摩托罗拉
半导体技术资料
单电源PECL ， TTL
1 ： 9时钟分配芯片
该MC10H / 100H641是单电源供电，低偏移翻译1 ： 9的时钟
驱动程序。在摩托罗拉H600翻译系列器件采用28引线
PLCC最佳功率穿针，信号流通过和电
性能。
该器件具有24毫安TTL输出级，其AC性能
指定到一个50pF的负载电容。提供片上闩锁。当
LEN为低（或左开，在这种情况下，它被拉低，由内部
下拉）锁存器是透明的。在使能引脚高（ EN ）力量
所有输出低电平。无论是LEN和EN引脚为正ECL输入。
在VBB输出的情况下提供用户想要驱动器件
与单端输入。对于单端使用VBB应
连接到D输入端，并绕过一个0.01μF的电容器。
在H641的10H版本与正MECL 10H 兼容
逻辑电平。该100H版本是阳性100K平兼容。
MC10H641
MC100H641
单电源
PECL - TTL 1 ： 9时钟
分布芯片
热门ECLinPS E111 PECL ， TTL版
低偏移
保证歪斜规格
锁存输入
差分ECL内部设计
VBB输出为单端使用
+ 5V单电源
逻辑使能
额外的电源和地
独立ECL和TTL电源引脚
FN后缀
塑料包装
CASE 776-02
引脚说明： 28引脚PLCC
（ TOP VIEW ）
GT
25
GT
Q5
VT
Q4
VT
Q3
GT
26
27
28
1
2
3
4
5
GT
6
Q2
7
VT
8
Q1
9
VT
10
Q0
11
GT
Q6
24
VT
23
Q7
22
VT
21
Q8
20
GT
引脚名称
19
18
17
16
15
14
13
12
VBB
D
D
VE
LEN
GE
EN
引脚
GT ， VT
GE， VE
D, D
VBB
Q0–Q8
EN
LEN
功能
GND TTL ，TTL VCC
ECL GND ， VCC ECL
信号输入（正ECL ）
VBB参考输出
（正ECL ）
信号输出（ TTL ）
使能输入（正ECL ）
锁存使能输入
（正ECL ）
MECL 10H是摩托罗拉公司的一个商标。
11/93
摩托罗拉公司1996年
2–1
REV 3
MC10H641 MC100H641
逻辑图
TTL输出
Q0
Q1
Q2
PECL输入
D
D
VBB
LEN
EN
Q
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
DC特性
（ VT = VE = 5.0V
±5%)
符号
IEE
ICCH
ICCL
特征
电源电流
PECL
TTL
TA = 0 ℃，
民
典型值
最大
24
24
27
30
30
35
TA = + 25°C
民
典型值
最大
24
24
27
30
30
35
TA = + 85°C
民
典型值
最大
24
24
27
30
30
35
单位
mA
mA
mA
条件
TTL直流特性
（ VT = VE = 5.0V
±5%)
0°C
符号
VOH
VOL
IOS
特征
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
–100
民
2.5
0.5
–225
–100
最大
民
2.5
0.5
–225
–100
25°C
最大
民
2.5
0.5
–225
85°C
最大
单位
V
V
mA
条件
IOH = -15mA
IOL = 24毫安
VOUT = 0V
10H PECL DC特性
0°C
符号
IIH
IIL
VIH
VIL
特征
输入高电流
输入低电平电流
输入高电压
输入低电压
0.5
3.83
3.05
4.16
3.52
民
最大
225
0.5
3.87
3.05
4.19
3.52
民
25°C
最大
175
0.5
3.94
3.05
4.28
3.55
民
85°C
最大
175
单位
A
A
V
V
VE = 5.0V
1
VE = 5.0V
1
条件
VBB
输出参考电压
3.62
3.73
3.65
3.75
3.69
3.81
V
VE = 5.0V
1
1. PECL VIH， VIL ，和VBB参照的VE和将变化为1：1的电源。所示的电平为VE = 5.0V 。
摩托罗拉
2–2
MECL数据
DL122 - 第六版
MC10H641 MC100H641
100H PECL DC特性
0°C
符号
IIH
IIL
VIH
VIL
VBB
特征
投入高柯伦
输入低电平电流
输入高电压
输入低电压
输出参考电压
0.5
3.835
3.190
3.62
4.120
3.525
3.74
民
最大
225
0.5
3.835
3.190
3.62
4.120
3.525
3.74
民
25°C
最大
175
0.5
3.835
3.190
3.62
4.120
3.525
3.74
民
85°C
最大
175
单位
A
A
V
V
V
VE = 5.0V
1
VE = 5.0V
1
VE = 5.0V
1
条件
1. PECL VIH， VIL ，和VBB参照的VE和将变化为1：1的电源。所示的电平为VE = 5.0V 。
AC特性
（ VT = VE = 5.0V
±5%)
符号
TPLH
的TPH1
TSKEW
特征
传播延迟
D到Q
设备倾斜
部分到第
单VCC
输出至输出
传播延迟
LEN到Q
传播延迟
EN为Q
输出上升/下降
0.8V至2.0V
最大输入频率
恢复时间EN
建立时间
保持时间
65
1.25
0.75
0.75
0.50
0.50
4.9
5.0
TJ = 0 ℃，
民
典型值
最大
5.00
5.36
5.50
5.86
6.00
6.36
1000
750
350
6.9
7.0
1.7
1.6
65
1.25
0.75
0.75
0.50
0.50
4.9
4.9
TJ = + 25°C
民
典型值
最大
4.86
5.27
5.36
5.77
5.86
6.27
1000
750
350
6.9
6.9
1.7
1.6
65
1.25
0.75
0.75
0.50
0.50
5.0
5.0
TJ = + 85°C
民
典型值
最大
5.08
5.43
5.58
5.93
6.08
6.43
1000
750
350
7.0
7.0
1.7
1.6
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
单位
ns
ps
条件
CL = 50 pF的
1
CL = 50pF的
2
CL = 50 pF的
3
CL = 50 pF的
4
CL = 50 pF的
CL = 50 pF的
CL = 50 pF的
CL = 50 pF的
5
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tr
tf
FMAX
TREC
tS
tH
1.
2.
3.
4.
5.
传播延迟测量保证结温。测量在50MHz输入频率进行。
斜窗保证跨VCC = VT =单一温度VE 4.75V至5.25V （请参阅本申请表注） 。
斜窗保证单温单VCC = VT = VE
输出到输出歪斜被指定为通过所述设备相同的转换。
频率在该产量水平将达到一个0.8V至2.0V的最小摆动。
确定偏移为特定应用程序
该H641已被设计以满足非常低需求
歪斜的时钟分配的应用程序。为了优化
设备这个应用特殊考虑
必要的部件到部件歪斜的确定
技术指标。旧的标准逻辑器件均
具有相对松弛的限制，以便该设备可以是
保证在很宽的范围内潜在的环境中
条件。这一系列的条件，代表所有的
潜在的应用，其中所述设备也可以使用。该
结果是一个规范的限制，在案件的绝大多数
是非常保守的，因此不容许的
最佳的系统设计。对于非关键歪斜设计这
实践中是可接受的，但是作为时钟速度
系统增加过于保守的规范限制可以
杀死一个设计。
下面将讨论用户如何使用
本数据手册提供的信息来定制一个部件到部件
歪斜规格限制其应用。歪斜
确定过程将显得乏味和
耗时的，但是如果最大的性能是
需要此步骤是必要的。对于这些应用程序
不需要的歪斜性能的通用这个水平
可用于为2.5ns的部件到部件歪斜极限。这个限制是好的
对于整个环境温度范围内，保证VCC
（VT ， VE）的范围，并保证工作频率范围。
MECL数据
DL122 - 第六版
2–3
摩托罗拉
MC10H641 MC100H641
VCC依赖
TTL和CMOS器件显示出显著传播
拖延与VCC的依赖。在因此VCC变化
系统将会对时钟的总偏斜直接影响
分发网络。当计算两者之间的歪斜
在一块电路板上的设备是非常有可能的假设
相同的VCC的可。在这种情况下，所提供的数
在数据表中的一部分对部分歪斜会过分
保守。通过使用图4中的数据给出的歪斜
片可降低到代表一个较小或零变化
在VCC 。由于指定的VCC变化的延迟变化
is
≈270ps.
因此，在数据表中的1ns的窗口都可以
如果有问题的设备将始终270ps减少
经历相同的VCC 。传播路径的分布
在数据手册中给出的延迟范围实际上是一个复合
三个分布的装置由固定分隔
在典型的，最小的传播延迟差异，
最大的VCC 。
MORMALIZED传播延迟（ns ）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
的TPH1
0.85
0.80
0.75
理论
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
测
TPLH
容性负载（PF ）
图5. TPD与负载
140
100
60
TPD （ PS）
20
–20
–60
–100
–140
4.75
的TPH1
TPLH
上升/下降斜度的测定
上升到秋天偏斜定义为简单的区别
在TPLH和tPHL传播延迟之间。这
歪斜的H641是依赖于施加到所述VCC
装置。从图4中的TPD的相对关系通知
与TPLH的TPH1和VCC之间。因为这个的
上升到秋天歪斜会根据VCC变化。因为，在所有
可能性就不可能以建立准确的值
VCC时，应使用的预期变化范围为VCC。如果
此变化将是
±5%
在数据表中显示的
上升到秋天歪斜可以通过简单地减去成立
最快TPLH从最慢的TPH1 ;这个练习产量
1.41ns 。如果一更紧VCC的范围内，可以实现图4中可以
用于建立上升到秋季歪斜。
规格限的测定例
描绘在图6中的情况将作为一个被分析
例子。中央时钟分配到两个不同的卡;
一个卡上的单个H641用于分发的时钟而
所述第二卡上的两个H641的需要提供的
需要的时钟。的数据表，以及所述图形
本节的信息将被用来计算歪斜
H641a以及H641b以及所有之间的偏移之间的
三个设备。只有TPLH将被分析的的TPH1
号可以使用相同的技术中找到。该
以下假设将用于：
–
–
–
–
所有输出将被装入50pF的
所有输出将切换为30MHz的
这两个板之间的VCC变化
±3%
三者之间的温度变化
设备是
±15°C
围绕45 ° C的环境。
- 500LFPM气流
4.85
4.95
5.05
工作电压（V ）
5.15
5.25
图4中。
T
PD与VCC
容性负载依赖
作为与VCC的一个TTL输出的传播延迟是
紧密联系在一起的负载电容变化。歪斜
当然，在数据表中给出的规格，假设
等于负载上的所有输出。然而情况可能
出现在那里，这是不可能的，它可能有必要
估计不对称负荷增加歪斜。此外
只为50pF的设置传播延迟数
负载，因此需要确定的一个方法
传播延迟为替代负载。
图5示出了两者之间的关系
传播延迟相对于上的容性负载
输出。利用该图形和50pF的限制说明书
将H641的可以被映射到一个规范为任何一个不同
值负载或不对称负荷。
第一个任务是计算结温为
在这些条件下的设备。使用电源式
收益率：
PD = ICC （空载） * VCC +
VCC * VS * F * CL * ＃输出
= 1.8 * 48毫安* 5V + 5V 3V * * * 30MHz的
50pF的* 9
= 432mW +达到203兆瓦= 635mW
MECL数据
DL122 - 第六版
2–5
摩托罗拉
MC10H641 ， MC100H641
单电源PECL到TTL
1 ： 9时钟分配芯片
描述
该MC10H / 100H641是单电源供电，低偏移翻译1 ： 9
时钟驱动器。在安森美半导体H641翻译系列设备
利用PLCC -28的最佳功率穿针，信号流过
和电气性能。
该器件具有24毫安TTL输出级，与AC
性能指定为50 pF负载电容。闩锁是
片上提供。当LEN为低（或左开，在这种情况下，它是
低拉高由内部下拉）锁存器是透明的。一
高高的使能引脚（ EN ）强制所有输出低电平。无论是LEN
和EN引脚为正ECL输入。
在V
BB
输出的情况下提供用户想要以驱动
设备与一个单端输入。对于单端使用时， V
BB
应连接到D输入端和旁路用0.01
mF
电容。
在H641的10H版本与积极的兼容
MECL 10H 逻辑电平。该100H版本兼容
积极100K的水平。
特点
http://onsemi.com
PLCC28
FN后缀
CASE 776
标记图*
1
PECL
热门ECLinPS E111 TTL版
低偏移
保证歪斜规格
锁存输入
差分ECL内部设计
V
BB
输出单端使用
单+5.0 V电源
逻辑使能
额外的电源和地
独立ECL和TTL电源引脚
无铅包可用*
MCxxxH641G
AWLYYWW
xxx
A
WL
YY
WW
G
= 10或100
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年11月
Rev.7
1
出版订单号：
MC10H641/D
MC10H641 ， MC100H641
表2. 10H PECL DC特性
0°C
符号
I
INH
I
IL
V
IH
V
IL
V
BB
特征
输入高电流
输入低电平电流
输入高电压
输入低电压
输出参考电压
V
E
= 5.0 V （注1 ）
V
E
= 5.0 V （注1 ）
V
E
= 5.0 V （注1 ）
0.5
3.83
3.05
3.62
4.16
3.52
3.73
条件
民
最大
255
0.5
3.87
3.05
3.65
4.19
3.52
3.75
25°C
民
最大
175
0.5
3.94
3.05
3.69
4.28
3.55
3.81
85°C
民
最大
175
单位
mA
mA
V
V
V
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
1. PECL V
IH
, V
IL
和V
BB
参照的是VE和将变化为1：1的电源。所示的电平为VE = 5.0V。
表3. 100H PECL DC特性
0°C
符号
I
INH
I
INL
V
IH
V
IL
V
BB
特征
输入高电流
输入低电平电流
输入高电压
输入低电压
输出参考电压
V
E
= 5.0 V （注2 ）
V
E
= 5.0 V （注2 ）
V
E
= 5.0 V （注2 ）
0.5
3.835
3.190
3.62
4.120
3.525
3.74
条件
民
最大
255
0.5
3.835
3.190
3.62
4.120
3.525
3.74
25°C
民
最大
175
0.5
3.835
3.190
3.62
4.120
3.525
3.74
85°C
民
最大
175
单位
mA
mA
V
V
V
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
2. PECL V
IH
, V
IL
和V
BB
参照的是VE和将变化为1：1的电源。所示的电平为VE = 5.0V。
表4.直流特性
(V
T
= V
E
= 5.0 V
±
5%)
T
A
= 0°C
符号
I
EE
I
CCH
I
CCL
特征
电源电流
PECL
TTL
民
典型值
24
24
27
最大
30
30
35
T
A
= + 25°C
民
典型值
24
24
27
最大
30
30
35
T
A
= + 85°C
民
典型值
24
24
27
最大
30
30
35
单位
mA
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
表5. TTL直流特性
(V
T
= V
E
= 5.0 V
±
5%)
0°C
符号
V
OH
V
OL
I
OS
特征
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
条件
I
OH
=
15
mA
I
OL
= 24毫安
V
OUT
= 0 V
100
民
2.5
0.5
225
100
最大
25°C
民
2.5
0.5
225
100
最大
85°C
民
2.5
0.5
225
最大
单位
V
V
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
http://onsemi.com
3
MC10H641 ， MC100H641
表6. AC特性
(V
T
= V
E
= 5.0 V
±
5%)
T
J
= 0°C
符号
t
PLH
t
PHL
t
SKEW
特征
传播延迟
D到Q
设备倾斜
部分到第
单V
CC
输出至输出
条件
CL = 50 pF的（注3）
民
5.00
5.36
典型值
5.50
5.86
最大
6.00
6.36
1000
750
350
4.9
5.0
6.9
7.0
1.7
1.6
65
0.75
0.75
0.50
0.50
65
0.75
0.75
0.50
0.50
4.9
4.9
T
J
= + 25°C
民
4.86
5.27
典型值
5.36
5.77
最大
5.86
6.27
1000
750
350
6.9
6.9
1.7
1.6
65
0.75
0.75
0.50
0.50
5.0
5.0
T
J
= + 85°C
民
5.08
5.43
典型值
5.58
5.93
最大
6.08
6.43
1000
750
350
7.0
7.0
1.7
1.6
单位
ns
ps
CL = 50 pF的（注4 ）
CL = 50 pF的（注5 ）
CL = 50 pF的（注6 ）
CL = 50 pF的
CL = 50 pF的
CL = 50 pF的
CL = 50 pF的（注7 ）
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
f
最大
t
S
t
H
传播延迟
LEN到Q
传播延迟
EN为Q
输出上升/下降
0.8至2.0V
最大输入频率
建立时间
保持时间
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
3.传播延迟测量保证结温。测量50 MHz的输入频率进行。
4.斜窗保证跨越V单温度
CC
= V
T
= V
E
4.75 V至5.25 V （参见本数据手册应用笔记） 。
5.斜窗保证单温单V
CC
= V
T
= V
E
6.输出至输出偏移被指定为通过所述设备相同的转换。
7.频率在该产量水平将达到0.8 V至2.0 V的最小摆动。
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
