公告PD- 21081转。一个04/07
MURB1020CTPbF
MURB1020CT-1PbF
超快整流器
特点
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C工作结温
无铅（ "PbF"后缀）
t
rr
= 25ns的
I
F（ AV ）
= 10AMP
V
R
= 200V
说明/应用
国际整流器公司MUR ..系列是专门设计的艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降和超快速的恢复时间优化的性能。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制，保证最佳的整体性能，耐用性
和可靠性的特点。
这些器件适用于开关电源，不间断电源， DC-DC变换器的输出整流级的使用以及
续流二极管的低电压逆变器和斩波器电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复电流减小开关损耗，并降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
峰值重复峰值反向电压
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 149°C
非重复峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 149°C
工作结温和存储温度
- 65 175
°C
每腿
设备总
每腿
每腿
最大
200
5
10
50
10
单位
V
A
表壳款式
MURB1020CTPbF
MURB1020CT-1PbF
BASE
常见
阴极
2
BASE
常见
阴极
2
1
2
3
1
2
3
阳极共阳极
阴极
1
2
阳极共阳极
阴极
1
2
D
2
PAK
文档编号： 94518
TO-262
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1
MURB1020CTPbF ， MURB1020CT ， 1PbF
公告PD- 21081转。一个04/07
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
BR
, V
r
V
F
击穿电压，
阻断电压
正向电压
最小值典型值最大值单位测试条件
200
-
-
-
-
-
V
V
V
V
μA
μA
pF
nH
I
R
= 100μA
I
F
= 5A ，T
J
= 125°C
I
F
= 10A ，T
J
= 125°C
I
F
= 10A ，T
J
= 25°C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150℃ ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200V
测铅铅从封装体5毫米
.
0.87 0.99
1.02 1.20
1.12 1.25
-
-
8
8.0
10
250
-
-
I
R
反向漏电流
-
-
C
T
L
S
结电容
串联电感
-
-
动态恢复特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
t
rr
反向恢复时间
最小值典型值最大值单位测试条件
-
-
-
-
-
24
35
35
25
-
ns
I
F
= 1.0A ，二
F
/ DT = 50A / μs的，V
R
= 30V
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
REC
= 0.25A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-
-
-
-
nC
A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 5A
V
R
= 160V
di
F
/ DT = 200A / μs的
I
RRM
峰值恢复电流
-
-
3.3
5.0
33
76
Q
rr
反向恢复电荷
-
-
热 - 机械特性
参数
T
J
T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
Wt
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
热阻，结到外壳
每腿
民
- 65
- 65
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
0.5
2.0
0.07
-
-
最大
175
175
5
50
-
-
-
12
10
单位
°C
° C / W
热阻，结到每腿环境
热电阻，案件散热器
重量
g
（盎司）
公斤 - 厘米
lbf.in
安装力矩
6.0
5.0
打标设备
MURB1020CT
MURB1020CT-1
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
安装表面平整，光滑和脂润滑
文档编号： 94518
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2
MURB1020CTPbF ， MURB1020CT ， 1PbF
公告PD- 21081转。一个04/07
100
100
10
1
0.1
0.01
25C
TJ = 175℃
150C
125C
100C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
反向电流 - I
R
(μA)
0.001
0.0001
T = 175℃
J
T = 125°C
J
中T = 25℃
J
0
40
80
120
160
200
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
100
结电容 - C
T
（PF ）
中T = 25℃
J
1
10
0.1
0.2
1
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1
10
100
1000
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 1 - 典型正向压降特性
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
10
（ ° C / W）
thJC
热阻抗Z
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
注意事项：
P
DM
t1
t2
0.1
单脉冲
（热电阻）
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94518
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3
MURB1020CTPbF ， MURB1020CT ， 1PbF
公告PD- 21081转。一个04/07
180
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
7
RMS限制
6
5
4
3
2
1
0
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
DC
170
160
150
方波（ D = 0.50 ）
额定Vr的应用
DC
140
见说明（ 2 ）
130
0
2
4
6
8
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流
0
1
2
3
4
5
6
7
8
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
50
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
160
140
120
100
QRR （ NC ）
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
V
R
= 160V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
40
TRR （ NS ）
30
80
60
20
V
R
= 160V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
40
20
0
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
10
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
1000
1000
图。 7 - 典型的反向恢复与迪
F
/ DT
（ 2 ）使用公式：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
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4
MURB1020CTPbF ， MURB1020CT ， 1PbF
公告PD- 21081转。一个04/07
反向恢复电路
V
R
= 200V
0.01
Ω
L = 70μH
D.U.T.
di
F
/ DT
DIF / DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9-反向恢复参数测试电路
3
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
4
2
Q
rr
I
RRM
0.5 I
RRM
二（ REC ）M / DT
0.75 I
RRM
5
1
/ DT
di
f
F
/ DT
4. Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
t
rr
X我
RRM
Q
rr
=
2
5.迪
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
1.迪
F
/ DT - 率的电流变化，通过零
路口
2. I
RRM
- 峰值反向恢复电流
3. t
rr
- 从零测量的反向恢复时间
负向我的交叉点
F
以点
线路途经0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推至零电流
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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5
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