【NCP5331两相PWM控制器集成栅极驱动器该NCP5331是第二代，两相降压控制器即采用了先进的控】,IC型号NCP5331_05,NCP5331_05 PDF资料,NCP5331

NCP5331

两相PWM

控制器集成

栅极驱动器

该NCP5331是第二代，两相降压控制器

即采用了先进的控制功能来驱动64位AMD

Athlont处理器和低电压，高电流的电源。

专有的多相架构，保证了均衡负载电流

共享，降低了输出电压和输入电流纹波，减小

滤波器的要求，电感值，并增加输出电流

摆率。传统的增强V

2

t

已合并的

内部PWM斜坡，直接从V电压反馈

CORE

对

内部PWM比较器。这些功能和增强功能提供

最快的瞬态响应，减小输出电压的抖动，提供

更大的设计灵活性和便携性，并最大限度地减少整体

解决方案的成本。

高级特性包括可调节的电源良好延迟，

可编程的过流关断定时器，优越的过压

保护（ OVP ）和差分遥感。创新

过电压保护（ OVP）期间计划保障了CPU

极端的情况下，包括电源与短路上MOSFET ，

短路的正常操作过程中的上部MOSFET的，并且损失

该电压反馈信号， COREFB + 。

特点

http://onsemi.com

LQFP32

FT后缀

CASE 873A

标记DIAGRAMS

NCP5331

AWLYYWWx

32

降低SMT封装尺寸（ 7毫米

×

7 mm)

增强的V

2

控制方法

四个板载栅极驱动器

内部PWM坡道

差分远端电压检测

快速反馈引脚（V

FFB

)

5位DAC， 0.8 ％容差系统

定时打嗝模式电流限制

电源良好输出，具有可编程延迟

先进的过压保护（ OVP ）

可调输出电压定位

150 kHz至600 kHz的工作频率设定由电阻

“无损”检测电流通过输出电感器

独立的电流检测放大器

5.0 V ， 2毫安参考输出

无铅包装是可用*

1

A

WL

YY

WW

x

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

= G或

G

*无铅指示符，“G”或微点“

G”,

可以或可以不存在。

订购信息

设备

NCP5331FTR2

NCP5331FTR2G

包

LQFP32

（无铅）

航运

2000磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年3月 - 12牧师

出版订单号：

NCP5331/D

NCP5331

引脚连接

LQFP32

COMP

I

LIM

5 V

SB

PGD

C

PGD

C

OVC

V

CCL

V

CCL1

V

FB

V

DRP

LGND

CS1

CS

REF

CS2

V

FFB

5 V

REF

32 31 30 29 28 27 26 25

24

23

22

21

20

19

18

17

9 10 11 12 13 14 15 16

1

2

3

4

5

6

7

8

GL1

GND1

GH1

CB

OUT

V

CCH

GH2

GND2

GL2

R

OSC

-SEN

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

V

ID4

V

CCL2

http://onsemi.com

2

R1

15

7.0 V

+12 V

PWR

L3

300 nH的

+

+12 V

C1

10

mF

R2

910

Q7

MMBT2132LT3

R5

3

+12 V

D3

5 V

SB

CC1

2.2 nF的

C

PGD

0.022

mF

Q1

C

OVC

0.22

mF

I

LIM

Q5

27

26

25

32

31

30

29

C

IN

C2

0.33

mF

D1

7.5 V, 5%

BZX84C7V5LT3

C

5VSB

0.1

mF

CH

1.0

mF

CP1

1.0

mF

C

VCC

1.0

mF

D2

CC2

0.1

mF

RC1

7.5 k

V

CORE

L1

825 nH的

R6

2

V

CORE

R3

56

1

24

23

22

21

20

19

18

17

2

CF1

1.0 nF的

CA1

0.01

mF

COMP

I

LIM

5 V

SB

PGD

C

PGD

C

OVC

V

CCL

V

CCL1

28

PGD

推荐组件：

Q1 ， Q4 ：安森美半导体NTD60N03 （ 60 A， 28 V， 6.1毫瓦）

Q5 - Q9 ：安森美半导体NTD80N02 （ 80 A， 24 V ， 5.0毫瓦）

L1 ， L2 ： COILTRONICS CTX22-15274或T50-8B / 90 W的＃ 16 / 6吨

AWG双线（ 1毫瓦）

L3 ： COILTRONICS CTX15-14771或T30-26 W / 3的T ＃ 16 AWG

Q6

RF1

3.6 k

C3

4700 pF的

Q9

COREFB +

NCP5331

R

OSC

-SEN

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

V

ID4

V

CCL2

9

10

11

12

13

14

15

16

图1.应用图， 12 V至1.2 V 52 A， 200 kHz的64位的AMD Athlon处理器

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CSB

470 pF的

4

5

6

C

IN

: 5

×

RUBYCON 16MBZ1500M10x20 （ 1500

MF，

16 V ， 2.55

RMS

)

CO1 ： 10

×

RUBYCON 16MBZ1000M10X16 （1000

MF，

16 V ， 19毫瓦）

CO2 ： 24

×

TDK C2012X5R0J106M （ 10

MF，

6.3 V, 0805)

CO3 ： 16

×

TDK C1608X5R1A224KT （ 0.22男， 10 V ， 0603 ）

CO4 ： 2

×

三洋POSCAP 6TPD330M （ 330

MF，

6.3 V， 10毫瓦， 4.4

RMS

)

3

R

DRP

14.7 k

3

NCP5331

CSA

0.1

mF

1.0 M

7

8

RS

1.87 k

RCB

6.2 k

Q4

V

FB

V

DRP

LGND

CS1

CS

REF

CS2

V

FFB

5 V

REF

GL1

GND1

GH1

CB

OUT

V

CCH

GH2

GND2

GL2

CP2

1.0

mF

L2

825 nH的

Q7

Q8

R7

2

I

LIM

R

LIM1

2.37 k

C

REF

0.1

mF

R

OSC

51 k

V

ID0

C

FFB

0.01

mF

R

LIM2

910

CO1

+

V

ID2

V

ID1

V

ID4

V

ID3

CL

1.0

mF

D4

BAT54CLT1

12 V

5 V

SB

RS2

10 k

建行

1.0

mF

SWNODE2

SWNODE1

CO4

+

C4

4700 pF的

COREFB ＃

CO2

LGND关系到PGND

在1点

V

CORE

R4

56

CS1

0.11

mF

CS2

0.1

mF

RS1

10 k

CO3

NCP5331

最大额定值*

等级

工作结温

无铅焊接温度

SMD回流焊温度曲线（最大60秒）

存储温度范围

封装热阻：

结到环境，R

qJA

价值

150

230

183

-65到150

52

2.0

待定

单位

°C

PEAK

°C

° C / W

kV

ESD敏感性（人体模型）

JEDEC湿度敏感度

*最大包装功耗必须遵守。

最大额定值

引脚符号

COMP

V

FB

V

DRP

CS1，CS2

CS

REF

R

OSC

PGD

VID引脚

I

LIM

5 V

REF

CB

OUT

C

PGD

C

OVC

V

CCL

V

CCH

V

CCLx

5 V

SB

GHX

GLX

GND1 ， GND2

LGND

-SEN

V

最大

6.0 V

13.2 V

6.0 V

16 V

20 V

16 V

6.0 V

20 V

16 V

0.3 V

0V

0.3 V

V

民

0.3 V

-2.0 V为100纳秒，

-0.3 V DC

-2.0 V为100纳秒，

-0.3 V DC

0.3 V

0V

0.3 V

I

来源

1.0毫安

不适用

1.5 1.0

女士，

200毫安DC

1.5 1.0

女士，

200毫安DC

2.0 A 1.0

女士，

200毫安DC

50毫安

1.0毫安

I

SINK

1.0毫安

8.0毫安

1.0毫安

20毫安

4.0毫安

1.0毫安

50毫安

1.5 1.0

女士，

200毫安DC

1.5 1.0

女士，

200毫安DC

1.0毫安

1.5 1.0

女士，

200毫安DC

1.5 1.0

女士，

200毫安DC

不适用

1.0毫安

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4

NCP5331

电气特性

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼

J

< 125°C ; 9.0 V < V

CCL

< 16 V ; 9.0 V < V

CCH

< 20 V ;

9.0 V < V

CCL1

= V

CCL2

< 14 V ;

门

= 3.3 nF的，R

ROSC

= 32.4千瓦，C

COMP

= 1.0 nF的，C

5V(REF)

= 0.1

MF，

DAC码01110 （ 1.2 V），

C

VCC

= 1.0

MF，

0.25 V

≤

I

LIM

≤

1.0 V ;除非另有说明）

特征

电压识别DAC

电压识别（ VID ）码

V

ID4

0

1

V

ID3

0

1

0

1

V

ID2

0

1

0

1

0

1

0

1

V

ID1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

V

ID0

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

测量V

FB

= COMP ， -SEN = LGND

COMP SEN

从编程的VID代码百分偏差

VID = 11111

V

ID0

V

ID4

V

ID0

V

ID4

0.8

5.0

1.00

12

1.550

1.525

1.500

1.475

1.450

1.425

1.400

1.375

1.350

1.325

1.300

1.275

1.250

1.225

1.200

1.175

1.150

1.125

1.100

1.075

1.050

1.025

1.000

0.975

0.950

0.925

0.900

0.875

0.850

0.825

0.800

关闭

10

1.25

25

2.3

0.8

15

1.50

40

2.6

V

%

ms

V

mA

V

测试条件

民

典型值

最大

单位

系统精度

关机延时

输入阈值

VID引脚偏置电流

VID引脚钳位电压

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5