MTP2955V
1999年5月
通讯组*
MTP2955V
P沟道增强型场效应晶体管
概述
这种P沟道MOSFET的设计专门
低电压，高速开关应用，即
电源和功率电机控制。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） 。
特点
?? -12 ， -60 V.
DS （ ON）
= 0.230
@ V
GS
= -10 V
??在高温指定临界直流电气参数
温度。
??坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除
无需外部稳压二极管瞬态抑制器。
?? 175°C最高结温额定值。
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1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MTP2955V版本A
MTP2955V
（ OHFWULFDO和放大器; KDUDFWHULVWLFV
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注意事项：
1.
R
θJA
是juntion到外壳和外壳到环境的热阻之和。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
MTP2955V版本A
TO- 220磁带和卷轴数据和封装尺寸
TO- 220包装管
CON组fi guration ：
造型玩具E 1.0
包装说明：
TO- 220零件PED船舶通常的管子。该管
由PVC塑料用抗-stati agent.These
在标准选项管被放置在一个内部耗散
塑料袋，条形码标签，并放置在一个盒子里
制成每可回收瓦楞纸PA的。一个框包含
2巴gs的最大值（参见图1.0）。和一个或多个华氏度
这些箱子被放在一个标记希普ING博X内
在怒江MBER不同尺寸dependi吴WHIC HC omes
部分船PED 。另一种选择自带散装
在Packagin G信息表中描述。该单位为s的
此选项被放置在一个小盒子奠定瓦特第i个抗
静电汽泡纸。这些更小的盒子是单独
标记和放置插件IDE较大框（见图3.0）。
这些较大的或中间框，然后将被放置
最后一个标记包装箱其中H仍然来自于内部
不同大小取决于运单位数。
45单位为s ，每管
每包12管
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
2袋秒每盒
香港专业教育学院的行为PLASTI C B股份公司
的TO-220封装
信息：
图2.0
TO- 220封装信息
包装选项
包装类型
每管/盒数量
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
注/评论
标准
（没有F升流码）
FSCINT拉贝升SAMP乐
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1080 UNI TS马克西妈妈
定量是每波X
S62Z
体积
300
LOT ：
CBVK741B019
数量：
HTB ： B
1080
NSID ：
FDP7060
产品规格：
铁路/地铁
45
530x130x83
1,080
1.4378
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
114x102x51
1,500
1.4378
FSCINT标签
（ FSCINT ）
TO- 220散包装
CON组fi guration ：
图3.0
FSCINT标签
安钛-为static
Bubbl ê片S
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
1500 UNI TS马克西妈妈
定量是每间箱
300个单位
EO70盒
114毫米X 102毫米X 51毫米
EO70 IMMED在Iate盒
5 EO70 boxe秒每元
中间体ediate博X
FSCINT标签
的TO-220管
CON组fi guration ：
图4.0
注：所有朦胧ensions都是以英寸为单位
0.123
+0.001
-0.003
0.165
0.080
0.450
±.030
1.300
±.015
0.032
±.003
0.275
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
0.160
20.000
+0.031
-0.065
0.800
0.275
1999年8月，版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
订购此文件
通过MTP2955V / D
TMOS
功率场效应晶体管
TMOS V是设计来实现导通电阻的新技术
tance面积产品约一半是标准的MOSFET。这
新技术的一倍以上，目前的细胞密度我们
50和60伏的TMOS装置。正如我们的TMOS E- FET
设计中， TMOS V被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。专为低电压，高
电源供应器，转换器，开关速度快和应用
动力马达控制，这些设备特别适合于
桥式电路中的二极管速度和换向安全工作
区域是关键的，提供对附加的安全余量
意外的电压瞬变。
TMOS V的新功能
导通电阻区域产品大约有一半的标准
MOSFET的用新的低电压，低RDS（ON ）技术
更快的开关比E- FET前辈
数据表
V
MTP2955V
TMOS功率场效应晶体管
12安培
60伏特
RDS （ ON）= 0.230 OHM
P沟道增强型硅栅
TM
D
G
S
常用功能TMOS V和TMOS E-场效应管
较高的雪崩能量
IDSS和VDS （ ON）指定高温
静态参数是相同的两个TMOS V和TMOS E- FET
CASE 221A -09 ，样式5
TO–220AB
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
栅极 - 源极电压
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10伏，峰值IL = 12 APK， L = 3.0 mH的， RG = 25
)
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
R
θJC
R
θJA
TL
价值
60
60
±
15
±
25
12
8.0
42
60
0.40
- 55 175
216
2.5
62.5
260
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
mJ
° C / W
°C
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
设计师的， E- FET和TMOS V是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
REV 3
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉1997年公司
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MTP2955V
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±
15 VDC ， VDS = 0伏）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 6.0 ADC ）
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 12 ADC）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 6.0 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（ VDS = 10 VDC ， ID = 6.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(
（VDS = 48 Vd的ID = 12的ADC，
VDC ，
广告，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 30 V直流， ID = 12的ADC ，
Vd
Ad
VGS = 10伏直流
VDC ，
RG = 9.1
)
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
（ IS = 12 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 12 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
—
—
TRR
(
（ IS = 12 ADC ， VGS = 0伏，
广告，
VD，
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
内部封装电感
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3 ）反映的典型值。
最大极限 - 典型值
CPK =
3× SIGMA
LD
—
LS
—
7.5
—
4.5
—
nH
nH
ta
tb
QRR
—
—
—
—
1.8
1.5
115
90
25
0.53
3.0
—
—
—
—
—
C
ns
VDC
—
—
—
—
—
—
—
—
15
50
24
39
19
4.0
9.0
7.0
30
100
50
80
30
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
550
200
50
700
280
100
pF
激酶（CPK
≥
2.0) (3)
VGS （ TH）
2.0
—
激酶（CPK
≥
1.5) (3)
RDS （ ON）
—
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
3.0
—
—
5.0
2.9
2.5
—
姆欧
0.185
0.230
VDC
2.8
5.0
4.0
—
VDC
毫伏/°C的
欧姆
激酶（CPK
≥
2.0) (3)
V（ BR ） DSS
60
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
10
100
100
NADC
—
58
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP2955V
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是负责控制的。
各种开关间隔的长度（ΔT）是阻止 -
由如何快速FET输入电容可充电开采
由来自发电机的电流。
已发布的电容数据是难以用于calculat-
荷兰国际集团的兴衰，因为漏 - 栅电容变化
大大随施加电压。因此，栅极电荷数据
使用。在大多数情况下，令人满意的平均输入的估计
电流（IG （AV） ）可以从一个基本的分析来作出
的驱动电路，使得
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔，当切换电阻
略去负载，V GS保持几乎恒定在已知为平
高原电压， VSGP 。因此，上升和下降时间可
来近似由下面的：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用适当val-
在一个标准方程用于从所述电容曲线的UE
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
1800
1600
1400
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
10
5
VGS
0
VDS
5
10
西塞
科斯
CRSS
15
20
25
CRSS
西塞
电容（西塞）从电容曲线上读出在
校准 - 当相应于关断状态的条件的电压
culating TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件的COM
折扇的分析。 MOSFET的源极电感
铅，内包和在所述电路布线是
共用的漏极和栅极的电流路径，产生一个
电压在这减小了栅极驱动器的电流源。
该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是一个函数
漏极电流的灰，其数学解决方案是复杂的。
MOSFET的输出电容也复杂化了
数学。最后， MOSFET的有限的内部栅极
电阻，这有效地增加了的电阻
驱动源，但内部电阻是困难来测量
确定，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与栅电阻
tance （图9）展示了如何切换的典型表现
受寄生电路元件。如果寄生
不存在时，曲线的斜率将保持
团结的价值，无论开关速度。该电路
用于获得数据被构造为最小化共
电感在漏极和门电路的循环，并且被认为
容易实现与电路板安装的组件。最
电力电子负载是感性的;在该图中的数据是
使用电阻性负载，它近似于一个最佳取
冷落感性负载。功率MOSFET可以安全OP-
erated成一个感性负载;然而，不压井作业减少
开关损耗。
VDS = 0 V
VGS = 0 V
TJ = 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP2955V
VGS ，栅极至源极电压（伏）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
Q3
4
6
8
10
12
14
VDS
16
18
QT间期，总费用（ NC）
Q1
Q2
VGS
QT
30
27
24
21
18
15
12
ID = 12 A 9
TJ = 25° C 6
3
0
20
1000
VDS ，漏极至源极电压（伏）
VDD = 30 V
ID = 12一
VGS = 10 V
TJ = 25°C
tr
tf
TD （关闭）
TD （上）
T， TIME （ NS ）
100
10
1
1
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
12
11
I S ，源电流（安培）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.5
VGS = 0 V
TJ = 25°C
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是换
病房偏颇。曲线是基于最大峰值junc-
化温度为25 ℃的情况下，温度（T ） 。高峰
重复脉冲功率极限通过使用所确定的
在与程序结合使用的热响应数据
在AN569 ， “瞬态热阻，一般讨论
数据和它的使用。 “
关断状态和导通状态之间的切换可以TRA-
诗句所提供的任何负载线既不是额定峰值电流（ IDM ）
也不额定电压（ VDSS ）超标和过渡时间
（ TR ， TF ）不超过10
s.
另外，总功率平均值
年龄超过一个完整的开关周期必须不超过
（ TJ（MAX） - TC） / （r
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。对于可靠性
能操作，所存储的能量从电感电路显示
sipated中的晶体管，而在雪崩必须小于
额定极限和调整操作条件的不同
从这些规定。虽然行业惯例是速度
能源方面，雪崩能量功能是不是
常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结温
perature 。
虽然许多E-场效应管能承受漏极的压力
到源雪崩在电流高达额定脉冲电流
（ IDM ） ，能量等级在额定连续电流规定
租（ID ） ，按照行业惯例。能量额定
荷兰国际集团必须降低温度如图所示
所附的图中（图13） 。在电流最大的能量
低于额定连续编号的租金可以安全地假定
等于指定的值。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
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