飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP11KH
启8 ，二千○一十二分之九
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
主要用于脉冲宽带应用频率高达
150兆赫。设备是无与伦比的，并适合于工业用途，
医疗和科学应用。
在130 MHz的典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 150毫安，
P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
功率增益 - 26分贝
漏极效率 - 71 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 130兆赫， 1000瓦峰值
动力
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
CW作战能力具有足够的冷却
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
在磁带和卷轴。 R6后缀= 150个单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
MRF6VP11KHR6
MRF6VP11KGSR5
1.8-
-150兆赫， 1000 W， 50 V
横向N-
声道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D-
-05
风格1
NI-
-1230-
-4
MRF6VP11KHR6
CASE 2282-
-02
NI-
-1230S- GULL
-4
MRF6VP11KGSR5
部分推挽
-PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
（ TOP VIEW ）
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
CW ：外壳温度67 ° C， 1000瓦CW ， 100兆赫
热阻，结到外壳
脉冲：外壳温度80 ° C， 1000瓦峰值， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
符号
R
θJC
Z
θJC
价值
(2,3)
0.13
0.03
单位
° C / W
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 ， 2012年保留所有权利。
MRF6VP11KHR6 MRF6VP11KGSR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2000伏
A，通过125 V
四，通过2000伏
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 300毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1600
μAdc ）
门静态电压
(2)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 150 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
3.3
147
506
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.63
2.2
0.28
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
100
5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2,3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ， F = 130
兆赫， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
24
69
—
26
71
--16
28
—
--9
dB
%
dB
1.装置的每一侧分别测得。
2.测量推制成与设备 - 拉配置。
3.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。导致形成用于鸥
翼（ GS ）的部件。
MRF6VP11KHR6 MRF6VP11KGSR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C1
+
C2
+
B1
L1
R1
R2
L3
+
C15
+
V
供应
+
C20
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C21
Z10
C13
C14
C16 C17 C18 C19
Z8
Z4
RF
输入
Z1
Z2
L2
Z3
J1
C12
T1
Z5
Z7
Z9
Z6
Z12
Z14
Z16
RF
产量
DUT
Z11
Z18
C23
Z13
C24
Z15
C25
Z17
T2
C22
J2
Z19
C26
Z1
Z2*
Z3*
Z4, Z5
Z6, Z7, Z8, Z9
Z10, Z11
0.175 “× 0.082 ”微带
1.461 “× 0.082 ”微带
0.080 “× 0.082 ”微带
0.133 “× 0.193 ”微带
0.500 “× 0.518 ”微带
0.102 “× 0.253 ”微带
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16*, Z17*
Z18
Z19
0.206 “× 0.253 ”微带
0.116 “× 0.253 ”微带
0.035 “× 0.253 ”微带
0.275 “× 0.082 ”微带
0.845 “× 0.082 ”微带
*线路长度包括微带弯曲。
图2. MRF6VP11KHR6测试电路原理图
表5. MRF6VP11KHR6测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C9, C17
C5, C16
C6, C15
C7
C8
C10, C11, C13, C14
C12
C18, C19, C20
C21, C22
C23
C24, C25
C26
J1, J2
L1
L2
L3*
R1
R2
T1
T2
PCB
* L3被缠R2。
描述
95
,
100 MHz的龙铁氧体磁珠
47
μF,
50 V电解电容
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
35 V钽电容器
10K pF的贴片电容
20K pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
0.22
μF,
100 V贴片电容
1000 pF的贴片电容
18 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
47 pF的贴片电容
75 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
33 pF的贴片电容
跳线从印刷电路板到T1和T2
82 nH的电感器
47 nH的电感器
10启动， 18 AWG电感，手上有伤口
1 KΩ ， 1/4 W碳引线电阻
20
,
3 W贴片电阻
平衡不平衡转换器
平衡不平衡转换器
0.030″,
ε
r
= 2.55
产品型号
2743021447
476KXM050M
T491X226K035AT
T491D106K035AT
ATC200B103KT50XT
ATC200B203KT50XT
CDR33BX104AKYS
C1825C225J5RAC
C1825C223K1GAC
ATC100B102JT50XT
ATC100B180JT500XT
MCGPR63V477M13X26--RH
ATC100B470JT500XT
ATC100B750JT500XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B330JT500XT
铜箔
1812SMS--82NJLC
1812SMS--47NJLC
铜线
MCCFR0W4J0102A50
CPF320R000FKE14
TUI--9
TUO--4
CuClad 250GX - 0300--55--22
MULTICOMP
日前，Vishay
通讯概念
通讯概念
阿尔隆
Coilcraft公司
Coilcraft公司
生产厂家
博览会 - 爱色丽
伊利诺伊帽
基美
基美
ATC
ATC
基美
基美
基美
ATC
ATC
MULTICOMP
ATC
ATC
ATC
ATC
MRF6VP11KHR6 MRF6VP11KGSR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C4
C5
C6
C17
C16
C15
C19
B1
C2 C3
C7
C8
C9
C11
J1
L2
C12
R1
L1
C18
C20
C14
C21
T1
C24
C25
切出区
C23
C22
C26
J2
C13
T2
L3 ， R2 *
C10
MRF6VP11KH
第3版
*
L3被缠R2。
图3. MRF6VP11KHR6测试电路元件布局
MRF6VP11KHR6 MRF6VP11KGSR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
C，电容（pF ）
T
J
= 200°C
T
J
= 150°C
T
J
= 175°C
10
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25°C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏极 -
- 源电压
27
26
G
ps
，功率增益（分贝）
25
24
23
η
D
22
21
20
10
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
100
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
1000
30
20
G
ps
80
70
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
50
40
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
30
注意：
设备的每一侧分别测得。
图5.直流安全工作区
P3dB = 61.23 dBm的（ 1327.39 W）
的P1dB = 60.57 dBm的（ 1140.24 W）
理想
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
31
32
33
34
35
36
37
38
39
10
2000
P
in
输入功率（dBm ） PEAK
图6.功率增益和漏极效率
与输出功率
32
I
DQ
= 6000毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
G
ps
，功率增益（分贝）
28
3600毫安
1500毫安
750毫安
24
150毫安
20
V
DD
= 50伏， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
1000
2000
12
0
375毫安
24
28
图7.输出功率与输入功率
20
V
DD
= 30 V
16
35 V
40 V
45 V
50 V
16
I
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
图8.功率增益与输出功率
图9.功率增益与输出功率
MRF6VP11KHR6 MRF6VP11KGSR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
