三菱的LSI
MH1M365CXJ/CNXJ-5,-6,-7
HYPER PAGE MODE 37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
引脚配置（顶视图）
描述
该MH1M365CXJ / CNXJ 1048576字×36位动态
内存。这包括两个行业标准1M ×16的动态
公羊SOJ和SOJ一位业内1M ×4 dyanmic的RAM 。
SOJ对一个单列直插式封装的安装提供任何
应用中的高密度和大量的内存
是必需的。这是一个插座式存储器模块，适合于
方便的交换或增加模块。
[单面]
1.Vss
2.DQ0
3.DQ16
4.DQ1
5.DQ17
6.DQ2
37.MP1
38.MP3
39.Vss
40.CAS0
41.CAS2
42.CAS3
43.CAS1
44.RAS0
45.NC
46.NC
47.W
48.NC
49.DQ8
50.DQ24
51.DQ9
52.DQ25
53.DQ10
54.DQ26
55.DQ11
特点
型号名称
MH1M365CXJ/CNXJ-5
MH1M365CXJ/CNXJ-6
MH1M365CXJ/CNXJ-7
RAS
CAS
访问访问
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ）
地址周期
动力
ACCESS
耗散
时间
时间
化
（ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）
7.DQ18
8.DQ3
11.NC
10.Vcc
11.NC
12.A0
13.A1
14.A2
15.A3
50
60
70
13
15
20
25
30
35
90
110
130
2120
1750
1520
72PIN单列直插式封装
单5.0V ± 10 ％电源
低待机功耗
16.5mW （最大）
低工作功耗
MH1M365CXJ / CNXJ- 5
MH1M365CXJ / CNXJ- 6
MH1M365CXJ / CNXJ- 7
16.A4
17.A5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
CMOS lnput水平
2.67W （最大）
2.20W （最大）
1.90W （最大）
18.A6
19.NC
20.DQ4
21.DQ20
22.DQ5
超页模式， RAS只刷新， CAS RAS前
刷新，刷新隐藏功能
所有的输入和输出直接TTL兼容
1024刷新周期每16.4ms （A
0
~ A
9
)
MH1M365CXJ
MH1M365CNXJ
镀金
镍+镀焊锡
23.DQ21
24.DQ6
25.DQ22
26.DQ7
27.DQ23
28.A7
29.NC
应用
计算机主存储器单元，微机存储器，
刷新内存CRT
30.Vcc
31.A8
32.A9
33.NC
34.RAS2
35.MP2
36.MP0
56.DQ27 37
38
57.DQ12 39
40
41
58.DQ28 42
43
59.Vcc
44
45
60.DQ29 46
47
61.DQ13 48
49
62.DQ30 50
51
63.DQ14 52
53
64.DQ31 54
55
56
65.DQ15 57
58
66.NC
59
60
67.PD1 61
62
68.PD2 63
64
69.PD3 65
66
67
70.PD4 68
69
71.NC
70
71
72.Vss
72
概述72N9K -C
PD1
PD2
PD3
PD4
-5
VSS
VSS
VSS
VSS
-6
VSS
VSS
NC
NC
-7
VSS
VSS
VSS
NC
NC ：无连接
MIT-DS-0084-1.0
三菱
电
( 1 / 15 )
Oct.15.96
三菱的LSI
MH1M365CXJ/CNXJ-5,-6,-7
HYPER PAGE MODE 37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
功能
除了正常的读，写，一些其他的
功能，例如，超页模式， RAS只刷新，
输入条件为每个列于表1中。
表1输入条件为每个模式
输入
手术
RAS
读
早期写
RAS -ONLY刷新
隐藏刷新
CAS前RAS刷新
待机
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
CAS
法案
法案
NAC
法案
法案
DNC
W
NAC
法案
DNC
NAC
DNC
DNC
ROW
地址
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
COLUMN
地址
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
输入/输出
输入
OPN
VLD
DNC
OPN
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
OPN
VLD
OPN
OPN
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
框图
DQ1 DQ3 DQ5 DQ7
DQ9 DQ11 DQ13 DQ15
MP0
DQ0 DQ2 DQ4 DQ6
DQ8 DQ10 DQ12 DQ14
2 4 6 8 20 22 24 26
49 51 53 55 57 61 63 65 36
MP1
37
MP2
35
MP3
38
DQ17 DQ19 DQ21 DQ23 DQ25 DQ27 DQ29 DQ31
DQ16 DQ18 DQ20 DQ22 DQ24 DQ26 DQ28 DQ30
3 5 7 9 21 23 25 27
50 52 54 56 58 60 62 64
LDATA
UDATA
0
1
2
3
LDATA
UDATA
M5M418165CJ
LCAS
UCAS
M5M44505CJ
0
1
2
3
M5M418165CJ
LCAS
UCAS
44
RAS0
40
CAS0
43
CAS1
12 13 14 15 16 17 18 28 31 32
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9
34
RAS2
41
CAS2
42
CAS3
MIT-DS-0084-1.0
三菱
电
( 2 / 15 )
Oct.15.96
三菱的LSI
MH1M365CXJ/CNXJ-5,-6,-7
HYPER PAGE MODE 37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
VI
V0
I0
Pd
TOPR
TSTG
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
TA = 25℃
相对于VSS
参数
条件
评级
-1 ~ 7
-1 ~ 7
-1 ~ 7
50
3000
0 ~ 70
-40 ~ 125
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
推荐工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
参数
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
（注1 ）
范围
单位
V
V
V
V
民
4.5
0
2.4
-1
喃
5.0
0
最大
5.5
0
6.0
0.8
注1：所有的电压值是相对于VSS
电气特性
符号
V
OH
V
OL
I
OZ
I
I
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
平均电源电流
从Vcc操作
（注3,4,5）
I
CC2
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5.0V ±10％ ， VSS = 0V时，除非另有说明）
（注2 ）
测试条件
I
OH
=-5.0mA
I
OL
=4.2mA
Q浮动0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
0V
≤
V
IN
≤
6 V ，其他输入引脚= 0V
范围
民
2.4
0
-10
-30
典型值
最大
VCC
0.4
10
30
485
400
345
RAS CAS = = V
IH ，
输出开路
RAS CAS =
≥
VCC - 0.2 V
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
6
3
485
400
345
455
360
305
465
385
335
mA
mA
mA
mA
mA
单位
V
V
A
A
MH1M365C
MH1M365C
MH1M365C
-5
-6
-7
I
CC1 （ AV ）
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
=t
WC
=最小值。
输出开路
从Vcc电源电流，待机（注6 ）
平均电源电流
从Vcc清爽
（注3,5）
平均电源电流
从Vcc
超页模式
（注3,4,5）
平均电源电流
从Vcc
CAS前RAS刷新
模式
（注3）
MH1M365C
MH1M365C
MH1M365C
MH1M365C
MH1M365C
MH1M365C
MH1M365C
MH1M365C
MH1M365C
-5
-6
-7
-5
-6
-7
-5
-6
-7
I
CC3 （ AV ）
I
CC4(AV)
RAS = V
白细胞介素，
CAS骑自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
I
CC6(AV)
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
注2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3 ： ICC1 （ AV ） ， ICC 3 （ AV）和ICC4 （ AV）都依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4： ICC1 （AV）和ICC4 （AV）是依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
5 ：列地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
和CAS = V
IH
.
MIT-DS-0084-1.0
三菱
电
( 3 / 15 )
Oct.15.96
三菱的LSI
MH1M365CXJ/CNXJ-5,-6,-7
HYPER PAGE MODE 37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
电容
（大= 0 70°C ， VCC = 5.0V ± 10 ％ ， VSS = 0V ，除非
符号
C
I（A ）
C
我（W）的
C
我（RAS）的
C
我（ CAS ）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，写控制输入
输入电容，输入RAS
输入电容，输入CAS
输入/输出电容，数据端口
V
I
= VSS
另有说明）
测试条件
范围
民
典型值
最大
30
36
36
29
22
单位
pF
pF
pF
pF
pF
f=1MH
Z
Vi=25mVrms
开关特性
符号
（大= 0 70°C ， VCC = 5V ± 10 ％ ， VSS = 0V ，除非另有说明，请参见注释6,14,15 ）
范围
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从CAS输出保持时间
（注13 ）
从RAS输出保持时间
中国科学院低输出阻抗低时（注7 ）
（注12 ）
输出禁止时间后，我们高
经过CAS高输出禁止时间
经过RAS高输出禁止时间
（注12,13 ）
（注12,13 ）
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
MH1M365C -5
民
最大
13
50
25
30
5
5
5
13
13
13
MH1M365C -6
民
最大
15
60
30
35
5
5
5
15
15
15
MH1M365C -7
民
最大
20
70
35
40
5
5
5
20
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OHC
t
高级代表办事处
t
CLZ
t
WEZ
t
关闭
t
苏亚雷斯
注6 ： 500微秒的初始暂停后开机需要后面至少8初始化周期（周期的任意组合
包含RAS时钟，如RAS仅刷新） 。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和任何8 RAS或RAS / CAS周期需要较长时间后，
（大于16.4毫秒）器件正常工作之前， RAS活动的实现。
7 ：测量用相当于VOH = 2.4V （ IOH = -5mA ） / VOL = 0.4V （ IOL = -4.2mA ）负载100pF的负载电路。
参考电平，用于测量输出信号是2.0V （VOH ）和0.8V （ VOL） 。
8 ：假设吨
RCD
≥
t
RCD （最大）
和T
ASC
≥
t
ASC （最大）
和T
CP
≥t
CP （最大值）。
9 ：假设吨
RCD
≤
t
RCD （最大）
和T
拉德
≤
t
RAD （最大值）。
如果T
RCD
或T
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将金额增加了吨
RCD
超出显示的值。
10 ：假设吨
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和T
ASC
≤
t
ASC （最大值）。
11 ：假设吨
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和T
ASC
≥
t
ASC （最大值）。
12: t
WEZ （最大值） ，
t
关（ MAX）的
和T
REZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（
而不是引用到V
OH （分钟）
或V
OL （最大值）。
13 ：输出被禁用后，双方RAS和CAS去高。
I
OUT
≤
我±10 μA I）
MIT-DS-0084-1.0
三菱
电
( 4 / 15 )
Oct.15.96
三菱的LSI
MH1M365CXJ/CNXJ-5,-6,-7
HYPER PAGE MODE 37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
时序要求（读，写，刷新，超页模式周期）
（大= 0 70°C ， VCC = 5V ±10 ％ ， VSS = 0V ，除非另有说明见附注14,15 ）
范围
MH1M365C -6
民
40
37
20
5
0
10
25
10
15
0
0
10
10
0
15
15
50
1
50
13
30
45
最大
16.4
50
20
5
0
10
15
0
0
10
10
0
20
20
1
50
13
35
50
符号
参数
刷新周期时间
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
MH1M365C -5
民
最大
16.4
30
(Note16)
18
5
0
8
(Note17)
(Note18)
13
0
0
8
8
(Note19)
(Note20)
(Note20)
(Note21)
0
13
13
1
MH1M365C -7
民
最大
16.4
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
RDD
t
CDD
t
T
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间， RAS高到数据
延迟时间，中国科学院高数据
转换时间
注14：时序要求被假定吨
T
=3ns.
15: V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
16: t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
小于吨
RCD （最大） ，
存取时间为t
RAC 。
如果T
RCD
大于吨
RCD （最大） ，
ACCESS
时间为t独占控制
CAC
或T
AA.
17: t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
≤
t
RAD （最大值）
和T
ASC
≤
t
ASC （最大值） ，
存取时间为t独占控制
AA.
18: t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
≥
t
RCD （最大）
和T
ASC
≥
t
ASC （最大值） ，
存取时间为t独占控制
CAC 。
19: t
DZC
必须得到满足。
20 ：要么吨
RDD
或T
CDD
或T
ODD
必须得到满足。
21: t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大值）。
阅读和更新周期
符号
参数
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
列地址到RAS保持时间
列地址到CAS保持时间
（注22 ）
（注22 ）
MH1M365C
民
90
50
8
40
13
0
0
10
25
13
10000
10000
-5
范围
MH1M365C
民
110
60
10
48
15
0
0
10
30
18
10000
10000
-6
MH1M365C
民
130
70
13
55
20
0
0
10
35
23
10000
10000
-7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最大
最大
最大
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
注22 ：要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
MIT-DS-0084-1.0
三菱
电
( 5 / 15 )
Oct.15.96
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