M54/M74HC367
M54/M74HC368
HEX总线缓冲器（三态）
HC367同相，反相HC368
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 11 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
（分）
输出驱动能力
15输入通道负载
对称的输出阻抗
|I
OH
| = I
OL
= 6 MA（ MIN 。 ）
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
宽工作电压范围
V
CC
（ OPR ） = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54/74LS367/368
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HCXXXF1R
M74HCXXXM1R
M74HCXXXB1R
M74HCXXXC1R
引脚连接
（ TOP VIEW ）
HC368
描述
在M54 / 74HC367和M54 / 74HC368高
高速CMOS HEX总线缓冲器（三态） fabri-
符在硅栅
2
MOS技术。他们有
LSTTL的COM相同的高速性能
软硬件就可以为真正的CMOS低功耗。
这些设备包含6缓冲区，四缓冲区
通过一个使能输入端（ G1）和另外两个控制
缓冲区由其它能输入控制
（G2） ;被启用的每个缓冲器组的输出
当G1和/或G2输入保持为低电平，
当高举这些输出被禁止为
高阻抗。
这些输出能够驱动多达15个输入通道的
负载。设计者具有非反相的选择
输出（ HC367 ）和反相输出（ HC368 ） 。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
1992年10月
1/11
HC367
M54/M74HC367/368
IEC逻辑符号
HC367
HC368
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
I
O
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
o
C
o
C
ns
3/11
M54/M74HC367/368
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
PD
(*)
输出禁用
时间
输入电容
功耗
电容
2.0
4.5
6.0
C
L
（PF ）
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。
典型值。
25
7
6
30
10
9
42
14
12
36
11
9
49
15
13
32
14
12
5
33
马克斯。
60
12
10
85
17
14
105
21
18
90
18
15
110
22
19
95
19
16
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。
马克斯。
75
15
13
105
21
18
130
26
22
115
23
20
140
28
24
120
24
20
10
分钟。
马克斯。
90
18
15
130
26
22
160
32
27
135
27
23
165
33
28
145
29
25
10
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
输出转换
时间
传播
延迟时间
50
ns
50
ns
150
ns
t
PZL
t
PZH
OUTPUT ENABLE
时间
50
R
L
= 1 K
ns
150
R
L
= 1 K
ns
50
R
L
= 1 K
ns
pF
pF
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 6 （每通道）
测试电路I
CC
（ OPR ）。
C
PD
计算
C
PD
要被计算为以下
式使用的测定值
I
CC
（OPR ）。在测试电路相反的。
I
CC
(
OPR
)
C
PD
=
f
IN
×
V
CC
在确定C的典型值
PD
, a
1兆赫频率比较高是AP-
合股到f
IN
中，为了消除任何错误
所造成的静态电源电流。
输入波形是一样的，若
开关特性测试。
5/11
M54/M74HC367
M54/M74HC368
HEX总线缓冲器（三态）
HC367同相，反相HC368
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 11 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
（分）
输出驱动能力
15输入通道负载
对称的输出阻抗
|I
OH
| = I
OL
= 6 MA（ MIN 。 ）
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
宽工作电压范围
V
CC
（ OPR ） = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54/74LS367/368
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HCXXXF1R
M74HCXXXM1R
M74HCXXXB1R
M74HCXXXC1R
引脚连接
（ TOP VIEW ）
HC368
描述
在M54 / 74HC367和M54 / 74HC368高
高速CMOS HEX总线缓冲器（三态） fabri-
符在硅栅
2
MOS技术。他们有
LSTTL的COM相同的高速性能
软硬件就可以为真正的CMOS低功耗。
这些设备包含6缓冲区，四缓冲区
通过一个使能输入端（ G1）和另外两个控制
缓冲区由其它能输入控制
（G2） ;被启用的每个缓冲器组的输出
当G1和/或G2输入保持为低电平，
当高举这些输出被禁止为
高阻抗。
这些输出能够驱动多达15个输入通道的
负载。设计者具有非反相的选择
输出（ HC367 ）和反相输出（ HC368 ） 。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
1992年10月
1/11
HC367
M54/M74HC367/368
IEC逻辑符号
HC367
HC368
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
I
O
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
o
C
o
C
ns
3/11
M54/M74HC367/368
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
PD
(*)
输出禁用
时间
输入电容
功耗
电容
2.0
4.5
6.0
C
L
（PF ）
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。
典型值。
25
7
6
30
10
9
42
14
12
36
11
9
49
15
13
32
14
12
5
33
马克斯。
60
12
10
85
17
14
105
21
18
90
18
15
110
22
19
95
19
16
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。
马克斯。
75
15
13
105
21
18
130
26
22
115
23
20
140
28
24
120
24
20
10
分钟。
马克斯。
90
18
15
130
26
22
160
32
27
135
27
23
165
33
28
145
29
25
10
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
输出转换
时间
传播
延迟时间
50
ns
50
ns
150
ns
t
PZL
t
PZH
OUTPUT ENABLE
时间
50
R
L
= 1 K
ns
150
R
L
= 1 K
ns
50
R
L
= 1 K
ns
pF
pF
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 6 （每通道）
测试电路I
CC
（ OPR ）。
C
PD
计算
C
PD
要被计算为以下
式使用的测定值
I
CC
（OPR ）。在测试电路相反的。
I
CC
(
OPR
)
C
PD
=
f
IN
×
V
CC
在确定C的典型值
PD
, a
1兆赫频率比较高是AP-
合股到f
IN
中，为了消除任何错误
所造成的静态电源电流。
输入波形是一样的，若
开关特性测试。
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