC 3

PWR_ON 4

I / O 5

CLOCK 6

RESET 7

（ TOP VIEW ）

14 SIM_VCC

13 CTA

12 CTB

11 SIM_IO

10 GND

9 SIM_CLK

8 SIM_RST

GND

MPU或GSM控制器

订购信息

设备

NCN6010DTB

NCN6010DTBG

NCN6010DTBR2

包

TSSOP14*

航运

96单位/铁

DET

I / O

TSSOP -14 * 2500 /磁带&卷轴

NCN6010DTBR2G TSSOP -14 * 2500 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

*这个包本身是无铅。

GND

图1.典型的应用程序接口

**对于我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，

请下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年3月 - 第2版

出版订单号：

NCN6010/D

NCN6010

停止

启用

SIM_V

MOD_V

3 V/5 V

CTA

动力单元& LOGIC

管理

PWR_ON

启用

CTB

PWR_ON

时钟

SIM_CLK

GND

RESET

SIM_RST

GND

20 k

I / O

数据

I / O

GND

地

数据

SIM_IO

图2. NCN6010框图

http://onsemi.com

20 k

NCN6010

引脚说明

针

名字

TYPE

动力

描述

该引脚被连接到系统控制器的电源适合于从操作

3.6 V典型的电池。低ESR陶瓷电容（ 4.7

典型值）应被用来绕过

电源电压。

低水平上该引脚复位SIM接口，关掉SIM_VCC ，根据

在ISO7816-3关机过程（见表1和图3 ）。

该引脚上节目的信号存在的SIM_VCC值（见表1 ）：

MOD_VCC = L

→

SIM_VCC = 5.0 V

MOD_VCC = H

→

SIM_VCC = 3.0 V

在这个引脚上的信号控制SIM_VCC状态（见表1 ）：

PWR_ON = L

→

SIM_VCC =开放，没有连接到SIM卡供应。

PWR_ON = H

→

SIM_VCC =有效，该卡供电。

该引脚被连接到一个外部微控制器或GSM的管理单元。一

双向电平转换以适应智能卡和之间的串行I / O信号

外部控制器。内置的恒20千瓦（典型值）电阻器提供一个高阻抗

当未激活状态。

该时钟信号，从外部控制器来，必须有在一个占空比

最小/由规范（一般为50 ％）中所定义的最大数值。内置的电平移位器

转换的输入信号输出到外部的SIM卡的CLK输入。

在这个引脚RESET信号本连接到SIM卡中。内部等级

器根据目前的引脚1和SIM_VCC的电压转换电平

编程值。

该引脚连接到卡连接器的RESET引脚。电平转换的适应

外部复位信号到SIM卡。内置的有源上拉时，该引脚连接到

地，当设备处于非工作状态。

该引脚连接到卡连接器的CLK引脚。时钟信号来自

外部时钟发生器，内部电平转换器被用来调整电压

定义为SIM_VCC 。内置的有源下拉该引脚连接到地面时，

装置处于非工作模式。

该引脚是集成电路和相关信号的接地参考。关爱

必须注意避免尖峰电压时，器件工作在正常运行状态。

该引脚处理连接到串行卡连接器的I / O。一个双向

电平转换器适配卡与单片机之间的串行I / O信号。一个20

千瓦（典型值）的上拉电阻提供了SIM卡的I / O连接一个高阻抗状态。

动力

该引脚连接到使用内部电荷泵外部电容

转换器。使用低ESR的陶瓷型推荐（ X5R或X7R ）。

该引脚连接到使用内部电荷泵外部电容

转换器。使用低ESR的陶瓷型推荐（ X5R或X7R ）。

该引脚连接到SIM卡电源引脚。内部电荷泵

转换器是由外部微处理器可编程以提供任一3.0伏或5.0伏输出

电压。外部1.0

最小的陶瓷电容（ ESR

100毫瓦， X5R或X7R

推荐的）必须穿过SIM_VCC和GND连接。

在正常操作中， SIM_VCC电压可以设置为3.0V，接着是5.0 V的

价值，或者可以直接开始于任意两个值。当电压被调整

向下（从5.0 V至3.0V）问津必须遵守的反向峰值电流可以流

从外部电容器到电池中的时间很短的量（在1.0

范围内）。当这样的电压调整是必要的，因此建议以强制

SIM_VCC为零，等待350

最小值，然后重新编程芯片来获得SIM_VCC = 3.0V。

停止

MOD_V

输入

PWR_ON

输入

I / O

输入

时钟

输入

RESET

输入

SIM_RST

产量

SIM_CLK

产量

GND

SIM_I / O

地

CTA

CTB

SIM_VCC

http://onsemi.com

NCN6010

最大额定值

（注1 ）

等级

电源

外置卡电源和电平转换器

数字输入电压

数字输入电流

数字输入电压

数字输入电流

数字输入电压

数字输入电流

数字输入电压

数字输入电流

数字输出电压

数字输出电流

数字输入/输出电压

数字输入/输出电流

数字输出电压

数字输出电流

人体模型： R = 1500

C = 100 pF的

SIM卡侧，销8 ，9，11 & 14

所有其他引脚

TSSOP -14封装

功率耗散@ T

= +85°C

热阻，结到空气

工作环境温度范围

工作结温范围

最高结温

存储温度范围

符号

SIM_VCC

停止

RESET

时钟

I / O

SIM_RST

SIM_I / O

SIM_CLK

ESD

6.0

2.0

THhja

JMAX

英镑

275

145

-25至+85

-25至+125

+150

-65到+150

° C / W

°C

价值

7.0

0.3

1.0

0.3

1.0

0.3

1.0

0.3

1.0

0.3

SIM_VCC

0.3

SIM_VCC

0.3

SIM_VCC

单位

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

1.最大电气额定值被定义为超出该设备损坏可能会出现在T的值

= +25°C.

http://onsemi.com

NCN6010

供电部分

（ -255C至+ 855C ）

等级

电源

待机电流@无输入时钟，所有的输入

逻辑H，无负载连接到SIM接口。

接地电流， @ V

= 3.0 V，工作条件：

PWR_ON = 0

SIM_VCC = 5.0 V，I

= 0毫安

SIM_VCC = 5.0 V，I

= 10 MA（注2 ）

SIM_VCC = 3.0 V，I

= 0毫安

SIM_VCC = 3.0 V，I

= 6.0毫安（注2 ）

外置卡电源5.0 V

@ 2.7 V

3.6 V，I

= 10毫安

外置卡电源3.0 V

@ 2.7 V

3.6 V，I

= 10毫安

输出SIM卡电源电压接通时间

克拉= 220 nF的， COUT1 = 1.0

"20%

= 3.0 V， SIM_VCC = 5.0 V

= 3.0 V， SIM_VCC = 3.0 V

输出SIM卡电源电压关闭时间

克拉= 220 nF的， COUT1 = 1.0

"20%

（注3）

= 2.7 V ， SIM_VCC = 5.0 V ， @ V

低

= 0.4 V

= 2.7 V ， SIM_VCC = 3.0 V， @ V

低

= 0.4 V

输出电压纹波（注4 ）

克拉= 220 nF的， COUT1 = 1.0

MF，

COUT2 = 100 nF的

= 3.0 V， SIM_VCC = 5.0 V，I

= 10毫安

（不相关的SIM_VCC = 3.0 V）

输入峰值电流在DC-DC启动

@ V

= 3.0 V， SIM_VCC = 5.0 V

输入平均电流在正常工作时，

@ V

= 3.0 V， SIM_VCC = 5.0 V

DC-DC内部振荡器

符号

I V

针

民

2.7

5.0

125

200

SIM_VCC

4.5

= 50毫伏

VCC

吨

1.0

0.5

VCC

花花公子

300

VCC

愿（死者）安息

200

DDpk

DDavg

FOSC

300

800

千赫

= 25 mV的

5.5

典型值

500

最大

3.6

单位

2.我

电流表示由负载和一个由芯片吸收所吸收的电流之间的绝对差。

3. A 350

延迟必须通过重新激活SIM_VCC之前输出所述外部MPU的被观察到。

4.使用低ESR的电容型（最大100毫瓦），是强制性的CT， COUT1和COUT2达到NCN6010规范。陶瓷类

（ X5R或X7R ）建议。

数字输入部分时钟，复位， I / O ， STOP ， MOD_VCC ， PWR_ON

等级

高电平输入电压

低电平输入电压

输入上升时间

输入下降时间

输入电容

输入@ 45 ％ <占空比< 55 ％

时钟上升时间

时钟下降时间

输入时钟电容

输入/输出数据传输频率

I / O上升时间

I / O下降时间

输入的I / O容量

符号

CIN

时钟

针

2, 3

4, 5

6, 7

民

0.7 * V

典型值

最大

0.3 * V

5.0

160

0.8

单位

兆赫

千赫

I / O

http://onsemi.com