飞思卡尔半导体公司
数据表:技术信息
文档编号: MMA65XX
第3版, 03/2012
双轴SPI惯性传感器
MMA65xx ,一个SafeAssure溶液,是一个基于SPI ,双轴,中等克,过
设计用于汽车安全气囊系统中使用阻尼横向加速度。
特点
± 80克,± 105克或± 120克满量程范围,各轴分别指定
3.3V或5V单电源供电
SPI兼容串行接口
12位数字符号或无符号SPI数据输出
独立的可编程触发功能为每个轴
十二低通滤波器选择,从50赫兹到1000赫兹
可选的偏移取消与> 6S平均周期和< 0.25 LSB / s的转换
率
无铅16引脚QFN封装, 6 6包
底部视图
MMA65xx
参考文献
AECQ100 , G版,日期为2007年5月14日( http://www.aecouncil.com/ )
订购信息
设备
MMA6519KW
MMA6525KW
MMA6527KW
MMA6519KWR2
MMA6525KWR2
MMA6527KWR2
X轴范围
±80g
±105g
±120g
±80g
±105g
±120g
Y轴范围
±80g
±105g
±120g
±80g
±105g
±120g
航运
管
管
管
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
16引脚QFN
6毫米6mm的
CASE 2086-01
对于用户寄存器阵列编程,请咨询您的飞思卡尔
代表性。
2011-2012飞思卡尔半导体, Inc.保留所有权利。
1
引脚连接
V
SSA
V
SSA
12 CS
11 MOSI
10 SCLK
9 V
CC
5
ARM_Y / PCM_Y
6
ARM_X / PCM_X
7
TEST / V
PP
8
MISO
德网络nition
该引脚连接到用于内部模拟电路的电源。一个外部电容必须
连接该引脚和V之间
SSA
。参考
图1 。
该引脚用于数字电路的电源返回节点。
该引脚连接到用于内部数字电路的电源。一个外部电容必须
连接该引脚和V之间
SS
。参考
图1 。
该引脚用于数字电路的电源返回节点。
在描述这个引脚的功能是通过DEVCFG寄存器配置
第3.1.6.6 。
当
布防输出被选择时, ARM_Y可以被配置为一个开放漏极,具有上拉电流低电平输出;
或开漏输出,高电平有效输出下拉电流。可选地,该管脚可被配置为
数字输出的PCM信号正比于Y轴的加速度数据。参考
第3.8.10
和
第3.8.11 。
如果不使用,该引脚必须悬空。
在描述这个引脚的功能是通过DEVCFG寄存器配置
第3.1.6.6 。
当
布防输出被选择时, ARM_X可以被配置为一个开放漏极,具有上拉电流低电平输出;
或开漏输出,高电平有效输出下拉电流。可选地,该管脚可被配置为
数字输出PCM信号正比于X轴加速度数据。参考
第3.8.10
和
第3.8.11 。
如果不使用,该引脚必须悬空。
该引脚为的OTP寄存器工厂编程的能力。该引脚必须连接到V
SS
在该应用程序。
此引脚用作串行数据输出SPI端口。
该引脚提供电源的装置。一个外部电容必须连接该引脚和V之间
SS
.
参考
图1 。
这种输入管脚提供串行时钟的SPI端口。内部下拉设备连接到该引脚。
此引脚用作串行数据输入到SPI端口。内部下拉设备连接到该引脚。
该输入引脚提供片选SPI端口。内部上拉电阻连接到该引脚。
该引脚为模拟电路供电返回节点。
没有内部连接。该引脚可悬空或连接到V
SS
在该应用程序。
没有内部连接。该引脚可悬空或连接到V
SS
在该应用程序。
该引脚为模拟电路供电返回节点。
这个引脚是芯片粘接标志,并在内部连接到V
SS
。参考
第5节
对芯片附着垫
连接的详细信息。
角落里垫内部连接到V
SS
.
N / C
16 15 14 13
V
REGA
1
V
SS
2
V
REG
3
V
SS
4
17
图5.俯视图, 16引脚QFN封装
表2.引脚说明
针
1
2
3
4
针
名字
V
REGA
V
SS
V
REG
V
SS
ARM_Y /
PCM_Y
正式名称
类似物
供应
数字GND
数字
供应
数字GND
Y轴
手臂输出/
PCM输出
5
6
ARM_X /
PCM_X
X轴
手臂输出/
PCM输出
程序设计
电压
SPI数据输出
供应
SPI时钟
SPI数据在
芯片选择
模拟GND
无连接
无连接
模拟GND
芯片粘接
PAD
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
TEST /
V
PP
MISO
V
CC
SCLK
MOSI
CS
V
SSA
NC
NC
V
SSA
PAD
角落垫
MMA65xx
4
传感器
飞思卡尔半导体公司
N / C
2
2.1
#
1
2
3
4
5
6
7
8
电气特性
最大额定值
等级
电源电压
V
REG
, V
REGA
SCLK , CS , MOSI ,V
PP
/ TEST
ARM_X , ARM_Y
MISO (高阻态)
动力冲击(六面, 0.5毫秒的时间)
无动力的冲击(六面, 0.5毫秒的时间)
震荡回落(至混凝土表面)
静电放电
人体模型( HBM )
充电设备模型( CDM)
机器模型( MM )
存储温度范围
热阻 - 结到管壳
符号
V
CC
V
REG
V
IN
V
IN
V
IN
g
PMS
g
震
h
降
V
ESD
V
ESD
V
ESD
T
英镑
q
JC
价值
-0.3到+7.0
-0.3到+3.0
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
±1500
±2000
1.2
±2000
±750
±200
-40到+125
2.5
单位
V
V
V
V
V
g
g
m
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(5,18)
(5,18)
(5)
最大额定值是极端限制该设备可以在不永久破坏它暴露出来。
9
10
11
12
13
V
V
V
°C
° C / W
(5)
(5)
(5)
(5)
(14)
2.2
工作范围
运作的评级是通常期望在应用中的限制和定义的操作的范围。
#
特征
电源电压
标准工作电压, 3.3V
标准工作电压, 5.0V
工作环境温度范围
验证通过100 %最终测试
上电爬坡速率(V
CC
)
符号
民
V
L
+3.135
典型值
V
典型值
+3.3
+5.0
最大
V
H
+5.25
单位
14
15
V
CC
V
V
(15)
(15)
16
17
T
A
V
CC_r
T
L
-40
0.000033
—
—
T
H
+105
3300
C
V / μs的
(1)
(19)
MMA65xx
传感器
飞思卡尔半导体公司
5