摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MSD1819A - RT1 / D
NPN硅通用
晶体管放大器
这NPN硅外延平面晶体管设计用于通用
放大器应用。此设备被容纳在所述SC- 70 / SOT- 323包
这是专为低功耗表面贴装应用。
高的hFE ， 210 - 460
低VCE （SAT） ， < 0.5 V
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
集热器
3
MSD1819A-RT1
MSD1819A-ST1
摩托罗拉的首选设备
NPN通用
用途放大器
晶体管
表面贴装
1
BASE
2
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
1
2
3
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
集成电路（P）的
价值
60
50
7.0
100
200
CASE 419-02 ，花柱3
SC–70/SOT–323
器件标识
MSD1819A - RT1 = ZR
MSD1819A - ST1 = ZS
热特性
等级
功率耗散（ 1 ）
结温
存储温度范围
符号
PD
TJ
TSTG
最大
150
150
– 55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 2.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 10 VDC ， IB = 0 ）
DC电流增益（2）
（ VCE = 10 VDC ， IC = 2.0 MADC ）
（ VCE = 2.0伏， IC = 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
MSD1819A-RT1
MSD1819A-ST1
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
ICEO
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
民
50
60
7.0
—
—
210
290
90
—
最大
—
—
—
0.1
100
340
460
—
0.5
VDC
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
—
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MSD1819A - RT1 MSD1819A -ST1
PD ，功耗（毫瓦）
250
IC ，集电极电流（毫安）
60
TA = 25°C
200
50
40
30
20
10
0
160
A
140
A
120
A
100
A
80
A
60
A
40
A
IB = 20
A
0
2
4
6
VCE ，集电极电压（V ）
8
150
100
R
θJA
= 833 ° C / W
50
0
– 50
0
50
100
TA ，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
图2. IC - VCE
1000
TA = 25°C
TA = 75℃
直流电流增益
VCE = 10 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2
TA = 25°C
1.5
TA = - 25℃
100
1
0.5
10
0.1
1
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0
0.01
0.1
1
IB ，基极电流（毫安）
10
100
图3.直流电流增益
图4.集电极饱和区
900
800
集电极电压（毫伏）
700
600
500
400
300
200
100
0
0.2
0.5
1
5
10
20
40
60
80
100
150 200
TA = 25°C
VCE = 5 V
IC ，集电极电流（毫安）
图5.电压
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MSD1819A - RT1 MSD1819A -ST1
20
7
6
COB，电容（pF ）
5
4
3
2
1
兴业银行，输入电容（pF ）
18
16
14
12
10
0
1
2
VEB （ V）
3
4
0
10
20
VCB （ V）
30
40
图6.电容
图7.电容
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MSD1819A - RT1 MSD1819A -ST1
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.025
0.65
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SC - 70 / SOT- 323功耗
采用SC-70 / SOT- 323的功耗是一个函数
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是150毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在833 ° C / W，假设使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的150毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合， 300毫瓦的功耗可
实现使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MSD1819A - RT1 MSD1819A -ST1
焊膏丝网指南
在此之前将表面贴装元件在印刷
电路板中，焊料膏必须施加到焊盘上。一
焊料模版，需要筛选的最佳量
焊膏到足迹。该模板由黄铜制成
或不锈钢带0.008英寸的典型厚度。
用于表面贴装封装的模板开孔尺寸
应该是相同的印刷电路上的焊盘尺寸
板，即，以1：1的注册。
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板，将有一组控制
设置值，将得到所需的加热方式。运营商
必须设置温度为几个加热区，和一个
数字皮带速度。两者合计，这些控制设置
补热“轮廓”为特定的电路板。
上由一台计算机，该计算机控制的机器
从一个工作会议上的记住这些配置文件
下一个。图8示出了一个典型的加热曲线的使用时
焊接的表面贴装器件的印刷电路板。
此配置文件将焊接系统各不相同，但它是一个很好的
出发点。能够影响信息的因素包括
焊接系统的使用中，密度和类型的类型
电路板上元器件，焊料类型使用，且类型
板或基板材料的使用。该图显示
温度与时间的关系。图上的线表示
可能会遇到的表面上的实际温度
的试验板在或靠近中央的焊点。两
配置文件基于高密度和低密度板。
该维多利绍德SMD310对流/红外回流焊
系统被用来生成此配置文件。焊料的种类
用的是62/36/2铅锡银与熔点
在177 -189 ℃。当这种类型的炉子是用于
回流焊工作时，电路板和焊点倾向于
先热。电路板上的组件，然后通过加热
传导。在电路板上，因为它有一个大的表面
面积，更有效地吸收的热能，然后
分配的能量，以该组件。因为这
效果，一个组件的所述主体可以是最多30个
度比相邻焊点冷却。
第1步
预热
1区
“ RAMP ”
200°C
第2步
STEP 3
VENT
加热
「浸泡」地带2及五
“ RAMP ”
步骤5
第4步
加热
加热
开发区3及6个区域4和7
“秒杀”
“浸泡”
170°C
160°C
STEP 6 STEP 7
VENT冷却
205 ° 219℃
高峰
焊点
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
140°C
焊料液
40至80秒
（根据
装配质量）
100°C
100°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
时间（ 37分钟总）
TMAX
图8.典型的焊接暖气简介
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
QQ：2881677436 复制
