MIC94002
麦克雷尔
MIC94002
双P沟道MOSFET
不建议用于新设计
概述
该MIC94002含有两个硅栅极P沟道MOSFET
设计用于低导通电阻，高侧开关的应用
系统蒸发散。
该MIC94002具有最大导通电阻0.4Ω的4.5V
栅极 - 源极电压。导通电阻也可以减小
一半由并联两个MOSFET 。
改进的ESD保护是由栅极保护设置
网络中的示意图所示。
该MIC94002是的低调版本提供
8引脚SOIC封装。
该MIC94002可以与主体没有短路组装
要在模拟开关应用的源代码。联系
本厂以获取更多信息。
特点
15V最小漏极 - 源极击穿
0.4Ω最大导通电阻
4.5V的栅极 - 源极电压（每个MOSFET ）
功能在2.7V栅极至源极电压
0.063"最大高度
应用
高边开关
电源管理
步进电机控制
1.8" PCMCIA磁盘驱动器V
CC
开关
订购信息
产品型号
MIC94002BLM
温度范围*
-55 ° C至+ 150°C
包
8引脚SOIC
*工作结温
低调信息，请参阅包装信息
概要信息
来源
门1
门2
排水1
排水2
引脚配置
1
2
3
4
S
G1
S
G2
D1 8
D1 7
D2 6
D2 5
6
原理图符号
S
G1
D1
D2
S
G2
8引脚小外形
SOIC封装（ LM ）
原理图
典型用途
+5V
On
关闭
包装信息
1/2 MIC94002
S
0.026 (0.65)
MAX ）
销1
负载1
D1
G1
0.154 (3.90)
1/2 MIC94002
S
On
关闭
负载2
D2
G2
74HC04
0.050 (1.27) 0.016 (0.40)
典型值
典型值
0.193 (4.90)
45°
3°–6°
常见的来源
0.057 (1.45)
0.049 (1.25)
0.197 (5.0)
0.189 (4.8)
0.063 （ 1.60 ） MAX
座位
飞机
0.244 (6.20)
0.228 (5.80)
双电源切换应用程序
专利5355008
1998年8月
6-39
MIC94002
麦克雷尔
绝对最大额定值
电压和电流值是负的。没有迹象显示更清晰。
漏极至源极电压............................................ 15V ....
栅极 - 源极电压............................................ 15V ....
连续漏电流（每个MOSFET ，既对）
T
A
= 25°C .............................................. ................... 1.2A
T
A
= 100℃ .............................................. ................. 0.7A
工作Juction温度................. -55 ° C至+ 150 °
存储温度............................... -55 ° C至+ 150°C
总功耗
T
A
= 25°C .............................................. ..................... 1W
T
A
= 100℃ .............................................. ................ 0.4W
热阻
θ
JA ................................................. .....................................
125°C/W
θ
JC ................................................. .......................................
76°C/W
焊接温度
16"分之1的情况下， 10秒........................................... + 300℃
电气特性
注1
T
A
= 25°C ，除非另有说明。
符号
V
BDSS
V
GS
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
注1
注2
注3
所有值都是负的。没有迹象显示更清晰。
民
15
1
3
100
25
250
5.5
0.35
0.7
0.40
典型值
最大
单位
V
V
nA
A
A
A
S
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= 15V,
注3
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
≥
10V, V
GS
= 10V,
注2
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 50毫安
V
DS
= 15V ，我
D
= 1A,
注2
通态漏电流
漏源导通状态抗性。
正向跨导
价值观对每个MOSFET
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
在正栅极 - 源极电压偏移的ESD栅极保护二极管导通。
典型特征
导通电阻比。
漏电流
0.45
0.40
0.35
R
DS （ ON）
()
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
D
(A)
注意事项1， 2
2.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
2000
1800
1600
1400
I
D
（MA ）
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
2.5
5.0
V
GS
= 2.0
V
GS
= 1.5
7.5 10.0 12.5 15.0
V
DS
(V)
注意事项1， 2
排水特性
V
GS
= 4.0
V
GS
= 3.5
V
GS
= 3.0
V
GS
= 2.5
6-40
1998年8月
QQ：2881677436 复制
