【MX29LV640MT/B特点64M - BIT [ 8M ×8 / 4M ×16 ]单电压3V O】,IC型号MX29LV640MTTC-90,MX29LV640MTTC-90 PDF资料,MX29LV640MTTC-90经销商,ic,电子元器件-51电子网

MX29LV640MT/B

特点

64M - BIT [ 8M ×8 / 4M ×16 ]单电压3V ONLY

FL灰内存

- 主动写电流：50mA （典型值）。

- 待机电流的20uA （典型值）。

最少100,000次擦除/编程周期

20年的数据保存

软件特点

支持通用闪存接口（ CFI ）

- 闪存器件参数存储在设备上，并

提供主机系统的访问。

程序挂起恢复

- 挂起编程操作来读取数据

其他行业

擦除暂停/删除恢复

- 挂起扇区擦除操作来读取/编程

其他行业

状态回复

- 数据＃轮询&切换位提供检测的亲

克和擦除操作完成

硬件特性

就绪/忙（ RY / BY ＃）输出

- 提供了检测程序的硬件方法

和擦除操作完成

硬件复位（ RESET ＃）输入

- 提供了硬件的方法来重置内部

状态机来读取模式

WP ＃ / ACC输入

- 写保护（ WP ＃）功能可保护2

最外层的引导扇区，无论部门保护

状态

- ACC （高电压）加速编程时间

系统在更高的吞吐量

包

- 48引脚TSOP

63球CSP

所有无铅器件符合RoHS标准

一般特点

单电源工作

- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作

系统蒸发散

8,388,608 ×8 / 4194304 ×16切换

产业结构

- 8KB （ 4KW ）× 8和64KB （ 32KW ）× 127

扇区保护/撤消芯片

- 提供行业组保护功能，防止

在受保护的部门编程或擦除操作

组

- 提供芯片撤消功能允许代码

变化

- 提供临时机构集团解除保护功能

在以前受保护的行业团体代码更改

安全硅行业

- 提供一个128字的区域代码或数据可以

被永久保护

- 一旦这个行业是受保护的，禁止以亲

克或再次部门内删除

闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V

低VCC写入禁止等于或小于1.5V

兼容JEDEC标准

- 针脚和软件兼容的单电源支持

层闪光

性能

高性能

- 快速访问时间：为90ns

- 页面读取时间： 25ns的

- 扇区擦除时间： 0.5秒（典型值）。

- 4字/ 8字节的页读取缓冲区

- 16字/ 32字节的写缓冲区：减少编程

时间多字/字节更新

低功耗

- 读操作工作电流： 18毫安（典型值）。

概述

该MX29LV640MT / B为64兆比特的闪存

组织成8位8M字节或16位的4M字。

旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和

可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。

该MX29LV640MT / B封装采用48引脚TSOP ， 63-

球的CSP 。它被设计成可重新编程和擦除

在系统或标准EPROM编程器。

标准MX29LV640MT / B提供了存取时间为

高速微处理器的速度是为90ns ，使操作

处理机无需等待。为了消除总线conten-

化，在MX29LV640MT / B具有独立的芯片使能

（ CE ＃）和输出使能（ OE ＃）控制。

旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM

在电路中的电擦除和编程。该

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MX29LV640MT/B

MX29LV640MT / B使用命令寄存器管理

此功能。

旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容

即使经过10万次擦除和编程。该MXIC

存储单元的设计优化了擦除和编程

机制。先进此外，组合

隧道氧化处理，且内部电场

擦除和编程操作产生可靠

骑自行车。该MX29LV640MT / B采用2.7V至3.6V的VCC

提供给执行高可靠性擦除和经销商

编程/擦除算法。

最高程度的闩锁保护的实现

与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲

tection证明为应力高达100毫安的

地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。

自动扇区擦除

该MX29LV640MT / B为扇区的擦除使用

旺宏的自动扇区擦除算法。扇区擦除模式

该阵列的允许扇区在一个擦除周期被擦除。

自动扇区擦除算法自动亲

克前电擦除指定扇区的。

定时和验证电擦除的被CON组

该装置内的内部控制。

自动擦除算法

旺宏的自动擦除算法需要用户

使用标写命令到命令寄存器

准微处理器写时序。该设备将自动

matically预编程和验证整个阵列。然后

该装置自动倍擦除脉冲宽度，

提供了擦除验证，并进行计数的数目

的序列。状态位次连续之间切换

略去读周期提供反馈给用户作为对

编程操作的状态。

寄存器的内容作为输入到内部语句

机器控制的擦除和编程税务局局长

cuitry 。在写周期中，指令寄存器间

应受锁存器所需的编程地址和数据

明和擦除操作。在系统写周期

地址被锁存的下降沿，并且数据是

锁存WE＃上升沿。

MXIC的Flash技术结合多年的EPROM

经验，生产质量的最高水平，可靠

能力，和成本效益。该MX29LV640MT / B

电擦除同时使用福勒的所有位

Nordheim隧穿。该字节由美中编程

荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制

tron的注入。

在一个程序周期中，状态机将控制

该程序序列和指令寄存器不会

响应任何命令集。在一个扇区擦除

周期中，命令寄存器将只响应擦除

暂停命令。擦除暂停结束后，

该设备停留在读取模式。状态机之后，

已经完成了它的任务，它将使命令寄存器

之三，以应对其完整的命令集。

自动编程

该MX29LV640MT / B是字节/字/页编程

采用自动编程算法。中的自动

MATIC编程算法使得外部系

统不需要有时间按顺序也不验证

数据编程。典型的芯片编程时间

在MX29LV640MT室温/ B小于

63秒。

自动编程算法

旺宏的自动编程算法要求用户

只写程序设置命令（其中包括2个非

锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲

克数据和地址）。设备会自动倍

编程脉冲的宽度，提供了veri-程序

fication ，并计算序列的数量。一个状态

类似数据＃轮询和状态位切换BE-位

吐温连续读周期，提供反馈

用户以编程操作的状态。

自动芯片擦除

整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除

根据旺宏的自动芯片擦除算法。

典型擦除在室温下完成的

少于64秒。自动擦除算法

自动程序的整个阵列之前，电

抹去。电擦除的时序和验证是

在装置内的内部控制。

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MX29LV640MT/B

引脚配置

48 TSOP

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

A20

WE＃

RESET＃

A21

WP ＃ / ACC

RY / BY ＃

A18

A17

A16

BYTE ＃

GND

Q15/A-1

Q14

Q13

Q12

Q11

Q10

OE ＃

GND

CE＃

MX29LV640MT/B

63球CSP （顶视图，球下来）

12.0 mm

NC *

A13

A12

A14

A15

A16

BYTE ＃

Q15/

A-1

GND

NC *

A10

A11

Q14

Q13

WE＃

RES-

ET ＃

WP ＃ /

加

A21

A19

Q12

VCC

11.0 mm

RY /

BY ＃

A18

A20

Q10

Q11

A17

NC *

CE＃

OE ＃

GND

NC *

*球是通过在衬底短接在一起，但不连接到模具上。

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MX29LV640MT/B

引脚说明

符号

A0~A21

Q0~Q14

Q15/A-1

CE＃

WE＃

OE ＃

RESET＃

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）

芯片使能输入

写使能输入

输出使能输入

硬件复位引脚，低电平有效

加速输入

RY / BY ＃

BYTE ＃

VCC

GND

读/忙输出

选择8位或16位模式

+ 3.0V单电源供电

接地装置

引脚没有内部连接

逻辑符号

A0-A21

Q0-Q15

(A-1)

16或8

CE＃

OE ＃

WE＃

RESET＃

RY / BY ＃

WP ＃ / ACC

BYTE ＃

WP ＃ / ACC硬件写保护/编程

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MX29LV640MT/B

框图

CE＃

OE ＃

WE＃

WP ＃

BYTE ＃

RESET＃

写

控制

输入

逻辑

高压

机

（ WSM ）

编程/擦除

状态

X解码器

状态

FL灰

ARRAY

地址

LATCH

A0-A21

和

卜FF器

SENSE

扩音器

y解码器

Y型通门

来源

命令

数据

解码器

PGM

数据

命令

数据锁存器

节目

数据锁存器

Q0-Q15

I / O缓冲器

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