摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMBR4957LT1 / D
射频线
PNP硅
高频三极管
。 。 。设计用于高增益,低噪声放大器的振荡器和混频器的应用
系统蒸发散。具体地包装用于厚和薄膜电路采用表面贴装
组件。
高增益 - GPE = 17 dB典型值@ F = 450 MHz的
低噪声 - NF = 3.0 dB典型值@ F = 450 MHz的
可通过添加后缀磁带和卷轴包装选项:
T1后缀= 3000单位每卷
T3后缀= 10,000单位每卷
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
最高结温
功耗,温度上限= 75 ° C *
线性降额以上温度上限= 75℃ @
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
TJMAX
PD (最大)
价值
– 30
– 30
– 3.0
– 30
150
0.278
3.70
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
°C
W
毫瓦/°C的
IC = - 30毫安
高频率
晶体管
PNP硅
MMBR4957LT1 , T3
热特性
特征
储存温度
热阻结到管壳*
符号
TSTG
R
θJC
最大
- 55 + 150
270
单位
°C
° C / W
CASE 318-07 ,风格6
SOT–23
低调
(TO–236AA/AB)
*包安装在99.5 %的氧化铝10 ×8 ×0.6毫米。
器件标识
MMBR4957LT1 , T3 = 7F
电气特性
( TA = 25 ℃,除非另有说明。 )
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( IC = -1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压( IC = -100
μAdc ,
IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压(IE = -100
μAdc ,
IC = 0)
集电极截止电流( VCB = -10伏直流, IC = 0 )
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
– 30
– 30
– 3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
– 0.1
VDC
VDC
VDC
μAdc
基本特征
直流电流增益( IC = - 2.0 MADC , VCE = -10伏直流)
的hFE
20
—
150
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(IE = - 2.0 MADC , VCE = -10伏直流, F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容
( VCB = -10伏直流, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
共发射极放大器的功率增益
( VCE = -10伏直流, IC = - 2.0 MADC , F = 450兆赫)
噪声系数( IC = - 2.0 MADC , VCE = -10伏直流, F = 450兆赫)
fT
建行
GPE
NF
—
—
—
—
1200
—
17
3.0
—
0.8
—
—
兆赫
pF
dB
dB
REV 6
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MMBR4957LT1 , T3
1
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摩托罗拉
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美国:摩托罗拉文学分布; P.O. 20912盒;凤凰城,亚利桑那州85036 。
欧洲:摩托罗拉有限公司;欧洲文献中心; 88制革驱动, Blakelands ,米尔顿凯恩斯, MK14 5BP ,英国。
日本:日本摩托罗拉有限公司; 4-32-1 ,西五反田,品川区,东京141 ,日本。
亚太地区:摩托罗拉半导体H.K.有限公司;硅港中心2号大景街,大埔工业村,大埔,新界,香港。
MMBR4957LT1 , T3
4
*MMBR4957LT1/D*
MMBR4957LT1/D
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