摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MRF5S19090L / D
MRF5S19090LR3和MRF5S19090LSR3由MRF5S19090HR3和更换
MRF5S19090HSR3 。 “H”的后缀表示低热阻封装。
射频MOSFET线
MRF5S19090LR3
射频功率场效应晶体管
MRF5S19090LSR3
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用频率高达
1.9至2.0千兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型2 - 载波N - 为V CDMA性能
DD
= 28伏，
I
DQ
= 850毫安， F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ）
1.2288 MHz信道带宽的载体。相邻信道测
在30kHz处的带宽为f1 - 885千赫和f2 885千赫。失真
产品实测超过1.2288 MHz的带宽，在F1 - 2.5 MHz和
F2 2.5兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 18瓦的魅力。
功率增益 - 14.5分贝
效率 - 25.8 ％
ACPR - - 51分贝
IM3 - - 37 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫，
90瓦的连续输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
资格高达32 V ，最大
DD
手术
较低的镀金厚度上信息。 L结尾的表示40μ “名义。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
- 0.5, +15
261
1.49
- 65 + 200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
1990年兆赫， 18瓦AVG 。 ，
2× N - CDMA ， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
档案信息
飞思卡尔半导体公司
CASE 465- 06 ，风格1
NI - 780
MRF5S19090LR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF5S19090LSR3
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 90瓦CW
外壳温度80 ° C， 18瓦CW
符号
R
θJC
值（1,2）
0.67
0.75
单位
° C / W
（1）平均无故障时间计算器可在http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
（ 2 ）请参见AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 1
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MRF5S19090LR3 MRF5S19090LSR3
1
档案信息
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
C7 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔
档案
半导体公司
信息
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 850 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.7
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
—
—
—
2.7
3.7
0.26
5
3.5
—
—
—
VDC
VDC
VDC
S
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的运营商。 ACPR
在30 kHz带宽和IM3测1.2288 MHz带宽测量。峰值/平均。比=上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 18瓦的魅力。我
DQ
= 850毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 18瓦的魅力。我
DQ
= 850毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 18瓦的魅力。我
DQ
= 850毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz）的; IM3测
在1.2288 MHz带宽的F1 - 2.5兆赫和f2 = 2.5兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 18瓦的魅力。我
DQ
= 850毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz）的; ACPR
测得超过30 kHz带宽的F1 - 885 kHz和F2 885千赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 18瓦的魅力。我
DQ
= 850毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
13.5
14.5
—
dB
η
24
25.8
—
%
IM3
—
- 37
- 35
dBc的
ACPR
—
- 51
- 48
dBc的
IRL
—
- 14.5
-9
dB
MRF5S19090LR3 MRF5S19090LSR3
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2
摩托罗拉RF设备数据
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档案信息
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
μAdc
飞思卡尔半导体公司
B1
V
GG
R1
R2
+
C3
C4
C5
R3
C7
W1
+
C8
+
C13
R4
C11
C12
+
C9
V
DD
+
C10
C6
Z9
Z6
RF
输入
Z1
Z2
C15
Z3
C14
C1
Z4
Z5
Z7
DUT
Z8
Z10
Z11
Z12
C2
Z13
RF
产量
档案信息
飞思卡尔半导体公司
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.140″
0.450″
0.140″
0.525″
0.636″
0.340″
0.320″
X 0.080 “微带
X 0.080 “微带
X 0.080 “微带
X 0.080 “微带
X 0.141 “微带
X 0.050 “微带
X 1.401 “微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.091 “× 1.133 ”微带
0.542 “× 0.071 ”微带
0.450 “× 1.133 ”微带
0.640 “× 0.141 ”微带
0.316 “× 0.080 ”微带
1.209 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 30万，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S19090测试电路原理图
表1. MRF5S19090测试电路组件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3, C13
C4, C12
C5, C11
C6, C7
C8
C9, C10
C14
C15
R1
R2
R3, R4
W1
短RF珠
22 pF的贴片电容，B案例
10 pF的贴片电容，B案例
1
F,
50 V贴片钽电容
0.1
F
贴片电容，B案例
1K pF的贴片电容，B案例
4.3 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V贴片钽电容
22
F,
35 V贴片钽电容
2.7 pF的贴片电容，B案例
0.6 - 4.5 Gigatrim可变电容
1千瓦的贴片电阻
560千瓦的贴片电阻
12
W
贴片电阻
1转14号线
描述
值， P / N或DWG
95F786
100B220CP 500X
100B100CP 500X
T494C105(1)050AS
CDR33BX104AKWS
100B102JP 500X
100B4R3JP 500X
T494D106(1)035AS
T494X226(1)035AS
100B2.7BP 500X
44F3358
D5534M07B1K00R
CR1206 564JT
RM73B2B120JT
生产厂家
纽瓦克
ATC
ATC
基美
基美
ATC
ATC
基美
基美
ATC
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
加勒特电子
摩托罗拉RF设备数据
MRF5S19090LR3 MRF5S19090LSR3
3
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档案信息
飞思卡尔半导体公司
C8
C7
VGG
R1
B1
R2 C3 C4C5
切出区
R3
C6
W1
C11
C12
R4
C13
VDD
C9
C2
C10
C1
C14
C15
飞思卡尔
档案
半导体公司
信息
MRF5S19090
转02
图2. MRF5S19090测试电路元件布局
MRF5S19090LR3 MRF5S19090LSR3
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摩托罗拉RF设备数据
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档案信息
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，沥干
效率（％）
16
G
ps
14
PS ，功率增益（分贝）
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 18瓦（平均） ，我
DQ
= 850毫安
2载波的N- CDMA中， 2.5兆赫载波间隔
1.2288 MHz的信道带宽
峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
30
40
12
IRL
IM3
8
ACPR
20
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
0
10
20
30
40
50
10
20
40
档案信息
飞思卡尔半导体公司
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波N - CDMA宽带性能
17
I
DQ
= 1300毫安
PS ，功率增益（分贝）
16
1100毫安
850毫安
650毫安
14
450毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IM3 ，三阶
互调失真（ DBC）
15
20
25
30
35
40
45
50
55
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
650毫安
I
DQ
= 450毫安
1100毫安
1300毫安
850毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
15
13
12
图4.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图5.三阶互调失真
与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
25
噘嘴，输出功率（dBm ）
30
3阶
35
40
45
7阶
50
55
0.1
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90 W（ PEP ） ，我
DQ
= 850毫安
双色测量，中心频率= 1960 MHz的
1
TWO- TONE间隔（MHz ）
10
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
P
in
输入功率（dBm ）
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 850毫安
脉冲CW ， 8
微秒（上） ，
1毫秒（关闭）
中心频率= 1960 MHz的
实际
的P1dB = 50.82 dBm的（ 120.78 W）
P3dB = 51.21 dBm的（ 132.13 W）
理想
五阶
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
摩托罗拉RF设备数据
MRF5S19090LR3 MRF5S19090LSR3
5
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档案信息
6
60
1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060 2080
IRL ，输入回波损耗（分贝）
QQ：2881677436 复制
