飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC2040N
第1版， 11/2009
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC2040N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用1805年至1990年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制格式。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
=
130毫安，我
DQ2
= 330毫安， P
OUT
= 4瓦的魅力。 ， F = 1932.5 ，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
功率增益 - 32分贝
功率附加效率 - 17.5 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 -
-
50 dBc的在3.84 MHz的带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ，1960兆赫， 50瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
)
稳定到一个3:1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 100毫瓦到40瓦
CW P
OUT
.
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
'
30瓦CW
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
=
430毫安，P
OUT
。 = 16瓦的魅力， 1805年至1880年兆赫
功率增益 - 33分贝
功率附加效率 - 35 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 62 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 77 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
GSM应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 430毫安，
P
OUT
= 40瓦CW ， 1805至80年MHz和一九三〇年至1990年兆赫
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 50 ％
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >3欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿带使能/
禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW7IC2040NR1
MW7IC2040GNR1
MW7IC2040NBR1
1930年至一九九零年兆赫， 1805年至1880年兆赫，
4 W平均， 28 V
单W - CDMA ， GSM EDGE ， GSM
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE一八八六年至1801年
TO - 270 WB - 16
塑料
MW7IC2040NR1
CASE 1887至1801年
TO - 270 WB - 16 GULL
塑料
MW7IC2040GNR1
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW7IC2040NBR1
GND
V
DS1
V
GS2
V
GS1
NC
RF
in
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
14
RF
OUT
/V
DS2
V
GS1
V
GS2
V
DS1
静态电流
温度补偿
(1)
NC
V
GS1
V
GS2
V
DS1
GND
13
12
NC
GND
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2009年。保留所有权利。
MW7IC2040NR1 MW7IC2040GNR1 MW7IC2040NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
25
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
W - CDMA
(P
OUT
= 4 W平均，外壳温度= 73 ° C）
GSM EDGE
(P
OUT
= 16 W平均，外壳温度= 76 ° C）
GSM
(P
OUT
= 40瓦平均，外壳温度= 79 ° C）
符号
R
θJC
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 130毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 330毫安
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 130毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 330毫安
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 130毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 330毫安
4.0
1.5
价值
(2,3)
单位
° C / W
4.1
1.4
3.9
1.3
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 25
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1
= 130 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 130 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
13
2
2.7
14.5
2.7
—
16
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW7IC2040NR1 MW7IC2040GNR1 MW7IC2040NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 140
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2
= 330 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2
= 330 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
第2阶段 - 动态特性
(1)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
—
246
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
7
0.2
2
2.8
8
0.39
2.7
—
9
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 130 mA时，我
DQ2
= 330毫安， P
OUT
= 4 W平均，
F = 1932.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 45.2 ％的剪裁，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 22瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的（三角洲IMD三阶互调
上，下边带> 2分贝）之间
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
(2)
用5.6 kΩ的门饲料电阻（ - 3085 ℃）下
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 4 W的魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 30瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 30瓦CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 30瓦CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
G
ps
PAE
ACPR
IRL
P1dB
IMD
符号
29.5
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
32
17.5
- 50
- 15
30
60
65
±3
1.2
0.5
2.5
33
0.029
0.003
34.5
—
- 46
-8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
%
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
dB
%
dBc的
dB
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 130 mA时，我
DQ2
= 330毫安， 1930至1990年兆赫
VBW
水库
ΔI
QT
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
3.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MW7IC2040NR1 MW7IC2040GNR1 MW7IC2040NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型W - CDMA性能 - 1800兆赫
（飞思卡尔W - CDMA一八〇五年至1880年兆赫测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，
I
DQ1
= 130 mA时，我
DQ2
= 330毫安， P
OUT
。 = 4 W平均， 1805年至1880年兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 45.2 ％的剪裁，
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
PAE
ACPR
IRL
—
—
—
—
33.5
16.5
- 50
-6
—
—
—
—
dB
%
dBc的
dB
典型的GSM EDGE性能 - 1800兆赫
（飞思卡尔GSM EDGE 1805至1880年兆赫测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，
P
OUT
= 16 W平均，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 430毫安， 1805年至1880年兆赫EDGE调制
功率增益
功率附加效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
PAE
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
33
35
1.5
- 62
- 77
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
典型的GSM EDGE性能 - 1900MHz的
（飞思卡尔GSM EDGE 1930年 - 1990 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，
P
OUT
= 16 W平均，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 430毫安， 1930年 - 1990 MHz的EDGE调制
功率增益
功率附加效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
PAE
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
30
33
1.5
- 62
- 80
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
典型CW性能
（飞思卡尔GSM EDGE 1930年 - 1990 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 90毫安，
I
DQ2
= 430毫安，P
OUT
= 40瓦CW ， 1805至1880年兆赫和1930至1990年兆赫
功率增益
功率附加效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点
G
ps
PAE
IRL
P1dB
—
—
—
—
31
50
- 15
45
—
—
—
—
dB
%
dB
W
MW7IC2040NR1 MW7IC2040GNR1 MW7IC2040NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
C13
Z13
1
2
G1
3
G2
4
5 NC
6
C14
V
GG1
R1
V
GG2
R2
C12
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8, Z9
C10
C2
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11
Z12
Z13, Z14
Z15
Z16
PCB
0.3419 “× 0.1725 ”微带
0.3419 “× 0.4671 ”微带
0.0830 “× 0.4220 ”微带
0.0830 “× 0.2855 ”微带
0.0830 “× 0.9030 ”微带
0.0830 “× 0.2499 ”微带
罗杰斯RO4350 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
7 NC
8 G2
9
G1
10
11
C16
静态电流
温度
赔偿金
Z9
NC 13
12
C4
Z14
C18
C8
C9
C5
DUT
16
NC 15
Z8
C15
14
Z10
Z11
Z12
Z15
Z16
RF
产量
C3
C17
C6
C7
V
DD2
V
DD1
Z3
RF
输入
Z1
Z2
Z4
Z5
C11
C1
Z6
Z7
0.0826″ x 0.5043″
0.0826″ x 0.3639″
0.0826″ x 0.4258″
0.0826″ x 0.3639″
0.0826″ x 0.3060″
0.0826″ x 0.9290″
0.0600″ x 0.1273″
0.0800″ x 1.3684″
图3. MW7IC2040NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图 - 1930至1990年兆赫
表6. MW7IC2040NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件标识和价值观 - 1930年 - 1990兆赫
部分
C1, C2, C3, C4, C5
C6, C7, C8, C9, C10, C11
C12
C13
C14, C16
C15
C17, C18
R1, R2
描述
6.8 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
2.2
μF,
16 V贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
0.8 pF的贴片电容
1 pF的贴片电容
1
μF,
50 V贴片电容
5.6 KΩ 1/4 W码片电阻
产品型号
ATC100B6R8CT500XT
GRM55DR61H106KA88L
C1206C225K4RAC
MCGPR63V477M13X26 - RH
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B1R0BT500XT
GRM21BR71H105KA12L
CRCW12065601FKEA
生产厂家
ATC
村田
基美
MULTICOMP
ATC
ATC
村田
日前，Vishay
MW7IC2040NR1 MW7IC2040GNR1 MW7IC2040NBR1
RF设备数据
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5
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