a
特点
低V
OS
(V
BE
比赛） ： 40 V （典型值） ， 100 V最大
低TCV
OS
： 0.5 V / C最大值
高
FE
： 500分钟
优秀
FE
线性度从10 nA的10 mA的
低噪声电压： 0.23 V P-P - 0.1 Hz至10 Hz
高击穿： 45 V分钟
提供裸片形式
产品说明
整体匹配
双晶体管
MAT01
引脚连接
TO-78
（H后缀）
该MAT01是一款单芯片双NPN晶体管。独家
氮化硅“三重钝化”的过程提供了极好的
在温度和时间关键参数的稳定性。
匹配特性包括失调电压40
V,
温
0.15 perature漂移
μV / ° C，
和H
FE
0.7 ％的匹配。很
高
FE
设置在集电极电流的6十年范围内，
包括一个特殊的
FE
的590处的唯一的集电极电流
10 nA的。高增益低集电极电流使
MAT01非常适合低功耗，低层次的输入级使用。
注：基质被连接到壳体。
老化电路
REV 。一
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这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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万维网网站： http://www.analog.com
传真： 617 / 326-8703
ADI公司，1997
MAT01
典型电气特性
(@ V
参数
符号
CB
= 15 V和I
C
= 10 A，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
MAT01N
典型
单位
条件
平均失调电压漂移
平均失调电流漂移
集电极 - 发射极漏
当前
集电极 - 基极漏
当前
增益带宽积
偏移电压稳定
TCV
OS
TCI
OS
I
CES
I
CBO
f
T
V
OS
/T
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
第一个月（注1 ）
长期（注2 ）
0.35
15
90
25
450
2.0
0.2
μV/°C
PA / ℃，
pA
pA
兆赫
μV /月
μV /月
笔记
1
排除操作的第一个小时，以便稳定。
2
参数说明第一个月运行后的长期平均漂移。
3
样品测试。
4
集电极 - 基极（我
CBO
）与集电极 - 发射极（一
CES
）漏电流可能
减小的210倍的因子由衬底（封装）连接到
一电位，该电位是比任集电极电压低。
5
I
CC
我
CES
由我测量有保证
CBO
.
6
7
用V保证
OS
TEST
（ TCV
OS
由我保证
OS
测试极限超温。
V
OS
为
V
OS
T
V
BE
) T = 298
°
K
对于T
A
= 25°C.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
晶圆测试极限
(@ V
参数
CB
= 15 V，I
C
= 10 A，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
条件
MAT01N
范围
单位
符号
击穿电压
失调电压
失调电流
偏置电流
电流增益
电流增益匹配
失调电压变化
偏移电流变化
集电极饱和电压
BV
首席执行官
V
OS
I
OS
I
B
h
FE
h
FE
V
OS
/V
CB
V
OS
/V
CB
V
CE （SAT）
I
C
= 100
A
0
≤
V
CB
≤
30 V
0
≤
V
CB
≤
30 V
I
B
= 0.1毫安，我
C
= 1毫安
45
0.5
3.2
40
250
8.0
8.0
70
0.25
V分钟
毫伏最大
nA的最大
nA的最大
民
％最大
V/V
最大
PA / V最大
V最大
记
电气测试在晶片探针进行到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常产量损失，包装后的产率不
为保证标准的产品的骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资质洽谈规格。
REV 。一
–3–
MAT01
绝对最大额定值
1
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
)
MAT01AH ， GH ，N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
集电极 - 发射极电压（ BV
首席执行官
)
MAT01AH ， GH ，N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
集电极集电极电压（ BV
CC
)
MAT01AH ， GH ，N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
发射极 - 发射极电压（ BV
EE
)
MAT01AH ， GH ，N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
发射极 - 基极电压（ BV
EBO
)
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 V
集电极电流（I
C
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25毫安
发射极电流（I
E
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
总功耗
外壳温度
≤
40°C
3
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8 W
环境温度
≤
70°C
4
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
DICE结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装设备。
2
电压超过额定值所示可导致反向偏置的应用
h的降解
FE
和H
FE
匹配特性。不要试图测量
BV
EBO
比所示的5 V等级更高。
3
评级适用于使用散热控制情况下的应用。
线性降额在16.4毫瓦/ ℃的情况下，温度高于40 ℃。
4
评级适用于不使用散热片的应用;设备中唯一的自由空气。减额
线性度在6.3毫瓦/ ℃的环境温度高于70℃。
订购指南
1
模型
MAT01AH
2
MAT01GH
V
OS
最大
(T
A
= +25 C)
0.1毫伏
0.5毫伏
温度
范围
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
包
选项
TO-78
TO-78
笔记
1
老化可在商用和工业温度范围内零部件
TO -CAN封装。
2
为完全符合处理设备符合MIL -STD- 883 ，部分后添加/ 883
号。咨询工厂的883数据表。
DICE特性
1.
2.
3.
5.
6.
7.
收集器（ 1 ）
基（1）
发射器（1）
辐射源（2）
基座（2 ）
收集器（ 2 ）
DIE SIZE 0.035
×
0.025英寸， 875平方密耳
(0.89
×
0.64毫米， 0.58平方毫米）
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然MAT01具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
QQ：2880707522 复制
