公告PD- 21084 08/05
MURB2020CTPbF
MURB2020CT-1PbF
超快整流器
特点
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C工作结温
无铅（ "PbF"后缀）
t
rr
= 25ns的
I
F（ AV ）
= 20安培
V
R
= 200V
说明/应用
国际整流器公司MUR ..系列是专门设计的艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降和超快速的恢复时间优化的性能。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制，保证最佳的整体性能，耐用性
和可靠性的特点。
这些器件适用于开关电源，不间断电源， DC-DC变换器的输出整流级的使用以及
续流二极管的低电压逆变器和斩波器电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复电流减小开关损耗，并降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
峰值重复峰值反向电压
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 145°C
非重复峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 145°C
工作结温和存储温度
-65 175
°C
每腿
设备总
每腿
每腿
最大
200
10
20
100
20
单位
V
A
表壳款式
MURB2020CTPbF
MURB2020CT-1PbF
BASE
常见
阴极
2
BASE
常见
阴极
2
1
2
3
1
2
3
阳极共阳极
阴极
1
2
阳极共阳极
阴极
1
2
D
2
PAK
www.irf.com
TO-262
1
MURB2020CTPbF ， MURB2020CT ， 1PbF
公告PD- 21084 08/05
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
BR
, V
r
V
F
击穿电压，
阻断电压
正向电压
最小值典型值最大值单位测试条件
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
8.0
-
0.85
1.15
1.05
15
250
-
-
V
V
V
V
A
A
pF
nH
I
R
= 100A
I
F
= 8A ，T
J
= 125°C
I
F
= 16A ，T
J
= 25°C
I
F
= 16A ，T
J
= 125°C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150℃ ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200V
.
测铅铅从封装体5毫米
I
R
反向漏电流
-
-
C
T
L
S
结电容
串联电感
-
-
动态恢复特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
t
rr
反向恢复时间
最小值典型值最大值单位测试条件
-
-
-
-
-
21
35
35
25
-
ns
I
F
= 1.0A ，二
F
/ DT = 50A / μs的，V
R
= 30V
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
REC
= 0.25A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 10A
V
R
= 160V
di
F
/ DT = 200A / μs的
I
RRM
峰值恢复电流
-
-
1.9
4.8
25
78
-
-
-
-
A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Q
rr
反向恢复电荷
-
-
nC
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
热 - 机械特性
参数
T
J
T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
Wt
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热电阻，案件散热器
重量
每腿
每腿
民
- 65
- 65
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
0.5
2.0
0.07
-
-
最大
175
175
2.5
50
-
-
-
12
10
单位
°C
° C / W
g
（盎司）
公斤 - 厘米
lbf.in
2
安装力矩
6.0
5.0
打标设备
MURB2020CT
MURB2020CT-1
案例D型白
机箱样式TO- 262
安装表面平整，光滑和脂润滑
2
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MURB2020CTPbF ， MURB2020CT ， 1PbF
公告PD- 21084 08/05
100
反向电流 - I
R
(A)
100
T J = 175℃
150C
10
1
125C
100C
0.1
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
TJ = 175℃
T = 125°C
J
中T = 25℃
J
0.01
0.001
50
100
150
200
250
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
1000
结电容 - C
T
（PF ）
0
1
中T = 25℃
J
100
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
正向电压下降 - V
FM
(V)
2
10
1
10
100
1000
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
图。 1 - 典型正向压降特性
10
（ ° C / W）
thJC
热阻抗Z
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
注意事项：
P
DM
t1
t2
0.1
单脉冲
（热电阻）
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特征
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3
MURB2020CTPbF ， MURB2020CT ， 1PbF
公告PD- 21084 08/05
180
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
15
RMS限制
170
DC
12
160
9
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
DC
150
方波（ D = 0.50 ）
额定Vr的应用
6
140
3
见说明（ 2 ）
130
0
3
6
9
12
15
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流
0
0
3
6
9
12
15
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
50
IF = 20 A
IF = 10 A
IF = 5 A
250
V
R
= 160V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
40
200
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
QRR （ NC ）
V
R
= 160V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
TRR （ NS ）
30
150
20
100
10
50
0
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
1000
0
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
1000
图。 7 - 典型的反向恢复与迪
F
/ DT
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
4
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MURB2020CTPbF ， MURB2020CT ， 1PbF
公告PD- 21084 08/05
反向恢复电路
V
R
= 200V
0.01
L = 70μH
D.U.T.
di
F
/ DT
DIF / DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9-反向恢复参数测试电路
3
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
4
2
Q
rr
I
RRM
0.5 I
RRM
二（ REC ）M / DT
0.75 I
RRM
5
1
/ DT
di
f
F
/ DT
4. Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
t
rr
X我
RRM
Q
rr
=
2
5.迪
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
1.迪
F
/ DT - 率的电流变化，通过零
路口
2. I
RRM
- 峰值反向恢复电流
3. t
rr
- 从零测量的反向恢复时间
负向我的交叉点
F
以点
线路途经0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推至零电流
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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5
MURB2020CTPbF/MURB2020CT-1PbF
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
2 ×10 FRED铂
TM
特点
MURB2020CTPbF
MURB2020CT-1PbF
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和合格的AEC Q101等级
可用的
RoHS指令*
柔顺
BASE
常见
阴极
2
BASE
常见
阴极
2
说明/应用
阳极
1
1
3
阳极
2
常见
阴极
2
阳极
1
1
3
阳极
2
常见
阴极
2
D
2
PAK
TO-262
产品概述
t
rr
I
F（ AV ）
V
R
25纳秒
2 ×10
200 V
MUR ..系列是最先进的超快恢复状态
整流器专门的性能优化设计
正向压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制，
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
的SMPS ， UPS ， DC - DC转换器的阶段，以及
在低电压逆变器和斩波续流二极管
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
每腿
设备总
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 145 °C
为V
R
, T
C
= 145 °C
测试条件
马克斯。
200
10
20
100
20
- 65 175
°C
A
单位
V
每腿非重复峰值浪涌电流
每腿重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
= 100 A
I
F
= 8 A，T
J
= 125 °C
正向电压
I
F
= 16 A
I
F
= 16 A，T
J
= 125 °C
反向漏电流
结电容
串联电感
I
R
C
T
L
S
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
55
8.0
马克斯。
-
0.85
1.15
1.05
15
250
-
-
A
pF
nH
V
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94083
修订： 05 09月08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
MURB2020CTPbF/MURB2020CT-1PbF
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
2 ×10 FRED铂
TM
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 50 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 10 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 160 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
21
35
1.9
4.8
25
78
马克斯。
35
25
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻，
结每腿区分
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
安装面，平整，光滑，
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
-
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
2.5
50
-
-
-
12
(10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
MURB2020CT
MURB2020CT-1
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94083
修订： 05 09月08
MURB2020CTPbF/MURB2020CT-1PbF
超快整流器，
2 ×10 FRED铂
TM
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
日前，Vishay高功率产品
I
R
- 反向电流（ μA ）
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
0.1
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
50
100
150
200
250
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
1
10
100
1000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
.
1
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94083
修订： 05 09月08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
MURB2020CTPbF/MURB2020CT-1PbF
日前，Vishay高功率产品
180
超快整流器，
2 ×10 FRED铂
TM
50
V
R
= 160
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
允许外壳温度（ ℃）
170
40
DC
150
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
t
rr
（纳秒）
160
30
20
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
1000
140
见注（ 1 ）
130
0
3
6
9
12
15
10
0
100
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
15
250
V
R
= 160
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
平均功耗（ W）
12
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
200
Q
rr
（ NC ）
9
150
6
100
3
DC
0
0
3
6
9
50
12
15
0
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94083
修订： 05 09月08
MURB2020CTPbF/MURB2020CT-1PbF
超快整流器，
2 ×10 FRED铂
TM
V
R
= 200
V
日前，Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70
H
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
下
曲线定义
by
t
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号： 94083
修订： 05 09月08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
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