SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-88681
MIL -STD- 883
MT5C2564
引脚分配
（ TOP VIEW ）
特点
高速： 15，20， 25 ，35， 45 ，55，和70
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
A1
A0
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
4
5
6
7
8
9
10
11
12
26
25
24
23
22
21
20
19
18
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
24引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
28引脚LCC （ EC）
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
NC
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS ，并使用双是捏造
金属层，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供的所有组织芯片使能（ CE \\ ）
系统蒸发散。此增强功能可将在高阻抗输出的
在系统设计中更多的灵活性。 X4配置
设有普通的数据输入和输出。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\变低。该
器件提供低功率待机模式时禁用。
这使得系统设计，实现超低待机功耗再
quirements 。
这些器件采用+ 5V单电源工作支持
帘布层和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
第106号
204号
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C2564
2.0版本11/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
A0
A1
MT5C2564
GND
行解码器
A3
A4
A5
A13
A14
A15
262,144-BIT
存储阵列
I / O控制
A2
DQ4
DQ1
CE \\
列解码器
WE \\
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
动力
下
真值表
模式
待机
读
写
CE \\
H
L
L
WE \\
X
H
L
DQ
高-Z
Q
D
动力
待机
活跃
活跃
MT5C2564
2.0版本11/00
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2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss ..................................- 0.5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss .............................- 0.5V至+ 7V电压
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 50毫安
引线温度（焊接10秒） .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
MT5C2564
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
1
1
0.4
最大
-25
140
V
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
符号
I
cc
-15
165
-20
150
-35
120
-45
120
单位备注
mA
3
I
SBT2
45
45
40
25
25
mA
I
SBC2
I
SBC2
20
4
20
4
20
4
20
4
20
4
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
符号
C
I
C
O
最大
10
12
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C2564
2.0版本11/00
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3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C2564
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-20
-25
-35
-45
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
15
15
3
3
8
0
15
15
12
12
0
2
12
7
0
0
0
20
15
15
0
2
15
10
0
0
0
0
20
25
18
18
0
2
17
12
0
0
0
3
3
10
0
25
35
30
30
0
5
30
20
0
0
0
20
20
20
3
3
10
0
35
45
40
40
0
5
40
20
0
0
0
25
25
25
3
3
20
0
45
35
35
35
3
3
20
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
4
4
7
10
11
20
20
7
6, 7
MT5C2564
2.0版本11/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C2564
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
是
用CL = 5pF的指定与图2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
4.
5.
6.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能在举行
它的活动状态。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
VCC为保留数据
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
CDR
t
R
0
t
RC
条件
符号
V
DR
I
CCDR
民
2
最大
---
1
2
---
单位
V
mA
mA
ns
ns
4
4, 11
笔记
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C2564
2.0版本11/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
2165
43
87
4365
21214321
87
23214321
87
41214321
21214321
4365
8765
87654321
4321
3 1
87654321
4321
4321
321
321
87654321
4321
321
2
87654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-88681
SMD 5962-88545
MIL -STD- 883
MT5C2564
引脚分配
（ TOP VIEW ）
特点
高速： 15，20， 25 ，35， 45 ，55，和70
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
A1
A0
NC
VCC
NC
24引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
28引脚LCC （ EC）
3 2 1 28 27
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
4
5
6
7
8
9
10
11
12
26
25
24
23
22
21
20
19
18
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
NC
28引脚扁平封装（F ）
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
NC
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
陶瓷扁平
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
WE \\
C
EC
F
第106号
204号
概述
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS ，并使用双是捏造
金属层，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供芯片上所有的使能（ CE \\ ）
组织。此增强功能可以将产出
高-Z在系统设计的灵活性。该X4
构设有普通的数据输入和输出。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是
并做到了，当我们\\保持高电平CE \\变低。
该器件提供了一个低功率待机模式时，
禁用。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
这些器件采用+ 5V单电源工作
电源和所有输入和输出完全TTL兼容。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C2564
第3.1版6/05
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
A0
A1
MT5C2564
GND
行解码器
A3
A4
A5
A13
A14
A15
262,144-BIT
存储阵列
I / O控制
A2
DQ4
DQ1
CE \\
列解码器
WE \\
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
动力
下
真值表
模式
待机
读
写
CE \\
H
L
L
WE \\
X
H
L
DQ
高-Z
Q
D
动力
待机
活跃
活跃
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第3.1版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss ..................................- 0.5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss .............................- 0.5V至+ 7V电压
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 50毫安
引线温度（焊接10秒） .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
MT5C2564
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
1
1
0.4
最大
-25
140
V
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
符号
I
cc
-15
165
-20
150
-35
120
-45
120
单位备注
mA
3
I
SBT2
45
45
40
25
25
mA
I
SBC2
I
SBC2
20
4
20
4
20
4
20
4
20
4
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
符号
C
I
C
O
最大
10
12
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C2564
第3.1版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C2564
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-20
-25
-35
-45
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
15
15
3
3
8
0
15
15
12
12
0
2
12
7
0
0
0
20
15
15
0
2
15
10
0
0
0
0
20
25
18
18
0
2
17
12
0
0
0
3
3
10
0
25
35
30
30
0
5
30
20
0
0
0
20
20
20
3
3
10
0
35
45
40
40
0
5
40
20
0
0
0
25
25
25
3
3
20
0
45
35
35
35
3
3
20
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
4
4
7
10
11
20
20
7
6, 7
MT5C2564
第3.1版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C2564
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
是
用CL = 5pF的指定与图2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
4.
5.
6.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能在举行
它的活动状态。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
条件
符号
V
DR
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
CDR
t
R
0
t
RC
I
CCDR
民
2
最大
---
1
2
---
单位
V
mA
mA
ns
ns
4
4, 11
笔记
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C2564
第3.1版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
432
4321
4321
1
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
2165
43
87
4365
21214321
87
23214321
87
41214321
21214321
4365
8765
87654321
4321
3 1
87654321
4321
4321
321
321
87654321
4321
321
2
87654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-88681
MIL -STD- 883
MT5C2564
引脚分配
（ TOP VIEW ）
特点
高速： 15，20， 25 ，35， 45 ，55，和70
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
A1
A0
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
4
5
6
7
8
9
10
11
12
26
25
24
23
22
21
20
19
18
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
24引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
28引脚LCC （ EC）
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
NC
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS ，并使用双是捏造
金属层，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供的所有组织芯片使能（ CE \\ ）
系统蒸发散。此增强功能可将在高阻抗输出的
在系统设计中更多的灵活性。 X4配置
设有普通的数据输入和输出。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\变低。该
器件提供低功率待机模式时禁用。
这使得系统设计，实现超低待机功耗再
quirements 。
这些器件采用+ 5V单电源工作支持
帘布层和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
第106号
204号
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C2564
2.0版本11/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
A0
A1
MT5C2564
GND
行解码器
A3
A4
A5
A13
A14
A15
262,144-BIT
存储阵列
I / O控制
A2
DQ4
DQ1
CE \\
列解码器
WE \\
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
动力
下
真值表
模式
待机
读
写
CE \\
H
L
L
WE \\
X
H
L
DQ
高-Z
Q
D
动力
待机
活跃
活跃
MT5C2564
2.0版本11/00
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2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss ..................................- 0.5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss .............................- 0.5V至+ 7V电压
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 50毫安
引线温度（焊接10秒） .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
MT5C2564
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
1
1
0.4
最大
-25
140
V
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
符号
I
cc
-15
165
-20
150
-35
120
-45
120
单位备注
mA
3
I
SBT2
45
45
40
25
25
mA
I
SBC2
I
SBC2
20
4
20
4
20
4
20
4
20
4
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
符号
C
I
C
O
最大
10
12
单位
pF
pF
笔记
4
4
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3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C2564
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-20
-25
-35
-45
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
15
15
3
3
8
0
15
15
12
12
0
2
12
7
0
0
0
20
15
15
0
2
15
10
0
0
0
0
20
25
18
18
0
2
17
12
0
0
0
3
3
10
0
25
35
30
30
0
5
30
20
0
0
0
20
20
20
3
3
10
0
35
45
40
40
0
5
40
20
0
0
0
25
25
25
3
3
20
0
45
35
35
35
3
3
20
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
4
4
7
10
11
20
20
7
6, 7
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4
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奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C2564
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
是
用CL = 5pF的指定与图2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
4.
5.
6.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能在举行
它的活动状态。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
VCC为保留数据
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
CDR
t
R
0
t
RC
条件
符号
V
DR
I
CCDR
民
2
最大
---
1
2
---
单位
V
mA
mA
ns
ns
4
4, 11
笔记
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
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2.0版本11/00
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5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
2165
43
87
4365
21214321
87
23214321
87
41214321
21214321
4365
8765
87654321
4321
3 1
87654321
4321
4321
321
321
87654321
4321
321
2
87654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-88681
MIL -STD- 883
MT5C2564
引脚分配
（ TOP VIEW ）
特点
高速： 15，20， 25 ，35， 45 ，55，和70
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
A1
A0
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
4
5
6
7
8
9
10
11
12
26
25
24
23
22
21
20
19
18
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
24引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
28引脚LCC （ EC）
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
NC
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS ，并使用双是捏造
金属层，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供的所有组织芯片使能（ CE \\ ）
系统蒸发散。此增强功能可将在高阻抗输出的
在系统设计中更多的灵活性。 X4配置
设有普通的数据输入和输出。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\变低。该
器件提供低功率待机模式时禁用。
这使得系统设计，实现超低待机功耗再
quirements 。
这些器件采用+ 5V单电源工作支持
帘布层和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
第106号
204号
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
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1
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奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
A0
A1
MT5C2564
GND
行解码器
A3
A4
A5
A13
A14
A15
262,144-BIT
存储阵列
I / O控制
A2
DQ4
DQ1
CE \\
列解码器
WE \\
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
动力
下
真值表
模式
待机
读
写
CE \\
H
L
L
WE \\
X
H
L
DQ
高-Z
Q
D
动力
待机
活跃
活跃
MT5C2564
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
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奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss ..................................- 0.5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss .............................- 0.5V至+ 7V电压
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 50毫安
引线温度（焊接10秒） .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
MT5C2564
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
1
1
0.4
最大
-25
140
V
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
符号
I
cc
-15
165
-20
150
-35
120
-45
120
单位备注
mA
3
I
SBT2
45
45
40
25
25
mA
I
SBC2
I
SBC2
20
4
20
4
20
4
20
4
20
4
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
符号
C
I
C
O
最大
10
12
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C2564
2.0版本11/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C2564
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-20
-25
-35
-45
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
15
15
3
3
8
0
15
15
12
12
0
2
12
7
0
0
0
20
15
15
0
2
15
10
0
0
0
0
20
25
18
18
0
2
17
12
0
0
0
3
3
10
0
25
35
30
30
0
5
30
20
0
0
0
20
20
20
3
3
10
0
35
45
40
40
0
5
40
20
0
0
0
25
25
25
3
3
20
0
45
35
35
35
3
3
20
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
4
4
7
10
11
20
20
7
6, 7
MT5C2564
2.0版本11/00
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4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C2564
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
是
用CL = 5pF的指定与图2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
4.
5.
6.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能在举行
它的活动状态。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
VCC为保留数据
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
CDR
t
R
0
t
RC
条件
符号
V
DR
I
CCDR
民
2
最大
---
1
2
---
单位
V
mA
mA
ns
ns
4
4, 11
笔记
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C2564
2.0版本11/00
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5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
2165
43
87
4365
21214321
87
23214321
87
41214321
21214321
4365
8765
87654321
4321
3 1
87654321
4321
4321
321
321
87654321
4321
321
2
87654321
不在乎
未定义
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