【16MB ： X16SDRAM同步DRAM特点 PC100的功能完全同步;所有信号上注册系统时钟的上】,IC型号MT48LC1M16A1S,MT48LC1M16A1S PDF资料,MT48LC1M16A1S经销商,ic,电子元器件-51电子网

16MB ： X16

SDRAM

同步

DRAM

特点

PC100的功能

完全同步;所有信号上注册

系统时钟的上升沿，

内部流水线操作;可以列地址

可以改变每个时钟周期

内部银行隐藏行存取/预充电

1梅格×16 - 512K ×16 ×2组架构

11行，每行8列地址

可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页

自动预充电模式，主要包括并发

自动预充电

自刷新和适应性自动刷新模式

- 为32ms ， 2048周期刷新或

- 64毫秒， 2048周期刷新或

- 64毫秒， 4096周期刷新

LVTTL兼容的输入和输出

单+ 3.3V ± 0.3V电源

支持1,2和3 CAS延迟

MT48LC1M16A1的S - 512K ×16× 2银行

对于最新的数据资料，请参考美光网络

网站：

www.micronsemi.com/datasheets/sdramds.html

引脚配置（顶视图）

50针TSOP

DQ0

DQ1

VSSQ

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

VSSQ

DQ6

DQ7

DQML

WE＃

CAS ＃

RAS ＃

CS ＃

A10

VSS

DQ15

DQ14

VSSQ

DQ13

DQ12

DQ11

DQ10

VSSQ

DQ9

DQ8

DQMH

CLK

CKE

VSS

选项

配置

1梅格×16 （ 512K ×16 ×2组）

塑料包装 - OCPL *

50针TSOP （ 400万）

时间（周期时间）

为6ns （ 166兆赫）

7ns的（ 143兆赫）

为8ns （ 125兆赫）

记号

1M16A1

注意：

＃符号指示信号是低电平有效。

CON组fi guration

刷新计数

行寻址

银行地址

列寻址

1梅格×16

512K ×16× 2银行

2K或4K

2K （ A0 - A10 ）

2 （ BA）

256 (A0-A7)

-6

-7

-8A

刷新

2K或4K与自刷新模式，在64毫秒

产品编号举例：

16MB （ X16 ） SDRAM器件型号

产品型号

MT48LC1M16A1TG S

架构

1梅格×16

MT48LC1M16A1TG-7S

概述

关键时序参数

速度

-6

-7

-8A

时钟

166兆赫

143兆赫

125兆赫

存取时间

CL = 3 **

5.5ns

6ns

格局

2ns

HOLD

1ns

*关中心的分型线

** CL = CAS （ READ ）延迟

16MB的SDRAM是高速CMOS动态

随机存取存储器包含16777216位。它

在内部配置为双512K ×16的DRAM

同步接口（所有信号被登记在

该时钟信号的上升沿时，CLK ）。每个

512K ×16位的银行组织为2048行，256

列由16位。读取和写入访问到

SDRAM是迸发导向;存取开始以选定

位置和持续的编程号码

16MB ： X16 SDRAM

16MSDRAMx16.p65 - 修订版8/99

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

1999年，美光科技公司

16MB ： X16

SDRAM

一般说明（续）

地点在编程序列。访问开始

与激活命令的注册，这

随后是一个读或写命令。该

地址位注册与激活

命令用于选择银行和行是

访问（ BA选择银行， A0- A10选择行）。

在阅读或地址位重合注册

WRITE命令是用来选择起始协作

UMN地点为突发访问。

在SDRAM提供了可编程只读或

写的1 ，2，4或8的位置，也可以使用完整突发长度

页面上，一阵终止选项。自动

预充电功能可被使能，以提供一

自定时行预充电时的端部被启动，它将

色同步信号序列。

1梅格×16 SDRAM采用内部管线

体系结构来实现高速操作。这AR-

民族形式与预取的2n个规则兼容

体系结构，但它也可以使列地址到

在每个时钟周期被改变，以实现高

速，完全随机访问。预充电，而一家银行

访问备用的银行将隐藏预充电

周期并提供无缝的，高速的，无规AC-

塞斯操作。

1兆欧×16的SDRAM被设计为工作在

3.3V ，低功耗存储器系统。自动刷新

模式设置，以及一个省电，加电

关断模式。所有输入和输出都是LVTTL -的COM

兼容。

SDRAM的报价在DRAM重大进展能操作

阿婷的性能，包括同步系统的能力

nously在高数据速率的自动突发数据

列地址的产生，对交织的能力

国内银行为了掩盖预充电时间之间，

并有能力随意改变AD-列

期间的突发式访问在每个时钟周期的衣服。

16MB ： X16 SDRAM

16MSDRAMx16.p65 - 修订版8/99

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

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16MB ： X16

SDRAM

功能框图 - 1兆欧×16 ................. 3

引脚说明................................................ 4 ........

功能说明

........................................

初始化................................................. .......

寄存器定义.............................................

模式寄存器................................................

突发长度..............................................

突发类型................................................ 。

CAS延迟..............................................

操作模式.......................................

写突发模式.....................................

COMMANDS

..............................................................

事实表1 （命令和DQM操作）

..............

命令禁止...............................................

无操作（ NOP ） ..........................................

加载模式寄存器............................................

主动................................................. .................

阅读................................................. .................

写................................................. .................

预充电................................................. ............

自动预充电................................................ ....

突发终止................................................ ...

自动刷新................................................ ........

自刷新................................................ ..........

手术

................................................................

银行/行激活.........................................

读................................................. .................

写................................................. .................

预充电................................................. ............

掉电............................................... ........

时钟暂停................................................ ....

突发读/单写......................................

同时自动预充电................................ 22

真值表2 （ CKE ）

................................................... 24

事实表3 （目前的状态，同一家银行）

....................... 25

事实表4 （目前的状态，不同的银行）

................... 27

绝对最大额定值.................................... 29

DC电气特性和操作条件

规格和条件.......................... 29

电容................................................. ............. 30

AC电气特性（时序表）

.... 30

时序波形

初始化和加载模式寄存器......................

掉电模式............................................

时钟挂起模式..........................................

自动刷新模式.............................................

自刷新模式...............................................

读和写

阅读 - 单读.........................................

读 - 如果没有自动预充电....................

阅读 - 使用自动预充电..........................

交行读访问....................

阅读 - 全页突发....................................

阅读 - DQM操作.................................

写到

写 - 写单.......................................

写 - 如果没有自动预充电...................

写 - 使用自动预充电.........................

交行写访问...................

写 - 全页突发...................................

写 - DQM操作................................

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16MB ： X16

SDRAM

功能框图

1梅格×16 SDRAM

ROW

解码器

行向

地址

LATCH

2,048

BANK0

内存

ARRAY

(2,048 x 256 x 16)

CKE

CLK

DQML ，

DQMH

WE＃

CAS ＃

RAS ＃

命令

解码

CS ＃

控制

逻辑

256 (x16)

感测放大器

I / O选通

DQM MASK逻辑

模式寄存器

256

数据

产量

柱分离

地址缓冲器

串计数器

柱分离

地址锁存

COLUMN

解码器

DQ0-

DQ15

数据

输入

256

A0 - A10 ， BA

地址

刷新

调节器

感测放大器

I / O选通

DQM MASK逻辑

行向

地址

MUX

刷新

计数器

256 (x16)

ROW

解码器

行向

地址

LATCH

2,048

BANK1

内存

ARRAY

(2,048 x 256 x 16)

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16MB ： X16

SDRAM

引脚说明

PIN号码

符号

CLK

TYPE

描述

输入时钟： CLK由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号是

采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部

突发计数器和控制输出寄存器。

输入时钟使能： CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CLK

信号。停用时钟提供了预充电掉电

和自刷新操作（所有银行闲置）， ACTIVE POWER- DOWN

（ ACTIVE行任一银行）或时钟停止作业（突发/访问

进行中）。 CKE是同步的，除了在设备加电进入后

向下和自刷新模式，在CKE变成异步的，直到

后退出同一模式。输入缓存器，其中包括CLK，是

在断电期间和自刷新模式禁用，提供低

备用电源。 CKE可连接到高电平。

输入片选： CS ＃启用（注册LOW ）和禁用（注册

HIGH ）命令解码器。所有的命令都是蒙面当CS ＃为

注册HIGH 。 CS ＃提供了对系统的外部组选择

与多家银行。 CS ＃被认为是命令代码的一部分。

输入命令输入： RAS ＃， CAS ＃和WE ＃（连同CS ＃）定义

所输入的命令。

输入输入/输出面膜： DQM是输入屏蔽信号的写访问和

输出使能信号，用于读访问。输入数据被屏蔽时

在写周期DQM采样为高电平。输出缓冲器

置于高阻态（双时钟延迟），当DQM采样

在读周期高。 DQML对应DQ0 - DQ7 ; DQMH

对应于DQ8 - DQ15 。

DQML和DQMH被认为是相同的状态时，作为DQM引用。

输入银行地址输入： BA定义到银行ACTIVE ， READ ，

写或预充电命令被应用。 BA也用于

节目的模式寄存器第十二位。

输入地址输入： A0 - A10有效命令期间进行采样

（行地址A0 - A10）和读/写命令（列地址A0

A7 ， A10与定义自动预充电），选择一个位置出来的

在各银行提供的512K 。期间， A10采样

预充电命令，以确定是否所有银行都必须预充电

（ A10 HIGH ）。地址输入过程中也提供了一个操作码

加载模式寄存器命令。

输入/数据的I / O ：数据总线。

产量

–

无连接：这些引脚悬空。

CKE

CS ＃

15, 16, 17

14, 36

WE＃， CAS＃，

RAS ＃

DQML ，

DQMH

21-24, 27-32, 20

A0-A10

2, 3, 5, 6, 8, 9,

11, 12, 39, 40, 42,

43, 45, 46, 48, 49

33, 37

7, 13, 38, 44

4, 10, 41, 47

1, 25

26, 50

DQ0-

DQ15

供应DQ电源：提供隔离电源的DQ为提高噪声免疫

无穷大。

供应DQ地：提供隔离地面的DQ改善噪音

免疫力。

供电电源： + 3.3V ± 0.3V 。

供应地。

16MB ： X16 SDRAM

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