M74HC51
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 12, 13, 9,
10, 11
2, 3, 4, 5
8, 6
7
14
符号
1A至1F
图2A到2D
1Y到2Y
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
1A
H
X
1B
1C
1D
1E
1F
X
H
1Y
L
L
H
H
H
X
X
X
X
H
H
所有其他组合
真值表
2A
H
X
2B
2C
2D
2Y
L
L
H
H
X
X
X
H
H
所有其他组合
X：无关
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
功耗
P
D
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
2/9
M74HC51
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
39
13
11
马克斯。
75
15
13
100
20
17
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
125
25
21
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
150
30
26
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
32
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
4/9
M74HC51
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 12, 13, 9,
10, 11
2, 3, 4, 5
8, 6
7
14
符号
1A至1F
图2A到2D
1Y到2Y
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
1A
H
X
1B
1C
1D
1E
1F
X
H
1Y
L
L
H
H
H
X
X
X
X
H
H
所有其他组合
真值表
2A
H
X
2B
2C
2D
2Y
L
L
H
H
X
X
X
H
H
所有其他组合
X：无关
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
功耗
P
D
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
2/9
M74HC51
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
39
13
11
马克斯。
75
15
13
100
20
17
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
125
25
21
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
150
30
26
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
32
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
4/9
M74HC51
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 12, 13, 9,
10, 11
2, 3, 4, 5
8, 6
7
14
符号
1A至1F
图2A到2D
1Y到2Y
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
1A
H
X
1B
1C
1D
1E
1F
X
H
1Y
L
L
H
H
H
X
X
X
X
H
H
所有其他组合
真值表
2A
H
X
2B
2C
2D
2Y
L
L
H
H
X
X
X
H
H
所有其他组合
X：无关
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
功耗
P
D
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
2/9
M74HC51
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
39
13
11
马克斯。
75
15
13
100
20
17
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
125
25
21
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
150
30
26
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
32
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
4/9
M27256
NMOS 256千位（32KB ×8 ） UV EPROM
不适用于新设计
s
s
s
s
s
快速存取时间： 170ns
扩展级温度范围
单5V电源电压
低待机电流：最大40mA
TTL兼容读取，并在
节目
快速编程算法
电子签名
编程电压： 12V
1
28
s
s
s
描述
该M27256是262,144位紫外线擦除，
电可编程存储器EPROM 。这是
按照8位为32.768字。
该M27256装在一个28引脚的窗口Ceram-
IC熔接密封双列直插式封装。透明
盖允许用户暴露在芯片的紫外
光擦除的位模式。可以在新的格局
然后被写入到设备由以下的亲
编程过程。
FDIP28W （ F）
图1.逻辑图
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27256
VSS
AI00767B
2000年11月
这是仍在生产，但不建议用于新设计的产品信息。
1/10
M27256
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
VA9电压
节目供应
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6至6.25
-0.6至6.25
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，当然倾向于时期
可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关质量文件。
图2. DIP引脚连接
读取模式
在M27256具有两个控制功能，两者的
它必须以获得在逻辑上满足
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的，地址存取时间（t
AVQV
)
等于从E中的延迟输出（T
ELQV
） 。数据
可在输出的下降沿之后
G，假设E已经很低，这种吸附
裙装一直稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
在M27256具有待机模式，该模式减少了
从百毫安的最大有功功率电流
40毫安。在M27256被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
在待机模式下，输出处于高
阻抗状态，独立对G输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列，这款产品带有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M27256
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI00768
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
八个模式M27256的操作是
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的，在读出模式。所有
输入是TTL电平，除了V
PP
和12V的A9
电子签名。
2/10
M27256
设备操作
（续）
对于最有效地使用这两个控制线，
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能，一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
控制总线。
这确保了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而
当需要数据输出引脚是唯一活性
从一个特定的存储设备。
系统注意事项
快速功率开关特性
EPROM中需要仔细的去耦器件。
供给电流I
CC
，有三个片断，
感兴趣的系统设计师的待机
电流电平，有功电流电平，和瞬时
这是由下降和产生的电流峰
上升E的边缘过渡的幅度
电流峰值依赖于电容和
电感性负载的装置在输出端的。该
相关的瞬态电压峰值可支持
通过与两线输出遵从压
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
V之间
CC
和V
SS
每八个设备。该
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
验证（可选）
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5%.
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
Programmain
交付时， （每个擦除的紫外线后，
EPROM），在M27256的所有位都处于“ 1"状态。
数据是通过选择性编程“ 0s"介绍
到所需的位的位置。虽然只有“0 ”，将
是编程的，无论是“ 1”和“0 ”可以是本
在数据字。只有这样，才能改变“到0"
一个“ 1"是由紫外光擦除。该M27256是
在编程模式时， V
PP
输入是在
12.5V和E是TTL低。数据被亲
编程应用于8位并行数据
输出管脚。所需的地址的水平和
数据输入是TTL 。
快速编程算法
快速编程算法快速程序
使用高效的，可靠的M27256的EPROM
方法适合于生产编程恩
vironment 。编程可靠性也保证
由于每个字节的增量方案余量是
不断地监测，以确定当其具有
已成功编程。的流程图
M27256快速编程算法显示在
的流程图。快速编程算法
利用两种不同的脉冲类型：初次和过度
程序。初始E脉冲（多个）的持续时间是
1毫秒，那么这将在随后较长的过
长度为3ms的编程脉冲由n（n是等于
所施加的初始一毫秒的脉冲数
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q0 - Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
0
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
04h
3/10
M27256
NMOS 256千位（32KB ×8 ） UV EPROM
不适用于新设计
s
s
s
s
s
快速存取时间： 170ns
扩展级温度范围
单5V电源电压
低待机电流：最大40mA
TTL兼容读取，并在
节目
快速编程算法
电子签名
编程电压： 12V
1
28
s
s
s
描述
该M27256是262,144位紫外线擦除，
电可编程存储器EPROM 。这是
按照8位为32.768字。
该M27256装在一个28引脚的窗口Ceram-
IC熔接密封双列直插式封装。透明
盖允许用户暴露在芯片的紫外
光擦除的位模式。可以在新的格局
然后被写入到设备由以下的亲
编程过程。
FDIP28W （ F）
图1.逻辑图
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27256
VSS
AI00767B
2000年11月
这是仍在生产，但不建议用于新设计的产品信息。
1/10
M27256
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
VA9电压
节目供应
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6至6.25
-0.6至6.25
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，当然倾向于时期
可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关质量文件。
图2. DIP引脚连接
读取模式
在M27256具有两个控制功能，两者的
它必须以获得在逻辑上满足
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的，地址存取时间（t
AVQV
)
等于从E中的延迟输出（T
ELQV
） 。数据
可在输出的下降沿之后
G，假设E已经很低，这种吸附
裙装一直稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
在M27256具有待机模式，该模式减少了
从百毫安的最大有功功率电流
40毫安。在M27256被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
在待机模式下，输出处于高
阻抗状态，独立对G输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列，这款产品带有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M27256
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI00768
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
八个模式M27256的操作是
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的，在读出模式。所有
输入是TTL电平，除了V
PP
和12V的A9
电子签名。
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M27256
设备操作
（续）
对于最有效地使用这两个控制线，
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能，一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
控制总线。
这确保了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而
当需要数据输出引脚是唯一活性
从一个特定的存储设备。
系统注意事项
快速功率开关特性
EPROM中需要仔细的去耦器件。
供给电流I
CC
，有三个片断，
感兴趣的系统设计师的待机
电流电平，有功电流电平，和瞬时
这是由下降和产生的电流峰
上升E的边缘过渡的幅度
电流峰值依赖于电容和
电感性负载的装置在输出端的。该
相关的瞬态电压峰值可支持
通过与两线输出遵从压
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
V之间
CC
和V
SS
每八个设备。该
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
验证（可选）
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5%.
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
Programmain
交付时， （每个擦除的紫外线后，
EPROM），在M27256的所有位都处于“ 1"状态。
数据是通过选择性编程“ 0s"介绍
到所需的位的位置。虽然只有“0 ”，将
是编程的，无论是“ 1”和“0 ”可以是本
在数据字。只有这样，才能改变“到0"
一个“ 1"是由紫外光擦除。该M27256是
在编程模式时， V
PP
输入是在
12.5V和E是TTL低。数据被亲
编程应用于8位并行数据
输出管脚。所需的地址的水平和
数据输入是TTL 。
快速编程算法
快速编程算法快速程序
使用高效的，可靠的M27256的EPROM
方法适合于生产编程恩
vironment 。编程可靠性也保证
由于每个字节的增量方案余量是
不断地监测，以确定当其具有
已成功编程。的流程图
M27256快速编程算法显示在
的流程图。快速编程算法
利用两种不同的脉冲类型：初次和过度
程序。初始E脉冲（多个）的持续时间是
1毫秒，那么这将在随后较长的过
长度为3ms的编程脉冲由n（n是等于
所施加的初始一毫秒的脉冲数
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q0 - Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
0
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
04h
3/10
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