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1996年7月

NDS331N

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

这些N沟道逻辑电平增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这非常高的密度

过程特别是针对减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

在笔记本电脑中的应用程序，移动电话， PCMCIA

卡，以及其他

电池供电电路中快

切换和低线的功率损耗，需要在非常

小尺寸表面贴装封装。

特点

1.3 A， 20 V

DS （ ON）

= 0.21

@ V

= 2.7 V

DS （ ON）

= 0.16

@ V

= 4.5 V.

行业标准外形SOT- 23表面贴装封装

使用poprietary SuperSOT

-3设计卓越的热

和电气性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

_______________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

英镑

参数

漏源电压

= 25 ° C除非另有说明

NDS331N

（注1A ）

单位

栅源电压 - 连续

最大漏极电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

1.3

0.5

0.46

-55到150

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

（注1A ）

250

（注1 ）

° C / W

热阻，结到外壳

1997仙童半导体公司

NDS331N Rev.E

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= 250 A

= 16 V, V

= 0 V

=125°C

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

= 8 V, V

= 0 V

= -8 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 A

=125°C

静态漏源导通电阻

= 2.7 V，I

= 1.3 A

=125°C

= 4.5 V，I

= 1.5 A

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

通态漏电流

= 2.7 V, V

= 5 V

= 4.5 V, V

= 5 V

正向跨导

= 5 V，I

= 1.3 A,

= 10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

162

3.5

0.5

0.3

0.7

0.53

0.15

0.24

0.11

100

-100

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

0.8

0.21

0.4

0.16

开关特性

（注2 ）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 5 V，I

= 1.3 A,

= 4.5 V

= 5 V，I

= 1 A,

= 5 V ，R

根

= 6

3.5

0.3

NDS331N Rev.E

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= 0.42 A

（注2 ）

0.8

0.42

1.2

(

) =

J A

)

(

J·C

)

(

) ×

(

)

典型

使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 250

安装在一个0.02 C / W的时

垫2盎司覆铜。

b. 270

安装在一个0.001 C / W的时

垫2盎司覆铜。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

NDS331N Rev.E

典型电气特性

，漏源电流（A ）

1.75

3.0

2.7

2.0

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

=4.5V

2.5

1.5

= 2.0V

1.25

2.5

1.5

2.7

3.0

3.5

4.5

0.75

0.5

，漏源电压（V ）

0.5

1.5

，漏电流（ A）

2.5

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化

与漏极电流和栅极电压。

1.8

漏源导通电阻

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

-50

1.75

DS （ ON）

归一化

DS （ ON）

归一化

= 1.3A

= 2.7V

= 2.7 V

1.5

TJ = 125°C

1.25

25°C

0.75

-55°C

0.5

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.5

1.5

我，漏极电流（ A）

2.5

图3.导通电阻变化

随温度

图4.导通电阻变化

与漏电流和温度

1.3

门源阈值电压

= 5.0V

，漏电流（ A）

T = -55°C

25°C

125°C

归一化

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

-50

= V

= 250A

0.5

1.5

，门源电压（ V）

2.5

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图5.传输特性

图6.门阈值变化

随温度

NDS331N Rev.E

典型电气特性

（续）

DSS

归一化

漏源击穿电压

1.12

= 250A

1.08

我，反向漏电流（ A）

= 0V

0.1

T = 125°C

0.01

1.04

25°C

-55°C

0.96

0.001

0.92

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

五，体二极管正向电压（ V）

1.2

图7.击穿电压变化与

温度。

图8.体二极管正向电压的变化与

源电流和温度

600

，栅源电压（V ）

400

200

100

= 1.3A

= 5V

15V

10V

电容（pF）

国际空间站

OSS

RSS

0.1

F = 1 MHz的

= 0V

0.2

0.5

，漏源极电压（ V）

，栅极电荷（ NC）

图9.电容特性

图10.栅极电荷特性

关闭

90%

OUT

D（上）

D（关闭）

90%

根

OUT

DUT

10%

倒

90%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

NDS331N Rev.E

SMD型

产品speci fi cation

NDS331N

概述

这些N沟道逻辑电平增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这非常高的密度

过程特别是针对减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

在笔记本电脑中的应用程序，移动电话， PCMCIA

卡，以及其他

电池供电电路中快

切换和低线的功率损耗，需要在非常

小尺寸表面贴装封装。

特点

1.3 A， 20 V

DS （ ON）

= 0.21

@ V

= 2.7 V

DS （ ON）

= 0.16

@ V

= 4.5 V.

行业标准外形SOT- 23表面贴装封装

使用poprietary SuperSOT

-3设计卓越的热

和电气性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

_______________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

英镑

参数

漏源电压

= 25 ° C除非另有说明

NDS331N

（注1A ）

单位

栅源电压 - 连续

最大漏极电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

1.3

0.5

0.46

-55到150

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

（注1A ）

250

（注1 ）

° C / W

热阻，结到外壳

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1第3

SMD型

产品speci fi cation

NDS331N

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= 250 A

= 16 V, V

= 0 V

=125°C

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

= 8 V, V

= 0 V

= -8 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 A

=125°C

静态漏源导通电阻

= 2.7 V，I

= 1.3 A

=125°C

= 4.5 V，I

= 1.5 A

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

通态漏电流

= 2.7 V, V

= 5 V

= 4.5 V, V

= 5 V

正向跨导

= 5 V，I

= 1.3 A,

= 10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

162

3.5

0.5

0.3

0.7

0.53

0.15

0.24

0.11

100

-100

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

0.8

0.21

0.4

0.16

开关特性

（注2 ）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 5 V，I

= 1.3 A,

= 4.5 V

= 5 V，I

= 1 A,

= 5 V ，R

根

= 6

3.5

0.3

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 3

SMD型

产品speci fi cation

NDS331N

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= 0.42 A

（注2 ）

0.8

0.42

1.2

(

) =

J A

)

(

J·C

)

(

) ×

(

)

典型

使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 250

安装在一个0.02 C / W的时

垫2盎司覆铜。

b. 270

安装在一个0.001 C / W的时

垫2盎司覆铜。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

3 3