飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21170H
启5 ， 4/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 50瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 31 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 170瓦CW
输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
170瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
优化的Doherty应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S21170HR3
MRF7S21170HSR3
2110年至2170年兆赫， 50瓦AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF7S21170HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF7S21170HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80C ， 170瓦CW
外壳温度73C ， 25瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.31
0.36
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006-2008 。版权所有。
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
B（最低）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 372
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.72 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
0.9
703
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4.5
0.1
2
2.7
5.4
0.15
2.7
—
6.5
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 50瓦的魅力。 ， F = 2112.5 MHz和
F = 2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
15
29
5.7
—
—
16
31
6.1
- 37
- 15
18
—
—
- 35
-9
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
视频带宽@ 170瓦PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 50瓦的魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 170瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 170瓦CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 170瓦CW
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
VBW
—
25
—
民
典型值
最大
单位
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安， 2110年至2170年MHz带宽
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
0.4
1.95
1.7
18
0.015
0.01
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
Z17
V
供应
+
R2
C1
C2
Z7
C8
C10
C12
C13
R3
RF
输入Z1
C3
C5
C6
C4
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z8
Z9
Z10
Z11 Z12
Z13
Z14
Z15
RF
产量
Z16
C17
DUT
C14
Z18
C15
C16
C18
C7
C9
C11
Z1
Z2*
Z3*
Z4*
Z5*
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.250 X 0.083微带
0.090 X 0.083微带
0.842 X 0.083微带
0.379 X 0.083微带
0.307 X 0.083微带
0.156 X 0.787微带
1.160 X 0.080微带
0.119 X 0.787微带
0.077 X 0.880微带
0.459 X 1.000微带
Z11
Z12*
Z13*
Z14*
Z15*
Z16
Z17, Z18
PCB
0.060 X 0.760微带
0.129 X 0.083微带
0.436 X 0.083微带
0.490 X 0.083微带
0.275 X 0.083微带
0.230 X 0.083微带
0.900 “× 0.080 ”微带
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
=2.55
*变量的调整
图1. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C7, C8, C17, C18
C4, C15
C5
C6
C9, C10, C11, C12
C13
C14
C16
R1, R2
R3
描述
100 pF的电容芯片
6.8 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
0.2 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
0.4 pF的贴片电容
0.1 pF的贴片电容
10 k 1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B101JT500XT
ATC100B6R8BT500XT
ATC100B0R3BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B0R2BT500XT
C5750X5R1H106MT
477KXM063M
ATC100B0R4BT500XT
ATC100B0R1BT500XT
CRCW12061002FKEA
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
伊利诺电容
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
R1
C1
C2
C8
C13
C10 C12
R3
C4
C17
切出区
C3
C5
C6
C14
C15
C16
C18
C9
C11
C7
MRF7S21170H
REV 0
图2. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21170H
第4版，第5/2007号
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 50瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 31 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 170瓦CW
山顶调谐输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
170瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
优化的Doherty应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S21170HR3
MRF7S21170HSR3
2110年至2170年兆赫， 50瓦AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF7S21170HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF7S21170HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80C ， 170瓦CW
外壳温度73C ， 25瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.31
0.36
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006-2007 。版权所有。
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
B（最低）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 270
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.7 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
0.9
703
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1
—
4.5
0.1
2
2.7
5.4
0.15
3
—
6.5
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 50瓦的魅力。 ， F = 2112.5 MHz和
F = 2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪， PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
15
29
5.7
—
—
16
31
6.1
- 37
- 15
18
—
—
- 35
-9
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
视频带宽@ 170瓦PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 50瓦的魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 170瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 170瓦CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 170瓦CW
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
VBW
—
25
—
民
典型值
最大
单位
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安， 2110年至2170年MHz带宽
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
0.4
1.95
1.7
18
0.015
0.01
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
Z17
V
供应
+
R2
C1
C2
Z7
C8
C10
C12
C13
R3
RF
输入Z1
C3
C5
C6
C4
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z8
Z9
Z10
Z11 Z12
Z13
Z14
Z15
RF
产量
Z16
C17
DUT
C14
Z18
C15
C16
C18
C7
C9
C11
Z1
Z2*
Z3*
Z4*
Z5*
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.250 X 0.083微带
0.090 X 0.083微带
0.842 X 0.083微带
0.379 X 0.083微带
0.307 X 0.083微带
0.156 X 0.787微带
1.160 X 0.080微带
0.119 X 0.787微带
0.077 X 0.880微带
0.459 X 1.000微带
Z11
Z12*
Z13*
Z14*
Z15*
Z16
Z17, Z18
PCB
0.060 X 0.760微带
0.129 X 0.083微带
0.436 X 0.083微带
0.490 X 0.083微带
0.275 X 0.083微带
0.230 X 0.083微带
0.900 “× 0.080 ”微带
Taconix TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
=2.55
*变量的调整
图1. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C7, C8, C17, C18
C4, C15
C5
C6
C9, C10, C11, C12
C13
C14
C16
R1, R2
R3
描述
100 pF的电容芯片
6.8 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
0.2 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
0.4 pF的贴片电容
0.1 pF的贴片电容
10 k 1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B101JT500XT
ATC100B6R8BT500XT
ATC100B0R3BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B0R2BT500XT
C5750X5R1H106MT
477KXM063M
ATC100B0R4BT500XT
ATC100B0R1BT500XT
CRCW12061002FKTA
CRCW120610R0FKTA
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
伊利诺电容
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
R1
C1
C2
C8
C13
C10 C12
R3
C4
C17
切出区
C3
C5
C6
C14
C15
C16
C18
C9
C11
C7
MRF7S21170H
REV 0
图2. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21170H
第3版， 9/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的单载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 50瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 31 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 170瓦CW
山顶调谐输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
170瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S21170HR3
MRF7S21170HSR3
2110年至2170年兆赫， 50瓦AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF7S21170HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF7S21170HSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80C ， 170瓦CW
外壳温度73C ， 25瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.31
0.36
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
B（最低）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 270
μAdc ）
门静态电压
(1)
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.7 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
0.9
703
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
2.8
0.15
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 50瓦的魅力。 ， F = 2112.5 MHz和
F = 2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪， PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
视频带宽
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 170瓦CW
在60 MHz带宽从线性相位偏差
@ P
OUT
= 170瓦CW
群时延@ P
OUT
= 170瓦CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 170瓦CW
增益随温度变化
输出功率随温度变化
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
VBW
—
25
—
15
29
5.7
—
—
16
31
6.1
- 37
- 15
18
—
—
- 35
-9
dB
%
dB
dBc的
dB
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安， 2110- 2170 MHz带宽
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
0.4
1.95
1.7
18
0.015
0.01
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
Z17
V
供应
+
R2
C1
C2
Z7
C8
C10
C12
C13
R3
RF
输入Z1
C3
C5
C6
C4
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
RF
产量
Z16
C17
DUT
C14
Z18
C15
C16
C18
C7
C9
C11
Z1
Z2*
Z3*
Z4*
Z5*
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.250 X 0.083微带
0.090 X 0.083微带
0.842 X 0.083微带
0.379 X 0.083微带
0.307 X 0.083微带
0.156 X 0.787微带
1.160 X 0.080微带
0.119 X 0.787微带
0.077 X 0.880微带
0.459 X 1.000微带
Z11
Z12*
Z13*
Z14*
Z15*
Z16
Z17, Z18
PCB
0.060 X 0.760微带
0.129 X 0.083微带
0.436 X 0.083微带
0.490 X 0.083微带
0.275 X 0.083微带
0.230 X 0.083微带
0.900 “× 0.080 ”微带
Taconix TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
=2.55
*变量的调整
图1. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C7, C8, C17, C18
C4, C15
C5
C6
C9, C10, C11, C12
C13
C14
C16
R1, R2
R3
描述
100 pF的100B贴片电容
6.8 pF的600B贴片电容
0.3 pF的700B贴片电容
0.8 pF的600B贴片电容
0.2 pF的700B贴片电容
10
μF
贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
0.4 pF的700B贴片电容
0.1 pF的700B贴片电容
10 k 1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
100B101JW500XT
600B6R8BT500XT
700B0R3BW500XT
600B0R8BT500XT
700B0R2BW500XT
C5750X5R1H106MT
13661471
700B0R4BW500XT
700B0R1BW500XT
CRCW12061001FKTA
CRCW120610R0FKTA
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
飞利浦
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R2
R1
C1
C2
C8
C13
C10 C12
R3
C4
C17
切出区
C3
C5
C6
C14
C15
C16
C18
C9
C11
C7
MRF7S21170H
REV 0
图2. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
5
PARC （分贝）
10
15
20
25
η
D
，沥干
效率（％）
5
PARC （分贝）
10
15
20
25
2100毫安
I
DQ
= 700毫安
40
1400毫安
50
1050毫安
60
1
10
100
400
1
10
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
1750毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
17
16
G
ps
，功率增益（分贝）
15
14
13
IRL
12
11
10
公园
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 50瓦（平均） ，我
DQ
= 1400毫安
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽， PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
G
ps
36
34
32
30
28
0
1
2
3
2220
9
2060
2080
2100
2120
2140
2160
2180
2200
男，频率（MHz）
图3.输出峰值 - 到 - 平均压缩比（ PARC ）
宽带性能@ P
OUT
= 50瓦的魅力。
17
16
G
ps
G
ps
，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
10
公园
9
2060
2080
2100
2120
2140
2160
2180
2200
5
2220
IRL
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 84 W（平均） ，我
DQ
= 1400毫安
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽， PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
40
38
36
2
3
4
44
42
男，频率（MHz）
图4.输出峰值 - 到 - 平均压缩比（ PARC ）
宽带性能@ P
OUT
= 84瓦的魅力。
18
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 2100毫安
17
G
ps
，功率增益（分贝）
1750毫安
16
1400毫安
1050毫安
10
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
20
30
15
14
700毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
13
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21170H
牧师6 ， 3/2011
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
usedin 姑娘AB和C姑娘下PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 50瓦的魅力。 ， F = 2167.5兆赫， IQ幅度裁剪，
信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 31 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - --37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 170瓦CW
输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
170瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
优化的Doherty应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
MRF7S21170HR3
MRF7S21170HSR3
2110-
-2170兆赫， 50瓦平均， 28 V
单W-
-CDMA
横向N-
声道
RF功率MOSFET
CASE 465B-
-03 ，风格1
NI-
-880
MRF7S21170HR3
CASE 465C-
-02 ，风格1
NI-
-880S
MRF7S21170HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +65
--6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80C ， 170瓦CW
外壳温度73C ， 25瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.31
0.36
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006--2008 ， 2011。保留所有权利。
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
B（最低）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 372
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.72 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
0.9
703
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4.5
0.1
2
2.7
5.4
0.15
2.7
—
6.5
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 50瓦的魅力。 ， F = 2167.5兆赫，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
15
29
5.7
—
—
16
31
6.1
--37
--15
18
—
—
--35
--9
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
视频带宽@ 170瓦PEP P
OUT
其中， IM3 = -30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
IMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 50瓦的魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 170瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 170瓦CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 170瓦CW
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
符号
VBW
—
25
—
民
典型值
最大
单位
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安， 2110--2170 MHz带宽
G
F
Φ
延迟
Φ
G
P1dB
—
—
—
—
—
—
0.4
1.95
1.7
18
0.015
0.01
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
分贝/°C的
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
BIAS
R1
R2
Z17
V
供应
+
C1
C2
Z7
C8
C10
C12
C13
R3
RF
输入Z1
C3
C5
C6
C4
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z8
DUT
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
RF
Z16输出
C17
C18
C14
Z18
C15
C16
C7
C9
C11
Z1
Z2*
Z3*
Z4*
Z5*
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.250 X 0.083微带
0.090 X 0.083微带
0.842 X 0.083微带
0.379 X 0.083微带
0.307 X 0.083微带
0.156 X 0.787微带
1.160 X 0.080微带
0.119 X 0.787微带
0.077 X 0.880微带
0.459 X 1.000微带
Z11
Z12*
Z13*
Z14*
Z15*
Z16
Z17, Z18
PCB
0.060 X 0.760微带
0.129 X 0.083微带
0.436 X 0.083微带
0.490 X 0.083微带
0.275 X 0.083微带
0.230 X 0.083微带
0.900 “× 0.080 ”微带
Taconic的TLX8--0300 ， 0.030 ，
ε
r
=2.55
*变量的调整
图1. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C7, C8, C17, C18
C4, C15
C5
C6
C9, C10, C11, C12
C13
C14
C16
R1, R2
R3
描述
100 pF的电容芯片
6.8 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
0.2 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
0.4 pF的贴片电容
0.1 pF的贴片电容
10 k 1/4 W贴片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B101JT500XT
ATC100B6R8BT500XT
ATC100B0R3BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B0R2BT500XT
C5750X5R1H106MT
477KXM063M
ATC100B0R4BT500XT
ATC100B0R1BT500XT
CRCW12061002FKEA
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
伊利诺电容
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
R1
C1
C2
C8
C13
C10 C12
R3
C17
C4
切出区
C3
C5
C6
C14
C15
C16
C18
C9
C11
C7
MRF7S21170H
REV 0
图2. MRF7S21170HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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