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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号:
MC33395
REV 4.0 , 2/2007
三相栅极驱动器IC
在33395简化了大功率直流无刷电机控制设计
设计通过将栅极驱动器,电荷泵,电流检测,并
必要的保护电路,以驱动一个三相桥
的6个N沟道功率MOSFET构成。模式逻辑
掺入到路径的脉冲宽度调制(PWM)或一
互补PWM输出信号或低侧或高侧
桥的MOSFET。
检测和驱动电路也被引入到控制
电池反接保护高侧MOSFET开关。 PWM
频率高达28 kHz的是可能的。内置的保护电路
为防止MOSFET的桥梁的损坏情况以及驱动IC和
包括过压关断,过温关断,
过流关断和欠压关断。
该器件在环境温度规定参
-40℃的范围内
T
A
125 ° C和5.5 V
V
IGN
24 V电源。
特点
六个驱动N沟道低R
DS ( ON)
功率MOSFET
内置电荷泵电路
内置电流检测比较器和输出驱动电流
限制
内置PWM模式控制逻辑
内置电路保护
专为分数,以积分HP BLDC电机
32引脚SOIC宽体表面贴装封装
33395集成了一个<5.0
s
直通抑制计时器
33395T采用一个<1.0
s
直通抑制计时器
无铅封装了代码后缀EW指定
33395
33395T
三相
栅极驱动器IC
DWB后缀
EW后缀(无铅)
98ARH99137A
32引脚SOICW
订购信息
设备
MC33395DWB/R2
MC33395EW/R2
MCZ33395EW/R2
MC33395TDWB/R2
MC33395TEW/R2
- 40 ° C至125°C
32 SOICW
32 SOICW
(无铅)
温度
范围(T
A
)
32 SOICW
32 SOICW
(无铅)
V
PWR
33395
V
DD
VGDH
VIGN
VDD
CP1H
CP1L
CP2H
CP2L
CRES
3
2
3
VIGNP
GDH1
GDH2
GDH3
SRC1
SRC2
SRC3
N
S
N
H
S
H
H
MCU
HSE1–3
MODE0-1 GDL1
GDL2
PWM
GDL3
LSE1–3
-ISENS
AGND
保护地
+ ISENS
V
DD
图1. 33395简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更,恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司2007年版权所有。
内部框图
内部框图
VIGN
VDD
OSC 。
电压
RESET
RESET
收费
收费
过压
过压
关闭
CP1H
CP1L
CP2H
CP2L
CPRES
+ ISENS
-ISENS
+
-
驱动限制
驱动限制
L
H
VGDH
控制
控制
逻辑
逻辑
VIGNP
DRIVE
电路
DRIVE
电路
GDH1
GDH2
GDH3
SRC1
SRC2
SRC3
GDL1
GDL2
GDL3
MODE0
MODE1
PWM
HSE1
HSE2
HSE3
LSE1
LSE2
LSE3
AGND
TEST
保护地
过热
关闭
关闭
图2. 33395简化内部框图
33395
2
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
引脚连接
引脚连接
CP2H
CPRES
VIGN
VGDH
VIGNP
SRC1
GDH1
GDL1
SRC2
GDH2
GDL2
SRC3
GDH3
GDL3
保护地
TEST
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
CP2L
CP1H
CP1L
LSE1
LSE2
LSE3
HSE1
HSE2
HSE3
MODE0
MODE1
PWM
VDD
AGND
+ ISENS
-ISENS
图3. 33395引脚连接
表1. 33395引脚定义
每个引脚的功能描述可以在功能引脚说明节开始上找到
第9页。
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
引脚名称
CP2H
CPRES
VIGN
VGDH
VIGNP
SRC1
GDH1
GDL1
SRC2
GDH2
GDL2
SRC3
GDH3
GDL3
保护地
TEST
-ISENS
+ ISENS
AGND
VDD
PWM
输入
输入
产量
输入
传感器
产量
产量
传感器
产量
产量
传感器
产量
产量
不适用
输入
输入
动力
输入
引脚功能
正式名称
电荷泵帽
电荷泵
储备帽
输入电压
高侧栅极
电压
输入电压
保护
高端SENSE
栅极驱动高
输出门
高端SENSE
栅极驱动高
输出门
高端SENSE
栅极驱动高
栅极驱动低
电源地
TEST引脚
为负
为正
模拟地
逻辑电源电压
德网络nition
二次电荷泵电容的高电位引脚连接
输入从外部储电容器电荷泵
输入从点火级电源电压电源功能
辅助高侧功率MOSFET开关输出的专职栅极驱动
输入从受保护的点火级供应电源功能
意义的高端电源电压,相位1
输出门高边,第1期
输出栅极驱动低侧,第1期
意义的高端电源电压,相位2
输出门高边,第2阶段
输出栅极驱动低侧,第2阶段
意义的高端电源电压,相位3
输出栅极驱动高侧,第3期
输出栅极驱动低侧,第3期
接地引脚的电源功能
这应该被连接到地或悬空
反相输入端的电流限制比较器
非反相输入端的电流限制比较
接地引脚的逻辑功能
电源电压逻辑功能
脉宽调制器输入脉冲宽度调制驱动器的占空比
33395
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
引脚连接
表1. 33395引脚定义(续)
每个引脚的功能描述可以在功能引脚说明节开始上找到
第9页。
引脚数
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
引脚名称
MODE1
MODE0
HSE3
HSE2
HSE1
LSE3
LSE2
LSE1
CP1L
CP1H
CP2L
引脚功能
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
正式名称
模式控制位1
模式控制位0
高端启用
高端启用
高端启用
低端启用
低端启用
低端启用
外部泵
电容
外部泵
电容
电荷泵
电容
德网络nition
输入模式控制选择
输入模式控制选择
输入高侧使能逻辑,第3期
输入高侧使能逻辑,第2阶段
输入高侧使能逻辑,第1阶段
输入低端使能逻辑,第3期
输入低端使能逻辑,第2阶段
输入低端使能逻辑,第1阶段
输入从外部的泵电容器电荷泵和次级引脚
输入从外部的泵电容器电荷泵和次级引脚
输入从外部储存器,外置泵电容器电荷泵
和二级销
33395
4
模拟集成电路设备数据
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电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地,除非另有说明。
等级
VIGN电源电压
VIGNP抛负载生存
VDD逻辑电源电压(故障安全)
逻辑输入电压( LSEn , HSEN ,PWM和MODEN )
启动电流V
IGNP
ESD电压
(1)
人体模型
机器型号
储存温度
工作环境温度
工作温度
最高结温
功率耗散(T
A
= 25°C)
峰值包回流温度在回流
(2)
,
(3)
热阻,结到环境
V
ESD1
V
ESD2
T
英镑
T
A
T
C
T
J
P
D
T
PPRT
R
Θ
JA
±500
±200
-65 160
-40至125
-40至125
150
1.5
注3
65
°C
°C
°C
°C
W
°C
° C / W
符号
V
IGN
V
IGNP
LD
价值
-15.5 40
-0.3至65
-0.3 7.0
为0.3 7.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
V
V
DD
V
IN
I
VIGNStartUp
笔记
1. ESD1测试是按照人体模型进行(C
ZAP
= 100 pF的,R
ZAP
= 1500
),
ESD2测试是在执行
根据机器模型(C
ZAP
= 200 pF的,R
ZAP
= 0
).
2.
3.
销焊接温度极限是10秒,最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级( MSL )
部件编号去www.freescale.com ,搜索如删除前缀/后缀,进入核心ID来查看所有可订购的零件。 (即
MC33xxxD进入33xxx ) ,并需要技术审查。
33395
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24+
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