【MP4514东芝大功率晶体管模块硅NPN外延型（四达林顿功率晶体管倾朝野）MP4514高功率开关应用】,IC型号MP4514_07,MP4514_07 PDF资料,MP4514_07经销商,ic,电子元器件-51电子网

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MP4514

东芝大功率晶体管模块硅NPN外延型

（四达林顿功率晶体管倾朝野）

MP4514

高功率开关应用

锤驱动器，脉冲马达驱动器和感性负载

开关

与散热片分离的带领封装（SiP 12引脚）

高集电极耗散功率（ 4 -设备操作）

: P

T

= 5 W（ TA = 25 ° C）

高集电极电流：I

C（ DC ）

= 3 A（最大值）

高直流电流增益：H

FE

= 4000 （分钟）（V

CE

= 4 V，I

C

= 1 A)

工业应用

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

连续基极电流

集电极耗散功率

（ 1 -设备操作）

集电极电源

耗散

（ 4device操作）

隔离电压

结温

存储温度范围

TA = 25°C

P

T

TC = 25°C

V

ISOL

T

j

T

英镑

25

1000

150

55

150

V

°C

°C

DC

脉冲

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

P

C

等级

120

100

6

3

4

0.5

3.0

5.0

W

单位

V

V

V

A

A

W

JEDEC

JEITA

东芝

―

―

2-32B1B

重量：9.6克（典型值）。

阵列配置

2

5

4

8

9

12

11

1

R1 R2

R1

≈

4.5 k

3

R2

≈

300

6

7

10

1

2004-07-01

MP4514

记号

MP4514

日本

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

热特性

特征

热阻通道

环境

（ 4 -设备操作， TA = 25 ° C）

热阻通道

例

（ 4设备操作，锝= 25 ℃）

铅的最大温度

焊接用途

（从案例3.2毫米10秒）

T

L

260

°C

ΣR

日（J -C ）

5.0

° C / W

符号

最大

单位

ΣR

号（j -a）的

25

° C / W

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极

基射

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE （1）

h

FE （2）

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

f

T

C

ob

t

on

输入

开关时间

贮存时间

t

英镑

I

B1

20

μs

测试条件

V

CB

= 120 V，I

E

= 0 A

V

CE

= 100 V，I

B

= 0 A

V

EB

= 6 V，I

C

= 0 A

I

C

= 1毫安，我

E

= 0 A

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0 A

V

CE

= 4 V，I

C

= 1 A

V

CE

= 4 V，I

C

= 2 A

I

C

= 1 A，I

B

= 1毫安

I

C

= 1 A，I

B

= 1毫安

V

CE

= 2 V，I

C

= 0.5 A

V

CB

= 10 V，I

E

= 0 ， F = 1兆赫

产量

30

民

―

―

0.5

120

100

4000

1000

―

―

―

―

―

典型值。

―

―

―

―

―

―

―

―

―

100

20

0.4

最大

10

10

2.5

―

―

15000

―

1.5

2.0

―

―

―

单位

μA

μA

mA

V

V

―

饱和电压

V

兆赫

pF

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

I

B1

I

B2

―

4.0

―

μs

下降时间

t

f

I

B1

=

I

B2

= 1 mA时，占空比

≤

1%

I

B2

V

CC

= 30 V

―

0.6

―

2

2004-07-01

MP4514

发射极 - 集电极二极管额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

正向电流

浪涌电流

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

FM

I

FSM

V

F

t

rr

Q

rr

T = 1秒， 1次射门

I

F

= 0.5 A，I

B

= 0 A

I

F

= 2 A，V

BE

=

3

V ，二

F

/ DT =

50

A / μs的

测试条件

―

民

―

―

―

―

―

典型值。

―

―

―

1.0

5

最大

2

4

2.0

―

―

单位

A

A

V

μs

μC

3

2004-07-01

MP4514

I

C

– V

CE

4

4

2

1

4

共发射极

TC = 25°C

I

C

– V

BE

共发射极

VCE = 2 V

(A)

(A)

0.5

3

3

集电极电流I

C

集电极电流I

C

2

0.4

0.3

0.2

2

TC = 100℃

1

55

0

0

25

1

IB = 0.15毫安

0

0

0

2

4

6

8

10

1

2

3

4

5

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

基射极电压

V

BE

(V)

h

FE

– I

C

10000

4.5

共发射极

5000 V

CE = 2 V

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5 0.1

0.5

1

1.5

2

V

CE

– I

B

共发射极

TC = 25°C

直流电流增益

FE

3000

TC = 100℃

25

1000

500

300

55

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

3

IC = 4的

)

0

0.1

100

0.03

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

0.3

1

3

10

30

100

300

基极电流I

B

（MA ）

V

CE （SAT）

– I

C

10

10

V

BE （SAT）

– I

C

基射极饱和电压

V

BE （SAT）

(V)

共发射极

5

3

TC =

55°C

25

1

100

IC / IB = 500

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

共发射极

5

3

IC / IB = 500

1

TC =

55°C

25

100

0.5

0.1

0.3

0.5

1

3

5

0.5

0.1

0.3

0.5

1

3

5

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

4

2004-07-01

MP4514

r

th

– t

w

300

瞬态热阻R

th

（ ° C / W）

100

曲线应在热应用

有限的区域内。（单非重复脉冲）

该图显示了每个热阻

设备与脉冲宽度。

(4)

30

(3)

10

(1)

(2)

3

1

0.3

0.001

- 无散热片/附着在电路板级

（1）1 -设备操作

（ 2）2-设备操作

（3） 3-设备操作

电路板

（4） 4-设备操作

0.01

0.1

1

10

100

1000

脉冲宽度

t

w

(s)

安全工作区

10

5最大的IC （脉冲） *

3

160

ΔT

j

– P

T

结温升高

ΔT

j

(°C)

(1)

120

(2) (3) (4)

(A)

10毫秒*

1

0.5

0.3

1毫秒*

100

μs*

集电极电流I

C

80

电路板

附着在电路板上的

40

（1）1 -设备操作

（ 2）2-设备操作

（3） 3-设备操作

（4） 4-设备操作

2

4

6

8

10

0.1

0.05

0.03 * ：单非重复脉冲

TC = 25°C

曲线必须是线性降额

同的温度升高。

0.01

1

3

5

10

30

0

0

总功耗

VCEO

最大

50

100

300

P

T

(W)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

P

T

- TA

8

（1）1 -设备操作

（ 2）2-设备操作

（3） 3-设备操作

（4） 4-设备操作

附着在电路板上的

P

T

(W)

6

(4)

(3)

4 (2)

(1)

2

总功耗

电路板

0

0

40

80

120

160

200

环境温度Ta （C ）

5

2004-07-01

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