高调谐比
硅超突变变容二极管
特点
更低的串联电阻< 0.7
高电容比> 3.5 ： 1
高调谐电压< 18 V
卷带式表面贴装包装
MA4ST1103-1141T
V1
SOD- 323塑料包装
说明与应用
M / A - COM的MA4ST1103-1141T是一个高度
可重复的，离子注入，超突变硅调谐
变容二极管以成本有效的表面安装封装。
该变容二极管是专为高容量
比，更高的调谐电压，具有可观的Q
值更宽的频带VCO的应用程序。
订购信息
产品型号
MA4ST1103-1141T
CON组fi guration
单身
包
SOD-323
绝对最大额定值@ T
A
= +25 °
℃（除非另有说明）
1
参数
反向电压
正向电流
功耗
工作温度
储存温度
绝对最大
22 V
20毫安
250毫瓦
-55 ° C至+125°C
-55 ° C至+125°C
技术寄生信息
套餐类型
包装的Cp
（PF ）
0.11
LS套餐
（ NH）
1.2
SOD-323
以上这些参数中的任何一个1.操作此设备的
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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高调谐比
硅超突变变容二极管
电气规格@ T
A
= +25 °C
参数
反向电流（I
R
)
电容（C
T
)
电容（C
TR
)
电容比（C
TR
)
串联阻抗（Rs ）
击穿电压（V
B
)
条件
VR = 18伏
Vr为1伏，1兆赫
C
T
（ 1 V） / C
T
(3 V)
C
T
（ 1 V） / C
T
(9 V)
VR = 1V ， 500MHz的
I
R
= 10微安
22
20.9
1.3
3.5
0.65
23.3
民
典型值
最大
20
25.7
1.6
4.5
0.85
MA4ST1103-1141T
V1
单位
nA
pF
V
典型性能曲线
串联电阻与反向电压
@ 500 MHz的
1.00
0.90
总电容（ pF）的
串联电阻（欧姆）
0
5
10
反向电压（ V）
15
20
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.10
0.00
0
5
10
反向电压（ V）
15
20
总电容与反向电压
100.00
10.00
1.00
3
2
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北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
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亚洲/太平洋地区
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高调谐比
硅超突变变容二极管
典型电容值
SOD-323
机箱样式1141
英寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
分钟。
0.010
0.003
0.063
0.045
0.091
马克斯。
0.043
0.004
0.008
0.016
0.006
0.075
0.057
0.106
MA4ST1103-1141T
V1
V
R
(V)
0.0
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
10.0
15.0
20.0
MA4ST1103
CT （ pF）的
33.15
26.95
23.3
18.86
15.9
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
1.1
0.1
0.2
0.25
0.4
0.08
0.15
1.6
1.9
1.15
1.45
2.3
2.7
C
F
E
D
13.62
11.66
4.94
2.95
2.31
G
H
A
B
SPICE模型
产品型号
N
CJO
（PF ）
Vj
(V)
M
Rs
征二极管型号
N=N
Cj0=Cj0
VJ = VJ
Fc=0.5
BV = 24 V
M=M
寄生的Cp & LS
是按照上述表
Cp
MA4ST1103
0.994
28.1
65.4
15
Cj
Ls
3
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关于是否适合任何保证，声明或保证其
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北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
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亚洲/太平洋地区
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