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MASWCC0010

砷化镓SP4T开关，吸收，单电源

DC - 4.0 GHz的

特点

操作DC - 在单电源4 GHz的

ASIC TTL / CMOS驱动器

无铅4× 7毫米芯片级塑料包装

低DC功耗

50欧姆的标称阻抗

测试板可

磁带和卷轴是可用

无铅CSP- 2封装

100 ％雾锡电镀铜多

无卤素“绿色”模塑化合物

260℃回流焊

SW90-0003的*符合RoHS标准的版本

V4版本

引脚配置

2, 3, 4

PIN号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

功能

CP2

VEE

NC

1

C4

C3

C2

C1

NC

1

NC

1

NC

1

NC

1

NC

1

GND

RF1

GND

NC

1

GND

RF2

PIN号

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

功能

GND

NC

1

GND

RFC

GND

NC

1

RF3

GND

NC

1

GND

RF4

GND

NC

1

VEE

VCC

NC

1

VCC

CP1

描述

M / A - COM的MASWCC0010是一个SP4T吸收

的pHEMT开关与整体的TTL驱动程序。该装置

是在MLP塑料表面贴装封装。这

交换机能够提供出色的宽带性能，

重复性从直流到4GHz ，同时保持

低DC功耗。该MASWCC0010是

非常适合用于无线基础设施应用。

订购信息

1.

2.

18

产品型号

MASWCC0010

MASWCC0010TR

MASWCC0010-TB

包

散装包装

1000件卷轴

抽样检验局

4.

3.

NC =无连接

对于单电源供电VEE内部产生

并且必须保持隔离外部电源。

产生的噪声是典型的开关型DC -DC转换器。

在功能显示连接和外部元件

示意性是必需的。 0.1μF电容必须某一地址

cated近销32 & 33 。

裸露焊盘集中在封装底部必须是

连接到RF和DC接地。（对于PQFN封装）

注：参考应用笔记M513的卷大小

信息。

*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。

1

高级：

数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息

北美

电话： 800.366.2266

欧洲

联系电话： +353.21.244.6400

正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，

印度

联系电话： +91.80.4155721

中国

联系电话： +86.21.2407.1588

和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。

访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。

初步：

数据表包含有关产品M / A- COM技术信息

解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格

典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。

M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的

致力于生产数量难以保证。

更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。

MASWCC0010

砷化镓SP4T开关，吸收，单电源

DC - 4.0 GHz的

电气规格：吨

A

= 25°C

参数

插入损耗

隔离

VSWR

V4版本

测试条件

RFC- RF1， 2，3， 4

—

在（ RFC ， RF1 - RF4 ）

每真值表逻辑

关（ RF1 - RF4 ）

每真值表逻辑

—

两个音频输入至+5 dBm的

吨（50％控制在90％， RF）的

的Toff （50％控制在10％， RF）的

素养（10％至90％的RF ）

TFALL （90％至10％的射频）

频率

DC - 4.0 GHz的

50兆赫

0.5 - 4.0 GHz的

50兆赫

0.5-4.0 GHz的

—

单位

dB

比

DBM

ns

V

uA

mA

uA

分钟。

—

38

—

4.5

0.0

2.0

-1.0

—

典型值。

—

+15

+27

30

40

35

20

12

2

5.0

—

5

250

—

马克斯。

2.3

—

2.0:1

—

5.5

0.8

5.0

1.0

8

400

125

1.0

1 dB压缩

输入IP

3

开关速度

VCC

V

IL

V

IH

林（输入漏电流）

ICC

5,7

ICC

8

（静态电源电流）

导通电流

6

ΔICC

（附加电源电流

每TTL输入引脚）

开关噪声

—

低电平输入电压

高电平输入电压

VIN = V

CC

或GND

Vcc的最小值到最大值，逻辑“0”或“1”的

VCNTRL = V

CC

或GND

为了保证启动

V

CC

=最大， VCNTRL = V

CC

- 2.1 V

—

mA

从生成

DC- DC转换器

推荐的电容

—

3.5兆赫

DBM

—

-93

—

热阻

θJC

5.

6.

7.

8.

—

° C / W

—

15

—

在导通时，设备需要指定为“导通电流”的初始启动电流（ ICC）。一旦投入使用，国际刑事法院将下降到试样

田间水平。这并不适用于双电源工作。

在DC- DC转换器被保证开始于100微秒，只要电源具有最大导通电流

可启动。

对于单电源供电

对于双电源供电

2

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砷化镓SP4T开关，吸收，单电源

DC - 4.0 GHz的

真值表（开关）

绝对最大额定值

9,10

参数

马克斯。输入功率

0.05 GHz的

0.5 - 4.0 GHz的

11

V

CC7

V

CC8

V

EE8

V

CC

- V

EE8

VIN

12

工作温度

储存温度

9.

V4版本

C1

1

0

C2

0

1

0

C3

0

1

0

C4

0

1

绝对最大

+27 dBm的

+34 dBm的

-0.5V

≤

V

CC

≤

+6.0V

-0.5V

≤

V

CC

≤

+7.0V

-8.5V

≤

V

EE

≤

+0.5V

-0.5V

≤

V

CC

- V

EE

≤

14.5V

-0.5V

≤

VIN

≤

V

CC

+ 0.5V

-40℃至+ 85℃

-65oC至+ 125℃

RFC-

RF1

On

关闭

RFC- RFC- RFC-

RF2 RF3 RF4

关闭

On

关闭

On

关闭

On

“ 0 ” = TTL低

“1”的TTL =高

办理程序

请遵循以下注意事项，以避免

伤害：

超出这些限制的任何一种或组合可能导致

永久性损坏此设备。

10， M / A - COM不建议持续经营近

这些生存极限。

11.当RF输入被施加到端的端口，所述

绝对最大功率为+30 dBm的。

12.标准CMOS TTL接口，闭锁就会发生，如果逻辑

之前的电源信号被施加。

静电灵敏度

砷化镓集成电路是敏感

对静电放电（ESD），并且可以是

被静电损坏。适当的ESD控制

处理这些时应当使用一

设备。

推荐PCB配置

13

13.申请注意C2083可以用线

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砷化镓SP4T开关，吸收，单电源

DC - 4.0 GHz的

功能原理图

V4版本

典型性能曲线

插入损耗与频率

隔离度（dB ）与频率的关系

- 4 0 °C

3.0

+ 2 5 °C

+ 8 5 °C

的R F正的R F米

90

RFC-的RFn

插入损耗（dB ）

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0

1000

2000

3000

4000

75

隔离度（dB ）

60

45

30

15

0

1000

2000

3000

4000

f重新阙NC Y（ M·H Z）

4

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砷化镓SP4T开关，吸收，单电源

DC - 4.0 GHz的

典型性能曲线

在VSWR与频率的关系

VSWR （终端）与频率的关系

V4版本

的R F O u那样T（0 N）

2.00

1

.80

RFC

（ ℉）的R F OU牛逼

2.00

1.80

VSW

VSWR

1

.60

1

.40

1

.20

1

.00

0

1

000

2000

3000

4000

1.60

1.40

1.20

1.00

0

1000

2000

3000

4000

f重新阙NC Y（ M·H Z）

F Characteristic低频（ M·H Z）

CSP - 2 ，无铅，

4 ×7毫米， 36引脚，

PQFN

参考应用笔记M538无铅回流焊

建议。

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