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公告PD- 20588转。 ê 07/04
MBRS130LTR
肖特基整流器器
1安培
I
F( AV )
= 1.0安培
V
R
= 30V
主要额定值及特点
特征
I
F( AV )
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ t
p
= 5 μs的正弦
V
F
T
J
@ 1.0Apk ,T
J
= 125°C
范围
描述/功能
该MBRS130LTR表面贴装肖特基整流器已
设计用于要求低正向压降和小应用程序
脚印在PC板。典型的应用是在磁盘驱动器,
开关电源,转换器,续流二极管,
电池充电和电池反向保护。
小脚印,表面贴装
极低的正向电压降
高频率运行
保护环,增强耐用性和长期
可靠性
MBRS130LTR单位
1.0
30
230
0.30
- 55 125
A
V
A
V
°C
表壳款式
MBRS130LTR
SMB
www.irf.com
1
MBRS130LTR
公告PD- 20588转。 ê 07/04
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压( V)
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压( V)
MBRS130LTR
30
绝对最大额定值
参数
I
F( AV )
马克斯。平均正向电流
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
价值
1.0
230
40
3.0
1.0
单位条件
A
A
占空比为50% @ T
L
= 106 ° C,矩形波的形式
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
mJ
A
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 1A ,L = 6mH
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 VA = 1.5× Vr的典型
以下任何额定
负载条件,
额定V
RRM
应用的
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
价值
0.420
0.470
0.300
0.370
1
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 1A
@ 2A
@ 1A
@ 2A
T
J
=
25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流( 1)
10
20
V
R
=额定V
R
马克斯。结电容
典型的串联电感
200
2.0
10000
V
R
= 5V
DC
(测试信号范围100kHz至1MHz ) 25℃
测铅铅从封装体5毫米
dv / dt的最大值。变化的电压率
(额定V
R
)
(1 )脉冲宽度: LT ; 300μS ,占空比& LT ; 2 %
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。储存温度范围
(**)
80
° C / W DC操作
价值
- 55 150
25
单位
°C
°C
条件
马克斯。结温范围( * ) - 55 125
R
thJL
马克斯。热阻
交界处领导
R
thJA
马克斯。热阻
结到环境
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
( * ) dPtot
& LT ;
1
°C / W DC操作(参见图4)
0.10 ( 0.003 ), G(盎司)。
SMB
IR13L
为DO- 214AA相似
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
Rth的第(j-一)
(**)安装1平方英寸的印刷电路板
2
www.irf.com
MBRS130LTR
公告PD- 20588转。 ê 07/04
10
10
R
埃弗斯电流 - 我
R
(MA )
e
1
T
J
= 125°C
100°C
75°C
50°C
0.01
25°C
0.001
0.1
瞬时正向电流 - I
F
(A)
0.0001
0
10
20
30
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型的峰值反向电流
与反向电压
1000
JUNC化卡帕citance - C
T
(PF
)
中T = 25℃
J
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压下降 - V
FM
(V)
10
图。 1 - 最大正向压降特性
0
10
20
30
反向电压 - V( V)
R
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
www.irf.com
3
MBRS130LTR
公告PD- 20588转。 ê 07/04
130
含铅允许温度( ℃)
平均功率洛杉矶 - (瓦特)
s
0.5
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
RMSLimit
0.2
120
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
方波( D = 0.50 )
80 %额定Vr的应用
见说明( 2 )
0.4
DC
0.3
110
100
0.1
90
0
0.4
0.8
1.2
1.6
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
图。 4 - 最大平均正向电流
与允许焊接温度
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
图。 5 - 最大正向平均损耗
与平均正向电流
(A)
1000
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
不重复浪涌电流 - 我
FSM
100
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
(微秒)
图。 6 - 最大峰值浪涌正向电流比。脉冲持续时间
(2)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
@ (I
F( AV )
/
D) (参照图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
@ V
R1
= 80 %额定V
R
4
www.irf.com
MBRS130LTR
公告PD- 20588转。 ê 07/04
概要表
器件标识: IR13L
阴极
阳极
2.15 (.085)
1.80 (.071)
3.80 (.150)
3.30 (.130)
1
2
4.70 (.185)
4.10 (.161)
1
极性
2 PART NUMBER
2.40 (.094)
1.90 (.075)
1.30 (.051)
0.76 (.030)
0.30 (.012)
0.15 (.006)
5.60 (.220)
5.00 (.197)
2.5 TYP 。
( .098 TYP 。 )
焊接区
2.0典型。
( .079 TYP 。 )
4.2 (.165)
4.0 (.157)
SMB大纲
尺寸以毫米(英寸)
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
标记&鉴定
每个器件都具有2行鉴定。第一行表示该设备所制造的国际
整流器,由字母"IR"以及零件编号(表示指示当前,额定电压和
肖特基代) 。第二行表示年份,制造和站点ID的一周。
IR13L
IR13L
电压
当前
IR徽标
YYWWX
站点ID
今年第2位
该年"standard product"的"Y" =第1位
"P" = "Lead , Free"
www.irf.com
5
MBRS130L
MBRS130L
特点
紧凑的表面贴装封装,
J-弯曲导线。
1.5瓦功耗封装。
1.0安培,正向电压更低
超过395毫伏。
0.220 (5.588)
0.200 (5.080)
0.083 (2.108)
0.075 (1.905
)
0.185 (4.699)
0.160 (4.064)
2
1
0.155 (3.937)
0.130 (3.302)
订购
13英寸卷轴(330 MM) ; 12毫米胶带;
3000单位每卷。
SMB/DO-214AA
颜色频带为负极
顶标: 1BL3
0.096 (2.438)
0.083 (2.108)
0.050 (1.270)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
1.0安培肖特基功率整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
V
RRM
i
F(浪涌)
平均整流电流
反向重复峰值电压
非重复正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
热阻,结到铅**
存储温度范围
工作结温
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
@ T
A
= 120°C
@ T
A
= 110°C
价值
1.0
2.0
30
40
12
-65到+150
-65到+125
单位
A
A
V
A
° C / W
°C
°C
R
θJL
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在FR- 4 PCB 0.013毫米。
电气特性*
符号
I
R
V
F
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
反向漏电流
正向电压
测试条件
V
R
= 30 V ,T
A
= 25
°C
V
R
= 30 V ,T
A
= 100
°C
I
F
= 1.0 A,T
A
= 25
°C
I
F
= 2.0 A,T
A
= 25
°C
最大
1.0
10
395
445
单位
mA
mA
mV
mV
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
1998
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBRS130L ,版本B
MBRS130L
肖特基功率整流器
(续)
典型特征
10
I
F
- 正向电流( A)
5
2
1
I
R
- 反向漏电流(毫安)
正向电压
与温度
反向漏电流
与温度
100
125C
10
100C
1
0.1
75C
100C
0.2
0.1
0
0.1
25C
0.01
0.001
25C
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
F
- 正向电压( V)
0.9
1
0
5
10
15
20
25
30
V
R
- 反向电压( V)
35
40
电容与
反向偏置电压
130
120
电容(pF)
110
100
90
80
70
60
50
40
30
0
3
6
9 12 15 18 21 24 27
V
R
- 反向偏置VO LTAG E( V)
30
T
A
= +25C
MBRS130L ,版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
公告PD- 20588转。 ê 07/04
MBRS130LTR
肖特基整流器器
1安培
I
F( AV )
= 1.0安培
V
R
= 30V
主要额定值及特点
特征
I
F( AV )
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ t
p
= 5 μs的正弦
V
F
T
J
@ 1.0Apk ,T
J
= 125°C
范围
描述/功能
该MBRS130LTR表面贴装肖特基整流器已
设计用于要求低正向压降和小应用程序
脚印在PC板。典型的应用是在磁盘驱动器,
开关电源,转换器,续流二极管,
电池充电和电池反向保护。
小脚印,表面贴装
极低的正向电压降
高频率运行
保护环,增强耐用性和长期
可靠性
MBRS130LTR单位
1.0
30
230
0.30
- 55 125
A
V
A
V
°C
表壳款式
MBRS130LTR
SMB
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1
MBRS130LTR
公告PD- 20588转。 ê 07/04
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压( V)
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压( V)
MBRS130LTR
30
绝对最大额定值
参数
I
F( AV )
马克斯。平均正向电流
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
价值
1.0
230
40
3.0
1.0
单位条件
A
A
占空比为50% @ T
L
= 106 ° C,矩形波的形式
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
mJ
A
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 1A ,L = 6mH
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 VA = 1.5× Vr的典型
以下任何额定
负载条件,
额定V
RRM
应用的
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
价值
0.420
0.470
0.300
0.370
1
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 1A
@ 2A
@ 1A
@ 2A
T
J
=
25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流( 1)
10
20
V
R
=额定V
R
马克斯。结电容
典型的串联电感
200
2.0
10000
V
R
= 5V
DC
(测试信号范围100kHz至1MHz ) 25℃
测铅铅从封装体5毫米
dv / dt的最大值。变化的电压率
(额定V
R
)
(1 )脉冲宽度: LT ; 300μS ,占空比& LT ; 2 %
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。储存温度范围
(**)
80
° C / W DC操作
价值
- 55 150
25
单位
°C
°C
条件
马克斯。结温范围( * ) - 55 125
R
thJL
马克斯。热阻
交界处领导
R
thJA
马克斯。热阻
结到环境
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
( * ) dPtot
& LT ;
1
°C / W DC操作(参见图4)
0.10 ( 0.003 ), G(盎司)。
SMB
IR13L
为DO- 214AA相似
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
Rth的第(j-一)
(**)安装1平方英寸的印刷电路板
2
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MBRS130LTR
公告PD- 20588转。 ê 07/04
10
10
R
埃弗斯电流 - 我
R
(MA )
e
1
T
J
= 125°C
100°C
75°C
50°C
0.01
25°C
0.001
0.1
瞬时正向电流 - I
F
(A)
0.0001
0
10
20
30
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型的峰值反向电流
与反向电压
1000
JUNC化卡帕citance - C
T
(PF
)
中T = 25℃
J
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压下降 - V
FM
(V)
10
图。 1 - 最大正向压降特性
0
10
20
30
反向电压 - V( V)
R
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
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3
MBRS130LTR
公告PD- 20588转。 ê 07/04
130
含铅允许温度( ℃)
平均功率洛杉矶 - (瓦特)
s
0.5
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
RMSLimit
0.2
120
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
方波( D = 0.50 )
80 %额定Vr的应用
见说明( 2 )
0.4
DC
0.3
110
100
0.1
90
0
0.4
0.8
1.2
1.6
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
图。 4 - 最大平均正向电流
与允许焊接温度
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
图。 5 - 最大正向平均损耗
与平均正向电流
(A)
1000
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
不重复浪涌电流 - 我
FSM
100
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
(微秒)
图。 6 - 最大峰值浪涌正向电流比。脉冲持续时间
(2)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
@ (I
F( AV )
/
D) (参照图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
@ V
R1
= 80 %额定V
R
4
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MBRS130LTR
公告PD- 20588转。 ê 07/04
概要表
器件标识: IR13L
阴极
阳极
2.15 (.085)
1.80 (.071)
3.80 (.150)
3.30 (.130)
1
2
4.70 (.185)
4.10 (.161)
1
极性
2 PART NUMBER
2.40 (.094)
1.90 (.075)
1.30 (.051)
0.76 (.030)
0.30 (.012)
0.15 (.006)
5.60 (.220)
5.00 (.197)
2.5 TYP 。
( .098 TYP 。 )
焊接区
2.0典型。
( .079 TYP 。 )
4.2 (.165)
4.0 (.157)
SMB大纲
尺寸以毫米(英寸)
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
标记&鉴定
每个器件都具有2行鉴定。第一行表示该设备所制造的国际
整流器,由字母"IR"以及零件编号(表示指示当前,额定电压和
肖特基代) 。第二行表示年份,制造和站点ID的一周。
IR13L
IR13L
电压
当前
IR徽标
YYWWX
站点ID
今年第2位
该年"standard product"的"Y" =第1位
"P" = "Lead , Free"
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